比利時·蒙-圣吉貝爾，2019年5月13日– 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID，在2019年歐洲功率電子及智能傳動產(chǎn)品展覽會（PCIM 2019）上展示了最新的高溫柵極驅(qū)動器、碳化硅（SiC）MOSFET器件和IGBT功率模塊。PCIM 2019是全球領先的電力電子、智能傳動、可再生能源和能源管理展覽及會議。

CISSOID公司推出了一款新型柵極驅(qū)動器板，該板針對額定溫度為125°C（環(huán)境溫度）的62mm碳化硅MOSFET功率模塊進行了優(yōu)化。該板基于CISSOID的HADES柵極驅(qū)動器芯片組，還可以驅(qū)動IGBT功率模塊，同時可為汽車和工業(yè)應用中高密度功率轉(zhuǎn)換器的設計提供散熱空間。它支持高頻（> 100KHz）和快速的碳化硅MOSFET開關（dV/dt> 50KV/μs），從而可以提升功率轉(zhuǎn)換器的效率并減小其尺寸和重量。該板專為惡劣的電壓環(huán)境而設計，支持1200V和1700V功率模塊的驅(qū)動，隔離電壓高達3600V（經(jīng)過50Hz、1分鐘的耐壓測試），爬電距離為14mm。欠壓鎖定（UVLO）、有源米勒鉗位（AMC）和去飽和檢測等保護功能，確保一旦發(fā)生故障時既可以保證安全駕駛，還能為功率模塊提供可靠的保護?！斑@款新型碳化硅柵極驅(qū)動器板是與汽車、運輸和航空航天市場中的行業(yè)領導者們多年合作開發(fā)的成果。它結(jié)合了CISSOID在碳化硅器件方面的專業(yè)知識以及設計適應惡劣環(huán)境的芯片和電子系統(tǒng)方面的長期經(jīng)驗?！盋ISSOID工程副總裁Etienne Vanzieleghem 先生表示。

在紐倫堡，CISSOID還展示了最新的碳化硅MOSFET器件和IGBT功率模塊。一款新型分立式1200V/40mOhms碳化硅MOSFET晶體管已可供貨，其采用TO-247封裝，可以在-55°C至175°C的溫度范圍內(nèi)正常工作。該MOSFET在25°C（結(jié)溫）時，漏極到源極導通電阻是40mOhms，在175°C（結(jié)溫）時，導通電阻是75mOhms。很低的開關導通和關斷能量（分別為1mJ和0.4mJ）使該器件成為高效緊湊的DC-DC轉(zhuǎn)換器、功率逆變器和電池充電器的理想選擇。CISSOID公司還展示了兩款額定電流分別為200A和300A的62mm 1200V IGBT功率模塊。

CISSOID還在致力于研發(fā)碳化硅MOSFET功率模塊，并將在未來幾個月推出。“這些新產(chǎn)品表明CISSOID致力于提供全面的基于碳化硅的解決方案，包括晶體管、模塊和柵極驅(qū)動器，以支持行業(yè)在新型電動汽車和可再生能源應用中使用高效、輕便、緊湊的功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品，”CISSOID首席執(zhí)行官Dave Hutton先生表示。“我們正與整車廠和汽車零部件供應商密切合作，為新型碳化硅功率逆變器在新能源汽車中的應用定制柵極驅(qū)動器?！彼a充道。