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三星導(dǎo)入最新黑科技 BSPDN技術(shù)曝光
- 三星為了與臺積電競爭大絕盡出，根據(jù)《韓國經(jīng)濟(jì)日報》報導(dǎo)，三星計劃采用最新「背面電軌」（BSPDN，又稱「晶背供電」）芯片制造技術(shù)，能讓2納米芯片的尺寸，相比傳統(tǒng)前端配電網(wǎng)絡(luò)（PDN）技術(shù)縮小17%。三星代工制程設(shè)計套件（PDK）開發(fā)團(tuán)隊副總裁Lee Sungjae近期向大眾揭露BSPDN細(xì)節(jié)，BSPDN相較于傳統(tǒng)前端配電網(wǎng)絡(luò)，可將芯片效能、功率分別提升8%、15%，而且三星預(yù)定在2027年量產(chǎn)2納米芯片時采用BSPDN技術(shù)。BSPDN被稱為次世代晶圓代工技術(shù)，該技術(shù)主要是將電軌置于硅晶圓被面，進(jìn)而排除電與
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目標(biāo)2026年量產(chǎn)，初探臺積電背面供電技術(shù)：最直接高效，但也更貴
- 7 月 4 日消息，根據(jù)工商時報報道，臺積電提出了更完善的背面供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）解決方案，所采用方式最直接、有效，但代價是生產(chǎn)復(fù)雜且昂貴。為什么要背面供電網(wǎng)絡(luò)？由于晶體管越來越小，密度越來越高，堆疊層數(shù)也越來越多，因此想要為晶體管供電和傳輸數(shù)據(jù)信號，需要穿過 10-20 層堆棧，大大提高了線路設(shè)計的復(fù)雜程度。背面供電技術(shù)（BSPDN）將原先和晶體管一同排布的供電網(wǎng)絡(luò)直接轉(zhuǎn)移到晶體管的背面重新排布，也是晶體管三維結(jié)構(gòu)上的一種創(chuàng)新。該技術(shù)可以在增加單位面積內(nèi)晶體管密度的同時，避免晶體管和電源網(wǎng)絡(luò)之間的信號
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臺積電背面電軌黑科技 供應(yīng)鏈價量齊揚
- 埃米時代來臨，背面電軌（BSPDN）成為先進(jìn)制程最佳解決方案，包括臺積電、英特爾、imec（比利時微電子研究中心）提出不同解方，鎖定晶圓薄化、原子層沉積檢測（ALD）及再生晶圓三大制程重點，相關(guān)供應(yīng)鏈包括中砂、天虹及升陽半導(dǎo)體等受惠。 背面電軌（BSPDN）被半導(dǎo)體業(yè)者喻為臺積電最強(qiáng)黑科技，成為跨入埃米時代最佳解決方案，預(yù)估2026年啟用。目前全球有三種解決方案，分別為imec的Buried Power Rail、Intel的PowerVia及臺積電的Super Power Rail。代工大廠皆開始透過設(shè)
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三星電子宣布其首個背面供電工藝節(jié)點 SF2Z 將于 2027 年量產(chǎn)
- IT之家 6 月 13 日消息，三星電子在北京時間今日凌晨舉行的三星代工論壇 2024 北美場上宣布，其首個采用 BSPDN（背面供電網(wǎng)絡(luò)）的制程節(jié)點 SF2Z 將于 2027 年量產(chǎn)推出。BSPDN 技術(shù)將芯片的供電網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)移至晶圓背面，與信號電路分離。此舉可簡化供電路徑，大幅降低供電電路對互聯(lián)信號電路的干擾。三大先進(jìn)制程代工廠目前均將背面供電視為工藝下一步演進(jìn)的關(guān)鍵技術(shù)：英特爾將于今年率先在其 Intel 20A 制程開始應(yīng)用其背面供電解決方案 PowerVia；臺積電則稱搭載其 Super
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消息稱三星背面供電芯片測試結(jié)果良好，有望提前導(dǎo)入
- IT之家 2 月 28 日消息，據(jù)韓媒 Chosunbiz 報道，三星電子近日在背面供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）芯片測試中獲得了好于預(yù)期的成果，有望提前導(dǎo)入未來制程節(jié)點。傳統(tǒng)芯片采用自下而上的制造方式，先制造晶體管再建立用于互連和供電的線路層。但隨著制程工藝的收縮，傳統(tǒng)供電模式的線路層越來越混亂，對設(shè)計與制造形成干擾。BSPDN 技術(shù)將芯片供電網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)移至晶圓背面，可簡化供電路徑，解決互連瓶頸，減少供電對信號的干擾，最終可降低平臺整體電壓與功耗。對于三星而言，還特別有助于移動端 SoC 的小型化。▲&n
- 關(guān)鍵字： 三星 BSPDN 芯片測試
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