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長鑫官方開賣DDR4/LPDDR4X內(nèi)存！單條8GB 2666MHz
- 對于國產(chǎn)軟硬件,我們從未如此期盼,幸運的是各項突破也是接踵而至,現(xiàn)在我們終于有了自己的內(nèi)存。長鑫存儲官方網(wǎng)站上,已經(jīng)公開列出了自家的DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4X內(nèi)存芯片,都符合國際通行標準規(guī)范。據(jù)介紹,長鑫DDR4內(nèi)存芯片可匹配主流市場需求,支持多領(lǐng)域應用、多產(chǎn)品組合,并有充分的可靠性保障,規(guī)格方面單顆容量8Gb(1GB),頻率2666MHz,電壓1.2V,工作溫度0℃至95℃,78ball、96ball FBGA兩種封裝樣式。長鑫特別強調(diào),這是第一顆國產(chǎn)的DDR4內(nèi)存芯片。根據(jù)此前消
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存 國產(chǎn) DDR4 LPDDR4X 長鑫存儲
美光推出面向移動應用、堪稱業(yè)內(nèi)容量最高的單片式內(nèi)存
- 新聞摘要：? 16Gb LPDDR4X改進了能耗、速度和業(yè)內(nèi)最高容量的單片式裸晶，它的推出進一步鞏固了美光在低功耗 DRAM 領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。? 基于 UFS 的多芯片封裝可在同等尺寸條件下降低功耗并增加容量，從而使手機設計更加輕巧美光科技股份有限公司（納斯達克股票代碼：MU）今天宣布推出業(yè)內(nèi)容量最高的單片式 16Gb 低功耗雙倍數(shù)據(jù)率 4X (LPDDR4X) DRAM。美光16Gb LPDDR4X 能夠在單個智能手機中提供高達 16GB1 的低功耗 DRAM (LPDRAM)，顯示了美光為當前和下一代
- 關(guān)鍵字： LPDDR4X 批量生產(chǎn)進入1z 納米 DRAM 工藝節(jié)點
三星量產(chǎn)第二代LPDDR4X內(nèi)存：功耗再降10%
- 根據(jù)外媒TechLookover的報道，三星第二代10nm級別工藝的LPDDR4X內(nèi)存已經(jīng)量產(chǎn)，相比第一代，雖然性能沒有提升，但是功耗再降10%，可使手機平板等移動設備更省電?！ ?jù)悉，三星電子今天宣布已開始批量生產(chǎn)業(yè)界首款第二代10納米級(1y-nm)LPDDR4X DRAM，降低當今高端智能手機和其他移動應用的電池消耗。 與當前旗艦移動設備中最常用的移動DRAM內(nèi)存芯片相比，第二代LPDDR4X DRAM的功耗降低了10%，同時保持了4266MHz的相同數(shù)據(jù)速率。 “10nm級移動DRAM的問
- 關(guān)鍵字： 三星 LPDDR4X
LPDDR4X成2017年移動式內(nèi)存的供貨主流
- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新研究顯示，為優(yōu)化智能手機的操作系統(tǒng)流暢度，廠商不斷升級行動式內(nèi)存版本。在三星、SK海力士及美光集團三大原廠的納米制程轉(zhuǎn)進及智能手機主流AP(應用處理器)的搭載需求下，LPDDR4X的產(chǎn)出比重持續(xù)增加，出貨數(shù)量在第二季開始將超越LPDDR4，且由于LPDDR4及LPDDR4X已呈同價趨勢，兩者和LPDDR3的價差都小于5%，也加速LPDDR4系列(含LPDDR4X)的導入速度，預估全年度LPDDR4系列將達到5成以上的市占率，正式取代LPDDR3成為
- 關(guān)鍵字： LPDDR4X LPDDR3
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