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	8英寸
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          劍指8英寸碳化硅！兩大廠官宣合作
          
                                                            
            
                    	
          • 9月24日，Resonac（原昭和電工）在官網(wǎng)宣布，其與Soitec簽署了一項合作協(xié)議，雙方將共同開發(fā)用于功率半導體的8英寸碳化硅鍵合襯底。在這次共同開發(fā)中，Resonac將向Soitec提供碳化硅單晶，Soitec將使用這些單晶制造碳化硅鍵合襯底。鍵合技術加速碳化硅8英寸轉型據(jù)悉，Soitec擁有一種獨有的SmartSiC?技術，該技術通過處理高質量的碳化硅單晶襯底，將處理后的表面鍵合到多晶碳化硅晶圓作為支撐襯底，然后將單晶襯底分割成薄膜，從而從一個碳化硅單晶襯底生產出多個高質量的碳化硅晶圓，由此顯著提
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          • 關鍵字：
                        8英寸  碳化硅  Resonac                          
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          8英寸碳化硅時代呼嘯而來！
          
                                                            
            
                    	
          • 近日，我國在8英寸碳化硅領域多番突破，中國電科48所8英寸碳化硅外延設備再升級，三義激光首批碳化硅激光設備正式交付，天岳先進8英寸碳化硅襯底批量銷售，上海漢虹成功制備8英寸碳化硅晶體。8英寸碳化硅時代已呼嘯而來，未來將會有更多廠商帶來新的產品和技術，我們拭目以待。關鍵突破！中國電科48所8英寸碳化硅外延設備再升級近日，中國電科48所自主研發(fā)的8英寸碳化硅外延設備關鍵技術再獲突破。圖片來源：中國電科據(jù)中國電科官方消息，碳化硅外延爐是第三代半導體碳化硅器件制造的核心裝備之一。此次“全新升級”的8英寸碳化硅外延
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          • 關鍵字：
                        8英寸  碳化硅                          
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          英飛凌發(fā)布采用8英寸晶圓代工工藝制造的新一代CoolGaN晶體管系列
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 英飛凌科技股份公司近日推出新一代高壓（HV）和中壓（MV）CoolGaNTM半導體器件系列。這使客戶能夠將氮化鎵（GaN）的應用范圍擴大到40 V至700 V電壓，進一步推動數(shù)字化和低碳化進程。在馬來西亞居林和奧地利菲拉赫，這兩個產品系列采用英飛凌自主研發(fā)的高性能?8?英寸晶圓工藝制造。英飛凌將據(jù)此擴大CoolGaNTM的優(yōu)勢和產能，確保其在GaN器件市場供應鏈的穩(wěn)定性。據(jù)Yole Group預測，未來五年GaN器件市場的年復合增長率（CAGR）將達到46%。英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  8英寸  晶圓代工  CoolGaN                          
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          優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC單晶生長設備通過技術鑒定
          
                                                            
            
                    	
          • 6月7日，蘇州優(yōu)晶半導體科技股份有限公司（以下簡稱“優(yōu)晶科技”）宣布8英寸電阻法SiC單晶生長設備獲行業(yè)專家認可，成功通過技術鑒定評審。鑒定委員會認為，優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC晶體生長設備及工藝成果技術難度大，創(chuàng)新性強，突破了國內大尺寸晶體生長技術瓶頸，擁有自主知識產權，經(jīng)濟效益顯著。資料顯示，優(yōu)晶科技成立于2010年12月，專注于大尺寸（6英寸及以上）導電型SiC晶體生長設備研發(fā)、生產及銷售。該公司于2019年成功研制出6英寸電阻法SiC單晶生長設備，經(jīng)持續(xù)工藝優(yōu)化，目前已推出至第四代機型——UKIN
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          • 關鍵字：
                        優(yōu)晶科技  8英寸  SiC  單晶生長設備                          
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          SiC邁入8英寸時代，國際大廠量產前夕國內廠商風口狂追
          
                                                            
            
                    	
          • 近日，包括Wolfspeed、韓國釜山政府、科友等在第三代半導體SiC/GaN上出現(xiàn)新進展。從國內外第三代化合物進展看，目前在碳化硅領域，國際方面8英寸SiC晶圓制造已邁向量產前夕，國產廠商方面則有更多廠家具備量產能力，產業(yè)鏈條進一步完善成熟，下文將進一步說明最新情況。SiC/GaN 3個項目最新動態(tài)公布Wolfspeed德國8英寸SiC工廠或將延遲至明年建設近日，據(jù)外媒消息，Wolfspeed與采埃孚聯(lián)合投資建設的德國8英寸SiC晶圓廠建設計劃或被推遲，最早將于2025年開始。據(jù)悉，該工廠由Wolfsp
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          • 關鍵字：
                        SiC  8英寸                          
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          羅姆宣布明年在日本生產8英寸SiC襯底
          
                                                            
            
                    	
          • 羅姆半導體（Rohm）株式會社社長松本功近日在2023年11月財報電話會議上宣布，將在位于日本宮崎縣的第二家工廠生產8英寸SiC襯底，主要供該公司內部使用，預計將于2024年開始投產。這將是羅姆首次在日本生產SiC襯底。據(jù)悉，宮崎第二工廠規(guī)劃項目是羅姆近幾年產能擴張計劃的一部分，羅姆計劃在2021-2025年為SiC業(yè)務投入1700億-2200億日元（折合人民幣約82億元-107億元）。對于包括羅姆在內的眾多SiC功率半導體玩家而言，再怎么加大投資、提升SiC襯底產能都不過分。一方面，近年來，襯底材料短缺
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          • 關鍵字：
                        羅姆  8英寸  SiC襯底                          
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          國內6英寸、8英寸碳化硅襯底片迎來新進展
          
                                                            
            
                    	
          • 11月4日，晶盛機電“年產25萬片6英寸、5萬片8英寸碳化硅襯底片項目”正式簽約啟動，此舉旨在攻關半導體材料端關鍵核心技術，最終實現(xiàn)國產替代。據(jù)悉，此次簽約項目總投資達21.2億元。據(jù)晶盛機電介紹，公司自2017年開始碳化硅晶體生長設備和工藝研發(fā)，相繼成功開發(fā)6英寸、8英寸碳化硅晶體和襯底片，是國內為數(shù)不多能供應8英寸襯底片的企業(yè)。目前，公司已建設了6-8英寸碳化硅晶體生長、切片、拋光中試線，6英寸襯底片已通過多家下游企業(yè)驗證，正處于快速上量階段，8英寸襯底片處于小批量試制階段。碳化硅作為第三代半導體代表
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          • 關鍵字：
                        6英寸  8英寸  碳化硅襯底                          
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          從國際龍頭企業(yè)布局看SiC產業(yè)發(fā)展趨勢
          
                                                            
            
                    	
          • 碳化硅（SiC）具有高擊穿場強、高熱導率、高飽和電子漂移速率等特點，可很好地滿足新能源汽車與充電樁、光伏新能源、智能電網(wǎng)、軌道交通等應用需求，對我國“新基建”產業(yè)發(fā)展具有重要意義，是未來五年“中國芯”最好的突破口之一，當下我國應該集中優(yōu)勢資源重點發(fā)展。
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          • 關鍵字：
                        ?202310  碳化硅  SiC  襯底  8英寸  擴產                          
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          國內8英寸碳化硅加速布局！
          
                                                            
            
                    	
          • 近期，三安半導體發(fā)布消息稱，公司攜碳化硅全產業(yè)鏈產品亮相SEMICON Taiwan 
2023。除了推出650V-1700V寬電壓范圍的SiC 
MOSFET外，三安半導體還首發(fā)了8英寸碳化硅襯底。三安半導體表示，展會上有多家重要客戶在詳細詢問三安半導體產品參數(shù)后，表示已經(jīng)確認采購意向。圖：三安半導體湖南三安半導體屬于三安光電下屬子公司，主要業(yè)務涵蓋碳化硅、氮化鎵化合物半導體功率芯片的研發(fā)、設計、制造及服務，目前建立具有自主知識產權的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產業(yè)生產基地。湖南三安半導體是三安
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          • 關鍵字：
                        8英寸  碳化硅                          
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          國內8英寸SiC傳來新進展
          
                                                            
            
                    	
          • 近年來，汽車、太陽能和電動汽車充電應用及儲能系統(tǒng)等領域對碳化硅半導體產品需求不斷增長，并推動新興半導體材料的發(fā)展。在碳化硅襯底上，國內廠商正加速研發(fā)步伐，如晶盛機電已完成了6英寸到8英寸的擴徑和質量迭代，實現(xiàn)8英寸拋光片的開發(fā)，晶片性能參數(shù)與6英寸晶片相當，今年二季度將實現(xiàn)小批量生產；天科合達計劃在2023年實現(xiàn)8英寸襯底產品的小規(guī)模量產，同時該公司在5月與半導體大廠英飛凌簽訂碳化硅長期供應協(xié)議。近期，科友半導體傳來了新消息。6月22日，科友半導體官微宣布其突破了8英寸SiC量產關鍵技術，在晶體尺寸、厚度
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                        8英寸  SiC  科友半導體                          
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          IQE推出可用于MicroLED顯示器認證的8英寸(200mm) RGB外延產品
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • IQE?plc（AIM 股票代碼：IQE，以下簡稱“IQE”或“集團”）全球領先的化合物半導體晶圓產品和先進材料解決方案供應商，近日宣布將推出全新 8英寸 (200mm) 紅、綠、藍三色（ “RGB”）外延晶圓產品組合，供 microLED 顯示器認證。??MicroLED?以氮化鎵 (GaN) 和砷化鎵 (GaAs) 半導體為基底，是一種極具顛覆性的全新顯示器技術，正設計用于多種新平臺，例如可穿戴技術、AR/VR 耳機和大型顯示器。 IQE 的 GaN 和 GaA
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          • 關鍵字：
                        IQE  MicroLED  8英寸  RGB外延產品                          
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          三菱電機和Coherent宣布合作，瞄準8英寸SiC襯底
          
                                                            
            
                    	
          • 近日，美國激光技術與加工系統(tǒng)供應商Coherent和三菱電機宣布，雙方已簽署一份諒解備忘錄 （MOU）并達成項目合作，將在200毫米技術平臺上擴大SiC電力電子產品的規(guī)?；a。三菱電機宣布在截至2026年3月的五年內投資約2600億日元。其中，大約1000億日元將用于建設基于200mm技術平臺的SiC功率器件新工廠，并加強相關生產設備。根據(jù)諒解備忘錄，Coherent將為三菱電機未來在新工廠生產的SiC功率器件開發(fā)200毫米n型4H SiC襯底。資料顯示，Coherent于1966年成立于美國加利福尼亞
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          • 關鍵字：
                        三菱電機  Coherent  8英寸  SiC襯底                          
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          臺積電：Q3將再調漲8英寸制程代工報價
          
                                                            
            
                    	
          • 據(jù)《電子時報》報道，有IC設計業(yè)者表示，臺積電將再調漲8英寸成熟制程代工報價，12英寸成熟與先進制程則還在評估中。產業(yè)鏈方面的消息顯示，臺積電雖然計劃提高8英寸晶圓代工服務的價格，但并不會立即生效，新的價格預計在三季度開始實施。由于供應鏈等問題的影響，全球一直在卻芯，代工芯片制造商紛紛宣布上調代工費，半導體價格也始終在攀升。去年9月份，臺積電通知客戶所有芯片的代工價格最高上漲20%。其中，7nm制程技術的報價上漲3%-10%，12nm以上的成熟型制程漲價上漲20%。在臺積電目前的收入中，12英寸晶圓代工服
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          • 關鍵字：
                        臺積電  8英寸  制程代工                          
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          8英寸晶圓廠產能緊張狀況將持續(xù)到2021年
          
                                                            
            
                    	
          • 據(jù)國外媒體報道，半導體行業(yè)是今年為數(shù)不多的并未受到明顯影響的行業(yè)，特別是半導體制造，主要廠商今年的營收有明顯增長，部分生產線的產能也非常緊張。在此前的報道中，外媒已提到，臺積電等芯片代工商的8英寸晶圓廠產能緊張，代工商已經(jīng)提高了代工報價，上調幅度在10%到20%之間。而外媒最新援引產業(yè)鏈方面的消息報道稱，8英寸晶圓廠產能緊張的狀況，還將持續(xù)一段時間，目前預計會持續(xù)到2021年。從產業(yè)鏈人士透露的消息來看，8英寸晶圓廠產能緊張，主要是顯示驅動芯片和電源管理芯片需求強勁。如果產業(yè)鏈這一人士透露的消息準確，8英
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                        8英寸  晶圓廠                          
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          車用電子需求大幅上升，強茂欲涉足8英寸晶圓市場
          
                                                            
            
                    	
          • 為搶攻汽車及工業(yè)等高端應用市場，掌握8英寸功率組件未來的龐大商機，以往專注在4、6英寸晶圓領域的強茂，決定斥資6,700萬美元涉足8英寸市場，其用途會專注在新團隊的晶圓設計里背面制程的應用，以此掌握如5G、物聯(lián)網(wǎng)、車用電子等所帶動的8英寸功率組件的龐大商機。
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                        車用電子  晶圓  8英寸                          
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	共30條
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