3nm 文章 進入3nm 技術社區(qū)
谷歌已經(jīng)與臺積電達成合作：首款芯片為Tensor G5，選擇3nm工藝制造
- 此前有報道稱，明年谷歌可能會改變策略，在用于Pixel 10系列的Tensor G5上更換代工廠，改用臺積電代工，至少在制造工藝上能與高通和聯(lián)發(fā)科的SoC處于同一水平線。為了更好地進行過渡，谷歌將擴大在中國臺灣地區(qū)的研發(fā)中心。隨后泄露的數(shù)據(jù)庫信息表明，谷歌已經(jīng)開始與臺積電展開合作，將Tensor G5的樣品發(fā)送出去做驗證。據(jù)Wccftech報道，谷歌與臺積電已達成了一項協(xié)議，后者將為Pixel系列產(chǎn)品線生產(chǎn)完全定制的Tensor G系列芯片。谷歌希望新款SoC不再受到良品率的困擾，而Tenso
- 關鍵字： 谷歌 臺積電 Tensor G5 3nm 工藝
曝三星3nm良率僅20%！但仍不放棄Exynos 2500
- 6月23日消息，據(jù)媒體報道，Exynos 2500的良品率目前僅為20%，遠低于量產(chǎn)標準，但三星仍在積極尋求解決方案，以期在今年10月前將良品率提升至60%。Exynos 2500是三星首款采用SF3工藝的智能手機SoC，該工藝相較于前代4nm FinFET工藝，在能效和密度上預計有20%至30%的提升。然而，低良品率的問題可能導致三星在Galaxy S25系列上不得不全面采用高通平臺，這將增加成本并可能影響產(chǎn)品定價。三星對Exynos 2500寄予厚望，該芯片在性能測試中顯示出超越高通第三代驍龍8的潛力
- 關鍵字： 三星 3nm 良率 Exynos 2500
“Intel 3”3nm制程技術已開始量產(chǎn)
- 據(jù)外媒報道，英特爾周三表示，其名為“Intel 3”的3nm制程技術已在俄勒岡州和愛爾蘭工廠開始大批量生產(chǎn)，并提供了有關新生產(chǎn)節(jié)點的一些額外細節(jié)。據(jù)介紹，新工藝帶來了更高的性能和更高的晶體管密度，并支持1.2V的超高性能應用電壓。該節(jié)點既針對英特爾自己的產(chǎn)品，也針對代工客戶，將在未來幾年不斷發(fā)展。英特爾一直將Intel 3制造工藝定位于數(shù)據(jù)中心應用，這些應用需要通過改進的晶體管（與Intel 4相比）、降低晶體管通孔電阻的電源傳輸電路以及設計協(xié)同優(yōu)化來實現(xiàn)尖端性能。生產(chǎn)節(jié)點支持<0.6V低壓以及&g
- 關鍵字： 英特爾 3nm
臺積電3nm供不應求引漲價潮！NVIDIA、AMD、蘋果等都要漲價
- 6月16日消息，據(jù)媒體報道，隨著臺積電3納米供不應求，預期臺積電3納米訂單滿至2026年，NVIDIA、蘋果、AMD和高通等都在考慮提高AI硬件價格。在AI服務器、HPC應用與高階智能手機AI化驅動下，蘋果、高通、英偉達、AMD等四大廠傳大舉包下臺積電3納米家族制程產(chǎn)能，并涌現(xiàn)客戶排隊潮，一路排到2026年。業(yè)界認為，在客戶搶著預訂產(chǎn)能下，臺積3納米家族產(chǎn)能持續(xù)吃緊，將成為近二年常態(tài)。由于供不應求的局面，臺積電正在考慮將部分5納米設備轉換為支持3納米產(chǎn)能，預計月產(chǎn)能有望提升至12萬片至18萬片。盡管臺積電
- 關鍵字： 臺積電 3nm 供不應求 漲價 NVIDIA AMD 蘋果
Arm發(fā)布基于3nm芯片工藝的新CPU、GPU IP
- 芯片設計公司Arm今日發(fā)布了針對旗艦智能手機的新一代CPU和GPU IP（設計方案）：Cortex-X925 CPU、Immortalis G925 GPU。新產(chǎn)品均使用了其最新的Armv9架構，基于臺積電3nm制程工藝方案，針對終端設備在AI應用上的性能進行設計優(yōu)化。此外還將提供軟件工具，讓開發(fā)人員更容易在采用Arm架構的芯片上運行生成式AI聊天機器人和其他AI代碼。預計搭載最新內核設計的手機將于2024年底上市。據(jù)官方介紹，新的CPU與GPU IP是目前旗下同類產(chǎn)品中性能最強的一代，新CPU性能提升3
- 關鍵字： arm CPU GPU IP 3nm
臺積電 3nm 工藝步入正軌，2024 下半年將如期投產(chǎn) N3P 節(jié)點
- IT之家 5 月 17 日消息，臺積電近日舉辦技術研討會，表示其 3nm 工藝節(jié)點已步入正軌，N3P 節(jié)點將于 2024 年下半年投入量產(chǎn)。N3P 基于 N3E 工藝節(jié)點，進一步提高能效和晶體管密度。臺積電表示 N3E 節(jié)點良率進一步提高，已經(jīng)媲美成熟的 5nm 工藝。IT之家查詢相關報道，臺積電高管表示 N3P 工藝目前已經(jīng)完成質量驗證，其良品率可以接近于 N3E。作為一種光學微縮工藝，N3P 在 IP 模塊、設計規(guī)則、EDA 工具和方法方面兼容 N3E，因此臺積電表示整個過渡過程非常順利。N
- 關鍵字： 臺積電 3nm N3P
瞄準AI需求：臺積電在美第二座晶圓廠制程升級至2nm
- 最新消息，臺積電官網(wǎng)宣布，在亞利桑那州建設的第二座晶圓廠制程工藝將由最初計劃的3nm升級為更先進的2nm，量產(chǎn)時間也由2026年推遲到了2028年。2022年12月6日，在臺積電亞利桑那州第一座晶圓廠建設兩年多之后宣布建設第二座晶圓廠。在今年一季度的財報分析師電話會議上，CEO魏哲家提到這一座晶圓廠已經(jīng)封頂，最后的鋼梁已經(jīng)吊裝到位。對于將第二座晶圓廠的制程工藝由最初計劃的3nm提升到2nm，臺積電CEO魏哲家在一季度的財報分析師電話會議上也作出了回應，他表示是為了支持AI相關的強勁需求。在OpenAI訓練
- 關鍵字： AI 臺積電 晶圓 制程 2nm 3nm
三星Exynos 2500芯片試產(chǎn)失敗：3nm GAA工藝仍存缺陷
- 最新報道，三星的3nm GAA生產(chǎn)工藝存在問題，原計劃搭載于Galaxy S25/S25+手機的Exynos 2500芯片在生產(chǎn)過程中被發(fā)現(xiàn)存在嚴重缺陷，導致良品率直接跌至0%。報道詳細指出，由于Exynos 2500芯片在3nm工藝下的生產(chǎn)質量問題，未能通過三星內部的質量檢測。這不僅影響了Galaxy S25系列手機的生產(chǎn)計劃，還導致原定于后續(xù)推出的Galaxy Watch 7的芯片組也無法如期進入量產(chǎn)階段。值得關注的是，Exynos 2500原計劃沿用上一代的10核CPU架構，升級之處在于將采用全新的
- 關鍵字： 三星 Exynos 芯片 3nm GAA
消息稱三星 3nm GAA 工藝試產(chǎn)失敗，Exynos 2500 芯片被打上問號
- 2 月 2 日消息，根據(jù)韓媒 DealSite+ 報道，三星的 3nm GAA 生產(chǎn)工藝存在問題，嘗試生產(chǎn)適用于 Galaxy S25 / S25+ 手機的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 0%。報道指出由于 3nm 工藝的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通過質量測試，導致后續(xù) Galaxy Watch 7 的芯片組也無法量產(chǎn)。此前報道，Exynos 2500 將沿用上一代的 10 核 CPU 架構，同時引入全新的 Cortex-X5 核心。Exynos 2500 的
- 關鍵字： 三星 3nm GAA Exynos 2500 芯片
特斯拉明年將采用臺積電3nm芯片
- 據(jù)外媒，除了傳統(tǒng)客戶聯(lián)發(fā)科、AMD、英偉達、英特爾、高通外，特斯拉也已確認參與臺積電(TSMC)明年的3nm NTO芯片設計定案（New Tape-Outs，NTOs）。報道稱，特斯拉成為臺積電N3P的客戶也表明，其打算利用該尖端技術生產(chǎn)下一代全自動駕駛(FSD)智能駕駛芯片。據(jù)了解，臺積電N3P工藝計劃預計在2024年投產(chǎn)，與N3E工藝相比，N3P的性能提高5%，功耗降低5%到10%，芯片密度提高1.04倍。臺積電表示，N3P的性能、功耗和面積(PPA)指標，以及技術成熟度，都超過了英特爾的18A工藝。
- 關鍵字： 特斯拉 臺積電 3nm 自動駕駛
天璣9400繼續(xù)采用全大核架構 外加N3E工藝加持
- 11月6日，聯(lián)發(fā)科發(fā)布的新一代的旗艦平臺天璣9300處理器大膽創(chuàng)新，取消了低功耗核心簇，轉而采用“全大核”架構，包含四顆Cortex-X4 超大核（最高頻率可達3.25GHz）以及四顆主頻為2.0GHz的Cortex-A720大核。雖然此前曾有傳言稱這款芯片存在過熱問題，但聯(lián)發(fā)科予以否認并聲稱其性能表現(xiàn)出色。近期有爆料稱聯(lián)發(fā)科并沒有因天璣9300的爭議而改變策略，反而將在明年的天璣9400上繼續(xù)采用“全大核”架構。日前有消息源還透露了明年的旗艦芯片天璣9400將首次用上臺積電的N3E制程工藝 ——&nbs
- 關鍵字： 天璣 架構 N3E 聯(lián)發(fā)科 3nm 芯片
3nm 介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條3nm !
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對3nm 的理解，并與今后在此搜索3nm 的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對3nm 的理解，并與今后在此搜索3nm 的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
3nm 專欄文章
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473