摘要：本文首先分析了國(guó)際五家龍頭企業(yè)的最新動(dòng)態(tài)與戰(zhàn)略布局，在此基礎(chǔ)上歸納總結(jié)了SiC產(chǎn)業(yè)當(dāng)前發(fā)展現(xiàn)狀與未來(lái)趨勢(shì)，最后提出我國(guó)相關(guān)單位應(yīng)引導(dǎo)產(chǎn)能集中布局，避免產(chǎn)業(yè)資源分散，盡快布局8英寸SiC全產(chǎn)業(yè)鏈，加強(qiáng)SiC MOSFET產(chǎn)業(yè)技術(shù)公關(guān)，加強(qiáng)下游應(yīng)用企業(yè)與芯片企業(yè)協(xié)同創(chuàng)新。

1 國(guó)際龍頭企業(yè)最新動(dòng)態(tài)與布局

1.1 Wolfspeed: SiC襯底全球占比超過(guò)50%

Wolfspeed 專(zhuān)注于SiC和氮化鎵材料、功率設(shè)備，是目前全球最大的SiC 襯底供應(yīng)商，SiC 襯底全球占比超過(guò)50%，但仍瘋狂擴(kuò)產(chǎn)^[1]，2019 年拋出65 億美元的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，5 年產(chǎn)能計(jì)劃增長(zhǎng)30 倍， 到2024 年月產(chǎn)能達(dá)到10 萬(wàn)片（等效6 英寸）， 現(xiàn)有基地布局主要分布在美國(guó)北卡羅來(lái)納州和紐約州，如圖1 所示，從2019 年之后新布局的產(chǎn)能基本都是8 英寸，器件方面主要是滿(mǎn)足車(chē)規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的器件。2023年2 月，Wolfspeed 還宣布在德國(guó)薩爾州建造世界上最大的SiC 工廠，并計(jì)劃4 年內(nèi)開(kāi)始批量生產(chǎn)，該大型項(xiàng)目的實(shí)現(xiàn)將取決于政府補(bǔ)貼的承諾，大概5 億歐元，占項(xiàng)目投資的1/4^[2]。

陳東坡（北京三安光電有限公司 副總經(jīng)理）

圖1 Wolfspeed的SiC業(yè)務(wù)概況

1.2 ST:首家把SiC批量用在特斯拉主逆變器上

意法半導(dǎo)體（ST）于2017 年開(kāi)始量產(chǎn)SiC 器件，隨后開(kāi)始產(chǎn)能擴(kuò)展，2022 產(chǎn)能相比2020 年增長(zhǎng)了2.5倍以上，并計(jì)劃在2017—2024 年間把SiC 產(chǎn)能提高9 倍。為了提高供應(yīng)比例同時(shí)又降低成本，ST 對(duì)SiC 技術(shù)和供應(yīng)鏈戰(zhàn)略還包括從6 英寸到8 英寸SiC 晶圓的升級(jí)，并于2023 年底前量產(chǎn)8 英寸SiC 晶圓^[3]。襯底方面，ST 目標(biāo)是到2024 年實(shí)現(xiàn)40% 以上SiC 襯底的內(nèi)部供應(yīng)。為達(dá)成上述目標(biāo)，ST 收購(gòu)了Norstel 以將其轉(zhuǎn)化為ST的技術(shù)并擴(kuò)大產(chǎn)能，并在意大利卡塔尼亞建設(shè)一座投資8億美元的襯底廠，相關(guān)信息如圖2 所示^[4]。2022 年12 月，ST 還與法國(guó)Soitec 合作開(kāi)發(fā)8 英寸SiC 襯底制造技術(shù)，提升SiC 襯底加工效率與產(chǎn)出^[5]。

圖2 ST的SiC業(yè)務(wù)概況（統(tǒng)計(jì)截至2023年5月）來(lái)源：ST

1.3 英飛凌：全球最大的功率半導(dǎo)體器件廠

功率半導(dǎo)體龍頭廠商英飛凌斥資20 億歐元（注：約合144 億元人民幣）擴(kuò)產(chǎn)SiC、GaN（氮化鎵），擴(kuò)產(chǎn)重點(diǎn)在晶圓制造環(huán)節(jié)^[6]，計(jì)劃2027 年把SiC 產(chǎn)能增長(zhǎng)10 倍，2030 年取得全球30% 市場(chǎng)份額。該產(chǎn)能增加主要通過(guò)奧地利Villach 和馬來(lái)西亞Kulim 工廠實(shí)現(xiàn)，奧地利Villach 是基于現(xiàn)有6/8 英寸硅半導(dǎo)體產(chǎn)線(xiàn)改造成SiC 和GaN 產(chǎn)線(xiàn)；馬來(lái)西亞Kulim 則為全新工廠，預(yù)計(jì)2024 年夏季投產(chǎn)，預(yù)計(jì)到2027 年，英飛凌將具備150 mm 和200 mm SiC 晶圓生產(chǎn)能力，如圖3 所示。為滿(mǎn)足產(chǎn)能擴(kuò)張需求，英飛凌在2018年花費(fèi)1.24 億歐元收購(gòu)了“冷切割”技術(shù)企業(yè)Siltectra，在提升加工效率的同時(shí)可提升良率，同時(shí)與多家上游企業(yè)如Wolfspeed、SiCrystal 及昭和電工簽訂SiC 襯底/ 晶錠/ 外延片長(zhǎng)期供貨協(xié)議，提前鎖定產(chǎn)能，以確保原料供應(yīng)的穩(wěn)定性與靈活性^[7]。此外，英飛凌向3000 多家客戶(hù)提供SiC 產(chǎn)品，主要應(yīng)用于電源、光伏、運(yùn)輸、新能源汽車(chē)及充電樁等，公司預(yù)計(jì)2025 年SiC 將實(shí)現(xiàn)10 億美元的營(yíng)收目標(biāo)。

圖3 英飛凌SiC布局

1.4 Onsemi：通過(guò)收并購(gòu)擴(kuò)大布局，2006年至今已進(jìn)行20次收并購(gòu)

安森美（Onsemi）一直專(zhuān)注于半導(dǎo)體行業(yè)，公司在亞太地區(qū)擁有完善的供應(yīng)鏈體系，未來(lái)戰(zhàn)略重心將放在電動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)兩個(gè)領(lǐng)域，目前多家車(chē)企采用安森美SiC 技術(shù)，包括起亞EV6 GT車(chē)型， 梅賽德斯- 奔馳等。安森美SiC 器件制造技術(shù)也走在世界前列，其戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型是：All in SiC，公司目前擁有SiC 全產(chǎn)業(yè)鏈一體化平臺(tái)，其中，襯底在美國(guó)生產(chǎn)，拋光和外延是在捷克工廠完成，芯片前端處理、減薄、背面金屬和晶圓測(cè)試 (WAT) 在韓國(guó)富川，器件與模塊封裝在中國(guó)和馬來(lái)西亞，這些工廠大多來(lái)自收購(gòu)^[8]。公司通過(guò)與客戶(hù)群簽訂長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議，未來(lái)3 年預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)40 億美元SiC 收入。

為了支持未來(lái)幾年的高速增長(zhǎng)，安森美近4 年5 次擴(kuò)建SiC 工廠，總投資額超過(guò)100 億元人民幣^[8]，具體見(jiàn)圖4。公司于2021 年還以4.12 億美元（約合26.87 億元人民幣）收購(gòu)SiC 生產(chǎn)商GT Advanced Technologies（GTAT），并繼續(xù)追加投資，使2022 年底GTAT 的產(chǎn)量翻倍，2023 年將再次翻倍，并推進(jìn) 6 英寸和8 英寸SiC 晶體生長(zhǎng)技術(shù)^[9]。

圖4 安森美SiC布局

1.5 羅姆：全球首家將SiC SBD和MOSFET量產(chǎn)的企業(yè)

羅姆（ROHM）從2000 年開(kāi)始進(jìn)行SiC MOSFET基礎(chǔ)研究，并在2009 年收購(gòu)德國(guó)SiC 晶圓材料廠商SiCrystal，擁有了從晶棒生產(chǎn)、晶圓工藝到封裝的全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合^[10]。面對(duì)市場(chǎng)對(duì)SiC 產(chǎn)品高增長(zhǎng)需求，公司制定了積極的產(chǎn)能擴(kuò)展計(jì)劃，相比2021 年，2025 年SiC 產(chǎn)能將提升6 倍，到2030 年提升35 倍，并計(jì)劃從2023 年實(shí)現(xiàn)從6 英寸升級(jí)到8 英寸襯底的量產(chǎn)^[11]，如圖5 所示。羅姆當(dāng)前主要關(guān)注汽車(chē)、工控和海外市場(chǎng)，與大量客戶(hù)開(kāi)展合作或者組建合資公司，包括2020 年與緯湃科技、臻驅(qū)科技合作開(kāi)發(fā)SiC 電源解決方案，2021 年與吉利簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，與正海集團(tuán)成立SiC 功率模塊合資公司海姆希科；2022年，Lucid 公司OBC 應(yīng)用了羅姆的SiCMOSFET，同年，羅姆的SiC MOSFET通過(guò)了賽米控公司的認(rèn)證^[12]。

圖5 羅姆SiC布局 來(lái)源：羅姆

2 SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢(shì)

2.1 行業(yè)巨頭均在產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)規(guī)模布局

受益于光伏新能源、新能源汽車(chē)與充電樁等終端需求大幅增長(zhǎng)，SiC 產(chǎn)業(yè)迎來(lái)爆發(fā)，從最上游的襯底、外延材料，晶圓代工、器件封測(cè)到SiC 模塊封裝，全線(xiàn)需求激增。安森美、Wolfspeed、ST、羅姆等SiC 領(lǐng)域龍頭企業(yè)，均發(fā)表了對(duì)行業(yè)發(fā)展的積極展望，具體見(jiàn)圖6，并擴(kuò)大投資布局，力求2025 年前釋放產(chǎn)能^[13]。我國(guó)本土企業(yè)在SiC 方面的投資熱情也非常高，中車(chē)、斯達(dá)、三安、長(zhǎng)飛、士蘭微等企業(yè)均有大規(guī)模的SiC產(chǎn)能布局，國(guó)內(nèi)宣布投資的SiC 項(xiàng)目超百個(gè)，形成了產(chǎn)業(yè)過(guò)熱的表象。從擴(kuò)產(chǎn)環(huán)節(jié)來(lái)看，由于晶棒生長(zhǎng)速度慢且技術(shù)難度大，產(chǎn)業(yè)鏈成本集中于上游，價(jià)值量倒掛，所以襯底、外延環(huán)節(jié)也成為企業(yè)擴(kuò)產(chǎn)布局的重點(diǎn)環(huán)節(jié)^[14]。

圖6 行業(yè)龍頭企業(yè)營(yíng)收與市場(chǎng)占比 來(lái)源：01芯聞

2.2 6英寸向8英寸快速轉(zhuǎn)變成行業(yè)必然趨勢(shì)

SiC 襯底是SiC 產(chǎn)業(yè)鏈中成本占比最大、技術(shù)門(mén)檻最高的環(huán)節(jié)，襯底對(duì)器件成本降低與規(guī)模應(yīng)用起著決定性作用，擴(kuò)大襯底尺寸是降低器件成本的有效方式之一。更大的襯底尺寸意味著單片SiC 晶圓能夠制造出的芯片數(shù)量更多，晶圓邊緣浪費(fèi)減少，單芯片成本降低，這將驅(qū)使越來(lái)越多SiC 廠商從6 英寸向8 英寸轉(zhuǎn)變^[15]，如圖7 所示。盡管當(dāng)前8 英寸SiC 距離大規(guī)模量產(chǎn)還有一段距離，短期內(nèi)不會(huì)對(duì)市場(chǎng)造成較大影響^[16]，但從長(zhǎng)期來(lái)看，隨著技術(shù)進(jìn)步，材料生長(zhǎng)與切割工藝等問(wèn)題解決，8 英寸SiC 會(huì)加速到來(lái)，并與6 英寸SiC 呈長(zhǎng)期共存態(tài)勢(shì)。

圖7 6英寸與8英寸SiC襯底市場(chǎng)演變 來(lái)源：CASA，基本半導(dǎo)體，中國(guó)銀河證券研究院

2.3 新能源汽車(chē)仍然是SiC最大應(yīng)用市場(chǎng)

SiC 器件主要用于電動(dòng)汽車(chē)、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、充電樁等領(lǐng)域。根據(jù)Yole 報(bào)道，2021 年SiC 器件市場(chǎng)規(guī)模約為10.9 億美元，2027 增長(zhǎng)到62.97 億美元，2021—2027 年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到34%。在多種應(yīng)用領(lǐng)域中，汽車(chē)是最大的應(yīng)用市場(chǎng)，市場(chǎng)規(guī)模從2021 年6.87 億美元增長(zhǎng)到2027 年49.7 億美元，市場(chǎng)份額從2021 年63%，增長(zhǎng)到2027 年79%，如圖8 所示。SiC 功率器件在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域的市場(chǎng)規(guī)模與增長(zhǎng)速度明顯高于高壓充電樁、光伏發(fā)電和交通軌道領(lǐng)域，是SiC 產(chǎn)業(yè)發(fā)展的最大市場(chǎng)最大驅(qū)動(dòng)力。

圖8 SiC器件市場(chǎng)概況 來(lái)源：Yole report

2.4 產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合成SiC行業(yè)主流趨勢(shì)

SiC 器件最大的應(yīng)用市場(chǎng)是新能源汽車(chē)市場(chǎng)，車(chē)規(guī)功率半導(dǎo)體具有如下特征：產(chǎn)品設(shè)計(jì)要求高安全性和高可靠性；批量生產(chǎn)要求高穩(wěn)定性和一致性；供貨周期通常一般10~15 年。上述特征更適合采用產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合模式（IDM），也就是從設(shè)計(jì)、制造到封裝都由一家公司完成，這種模式可以控制從芯片設(shè)計(jì)到模塊封裝的全部流程，更符合汽車(chē)對(duì)車(chē)規(guī)半導(dǎo)體高可靠要求，目前國(guó)際大廠Wolfspeed、羅姆、ST 等都采用IDM 模式。SiC 產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合成行業(yè)趨勢(shì)，未來(lái)5 年有可能呈現(xiàn)加速趨勢(shì)，如圖9 所示。國(guó)內(nèi)外企業(yè)通過(guò)收并購(gòu)等方式進(jìn)行襯底、外延及器件全產(chǎn)業(yè)鏈布局；許多整車(chē)廠或Tier1 的企業(yè)也開(kāi)始轉(zhuǎn)向自主研發(fā)或與上游的SiC 材料和器件企業(yè)簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議^[18]，加強(qiáng)對(duì)零部件的安全性與成本以及供應(yīng)穩(wěn)定性的掌控。

圖9 SiC器件市場(chǎng)概況 來(lái)源：yole report

3 對(duì)我國(guó)SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議

3.1 引導(dǎo)產(chǎn)能集中布局，避免產(chǎn)業(yè)資源分散

SiC 產(chǎn)業(yè)屬于資本密集型、技術(shù)密集型、人才密集型產(chǎn)業(yè)，該領(lǐng)域的領(lǐng)軍人才緊缺，核心關(guān)鍵技術(shù)還有待突破，各種關(guān)鍵設(shè)備與材料近年來(lái)由于項(xiàng)目集中上馬導(dǎo)致交期延長(zhǎng)。行業(yè)主管部門(mén)應(yīng)防范低端產(chǎn)能、無(wú)效產(chǎn)能盲目建設(shè)，有序引導(dǎo)和規(guī)范國(guó)內(nèi)產(chǎn)能實(shí)現(xiàn)區(qū)域集中與主體集中布局。同時(shí)，強(qiáng)化技術(shù)創(chuàng)新引導(dǎo)，將緊缺有限的產(chǎn)業(yè)資源集中用在產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)上，用在有競(jìng)爭(zhēng)力的企業(yè)主體上，避免沒(méi)有競(jìng)爭(zhēng)力的企業(yè)盲目擴(kuò)展，分散有限產(chǎn)業(yè)資源，擾亂行業(yè)生態(tài)。

3.2 盡快布局 8 英寸SiC全產(chǎn)業(yè)鏈

近兩年，國(guó)際行業(yè)龍頭掀起一輪8 英寸SiC 晶圓投資熱潮，除 Wolfspeed 位于美國(guó)紐約州的8 英寸晶圓廠實(shí)現(xiàn)小批量供貨外，包括ST、英飛凌、Soitec、三菱電機(jī)等新老廠商都在積極推進(jìn)8 英寸SiC 開(kāi)發(fā)布局與產(chǎn)線(xiàn)建設(shè)。行業(yè)主管部門(mén)應(yīng)引導(dǎo)國(guó)內(nèi)龍頭企業(yè)圍繞8 英寸SiC 進(jìn)行關(guān)鍵環(huán)節(jié)布局，我國(guó)企業(yè)則應(yīng)加大投入力度，盡快實(shí)現(xiàn)8 英寸SiC 襯底技術(shù)的突破。同時(shí)，國(guó)內(nèi)器件廠商應(yīng)與襯底、外延等原材料廠商積極配合，協(xié)同創(chuàng)新，共同開(kāi)發(fā)8 英寸SiC 材料、工藝等技術(shù)，在研發(fā)、技術(shù)、工藝、質(zhì)量、產(chǎn)業(yè)化等多個(gè)維度實(shí)現(xiàn)全面突破。

3.3 加強(qiáng)SiC MOSFET產(chǎn)業(yè)技術(shù)公關(guān)

SiC 功率器件包括SiC 二極管（SBD） 和SiCMOSFET, 目前我國(guó)二極管產(chǎn)品已經(jīng)產(chǎn)業(yè)化，并實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用。SiC MOSFET 在關(guān)鍵技術(shù)方面還存在一些問(wèn)題，具體表現(xiàn)為產(chǎn)品成熟度有待提升，器件可靠性、封裝和驅(qū)動(dòng)裝和驅(qū)動(dòng)等問(wèn)題尚未完全解決，器件性能優(yōu)勢(shì)在實(shí)際應(yīng)用中還未得到充分發(fā)揮。相關(guān)企業(yè)應(yīng)進(jìn)一步加大SiC MOSFET 大規(guī)模制造能力建設(shè)和產(chǎn)品設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)，推進(jìn)產(chǎn)品規(guī)模上量，并向汽車(chē)電子、光伏、儲(chǔ)能等應(yīng)用市場(chǎng)加速滲透。

3.4 加強(qiáng)下游應(yīng)用企業(yè)與芯片企業(yè)協(xié)同

目前，我國(guó)SiC 產(chǎn)業(yè)“芯片- 整機(jī)- 系統(tǒng)”產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同格局尚未形成，內(nèi)需市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)尚未得到充分發(fā)揮。我國(guó)新能源汽車(chē)、光伏、儲(chǔ)能等應(yīng)用企業(yè)應(yīng)與SiC 芯片、模塊企業(yè)聯(lián)動(dòng)發(fā)展和協(xié)同創(chuàng)新，多為國(guó)產(chǎn)SiC 芯片提供驗(yàn)證機(jī)會(huì)，或者通過(guò)聯(lián)合承擔(dān)國(guó)家專(zhuān)項(xiàng)，解決產(chǎn)業(yè)行業(yè)共性技術(shù)難題。在行業(yè)內(nèi)實(shí)行“下游考核上游，整機(jī)考核部件，應(yīng)用考核技術(shù)，市場(chǎng)考核產(chǎn)品”的用戶(hù)考核制，通過(guò)用戶(hù)和市場(chǎng)的考核驗(yàn)證，研發(fā)成功一批經(jīng)得起市場(chǎng)檢驗(yàn)的高可靠產(chǎn)品，從而加速?lài)?guó)產(chǎn)SiC 芯片產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。

參考文獻(xiàn)：

[1] Wolfspeed對(duì)國(guó)產(chǎn)SiC的啟示.

[2] Wolfspeed 宣布計(jì)劃在德國(guó)薩爾州建造全球最大、最先進(jìn)的碳化硅器件制造工廠.

[3] 意法半導(dǎo)體的芯片制造布局.

[4] 意法半導(dǎo)體CEO：將擴(kuò)增碳化硅產(chǎn)能.

[5] SiC沖64億！意法半導(dǎo)體在第三代半導(dǎo)體方面有哪些動(dòng)作？

[6] 144億元！英飛凌擴(kuò)產(chǎn)SiC、GaN.

[7] 英飛凌：2030年碳化硅市占率將達(dá)到55%.

[8] 又投32億！安森美第5次擴(kuò)建SiC廠.

[9] 布局碳化硅十八年 安森美如何改變芯片未來(lái).

[10] 強(qiáng)勢(shì)擴(kuò)張第4代SiC，羅姆2023年量產(chǎn)8英寸碳化硅襯底.

[11] 羅姆收購(gòu)日本一工廠！擴(kuò)產(chǎn)碳化硅功率器件.

[12] 羅姆：SiC產(chǎn)能將擴(kuò)25倍，以應(yīng)對(duì)460億市場(chǎng)需求.

[13] 碳化硅大廠的今天與明天之后.

[14] 碳化硅行業(yè)深度研究報(bào)告：能量轉(zhuǎn)換鏈的材料變革.

[15] 第三代半導(dǎo)體何時(shí)邁向大硅片？

[16] 碳化硅8英寸時(shí)代臨近，中國(guó)廠商不應(yīng)錯(cuò)過(guò)“早班車(chē)”

[17] Power SiC 2022, Market and Technology Report.

[18] 擴(kuò)產(chǎn)并購(gòu)之際，碳化硅生態(tài)迎來(lái)更多形式垂直合作.

（本文來(lái)源于EEPW 2023年10月期）