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          瑞薩電子推出業(yè)界首款客戶端時鐘驅(qū)動器CKD和第3代RCD以支持嚴(yán)苛的DDR5客戶端與服務(wù)器DIMMs應(yīng)用
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布面向新興的DDR5 DRAM服務(wù)器和客戶端系統(tǒng)推出客戶端時鐘驅(qū)動器（CKD）和第三代DDR5寄存時鐘驅(qū)動器（RCD）。憑借這些全新驅(qū)動器IC，瑞薩仍舊是唯一一家為雙列直插式存儲器模塊（DIMM）、主板和嵌入式應(yīng)用提供完整DDR5存儲器接口組合的供應(yīng)商。DDR5 CKD和DDR5 RCD IC使下一代DIMM的速度分別達(dá)到每秒7200MT/s和6400MT/s，相比目前5600MT/s的傳輸速度均有所提升。CKD支持高達(dá)7200MT/s的速度，是業(yè)內(nèi)首款與小型DIMM
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          • 關(guān)鍵字：
                        瑞薩  時鐘驅(qū)動器  RCD  DDR5  DIMM                          
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          瑞薩推出業(yè)界首款客戶端時鐘驅(qū)動器CKD和第3代RCD
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 新的注冊時鐘驅(qū)動器和客戶端時鐘驅(qū)動器IC率先支持速度高達(dá)6400MT/s的DDR5服務(wù)器和客戶端DIMM模塊?2023 年 6 月 28 日，中國北京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布面向新興的DDR5 DRAM服務(wù)器和客戶端系統(tǒng)推出客戶端時鐘驅(qū)動器（CKD）和第三代DDR5寄存時鐘驅(qū)動器（RCD）。憑借這些全新驅(qū)動器IC，瑞薩仍舊是唯一一家為雙列直插式存儲器模塊（DIMM）、主板和嵌入式應(yīng)用提供完整DDR5存儲器接口組合的供應(yīng)商。DDR5 CKD和DDR5 R
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          • 關(guān)鍵字：
                        瑞薩  時鐘驅(qū)動器  CKD  RCD                          
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          認(rèn)識反激中的RCD吸收電路
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　反激式開關(guān)電源結(jié)構(gòu)簡單，應(yīng)用廣泛，但其變壓器漏感大，開關(guān)管存在電壓尖峰，在大部分低功率應(yīng)用場合都會采用簡單易實現(xiàn)的RCD鉗位電路來減緩電壓尖峰，這里將簡單介紹RCD電路的工作原理以及如何確定鉗位電路中的參數(shù)。
　　單端反激式開關(guān)電源具有結(jié)構(gòu)簡單，輸入輸出電氣隔離，輸入電壓范圍寬，易于實現(xiàn)多路輸出，可靠性高，成本低等優(yōu)點而廣泛應(yīng)用于中小功率場合。但由于反激變壓器漏感影響，其功率開關(guān)管在關(guān)斷時將引起電壓尖峰，必須用鉗位電路加以抑制，因此RCD鉗位電路以其簡潔易實現(xiàn)多用于小功率場合。圖 1和圖 2分別為反
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          • 關(guān)鍵字：
                        RCD  吸收電路                          
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          關(guān)于UCC28600的RCD吸收回路的思考
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　文中給出RCD吸收的工作分析過程，并根據(jù)前文分析，在實際的設(shè)計過程中，列出我們需要注意的地方。
　　典型的RCD吸收回路如圖：
　　

 
　　下圖為RCD吸收的工作分析過程：
　　

 
　　t0-t1: 正向?qū)〞r間, 在Vds稍小于Vin+nV0時，二極管正向?qū)?，抑制漏感和Cds的諧振，開始向clamp充電。
　　t1-t2: 二極管導(dǎo)通，Cds Llk Cclamp 三者開始諧振，同時Rclamp 消耗部份能量。
　　R太小 在OFF時間 消耗能量過
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          • 關(guān)鍵字：
                        UCC28600  RCD                          
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          LED隔離輸出單級反激變換相控調(diào)光電路
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　采用Marvell?88EM8183的隔離輸出單級反激變換相控調(diào)光典型應(yīng)用電路工作原理圖如圖1所示。電路圖1中的電感L和電容C2起濾波作用，電阻R1和電容C1可以起部分無源泄放作用，適當(dāng)調(diào)節(jié)電阻R1和電容C1的參數(shù)可以確保前沿相控調(diào)光可控硅的可靠觸發(fā)，電阻R3和電容C3、二極管VD3組成RCD吸收回路，防止功率開關(guān)管VT漏極上出現(xiàn)高尖峰電壓而損壞功率開關(guān)管VT。負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻R2起電路過溫度保護(hù)功能，電阻RS起功率開關(guān)管VT的工作電流檢測功能，一旦電路出現(xiàn)負(fù)載短路或負(fù)載過電流故障，在電阻
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          • 關(guān)鍵字：
                        LED  RCD  88EM8183  VDD  201404                          
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          RCD鉗位電路基本原理分析及元件參數(shù)設(shè)計
          
                                                            
            
                    	
          • 1基本原理分析由于變壓器漏感的存在，反激變換器在開關(guān)管關(guān)斷瞬間會產(chǎn)生很大的尖峰電壓，使得開關(guān)管承受較高的...
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          • 關(guān)鍵字：
                        RCD  鉗位電路                          
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          RCD吸收電路的影響和設(shè)計方法（定性分析）
          
                                                            
            
                    	
          • 這回主要介紹RCD電路的影響。先分析過程：對應(yīng)電路模型：我們可以定性的分析一下電路參數(shù)的選擇對電路的暫態(tài)響...
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          • 關(guān)鍵字：
                        RCD  吸收電路                          
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          跟電源專家陶顯芳學(xué)電源技術(shù)（完）：RCD尖峰脈沖吸收電路參數(shù)計算舉例
          
                                                            
            
                    	
          • 1、開關(guān)變壓器初級線圈漏感Ls的計算反激式開關(guān)變壓器的漏感一般都比較大，漏感與初級線圈電感之比，大...
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          • 關(guān)鍵字：
                        RCD  尖峰脈沖  電路參數(shù)                          
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          一種反激變換器的RCD吸收回路設(shè)計與實現(xiàn)
          
                                                            
            
                    	
          • 　當(dāng)MOSFET關(guān)斷時，就會有一個高壓尖刺出現(xiàn)在其漏極上。這是由于主變壓器的漏感和MOSFET輸出電容諧振造成的，在漏極上過高的電壓可能會擊穿MOSFET，為此就必須增加一個附加電路來鉗制這個電壓。在此技術(shù)范圍，我們介紹反激變換器的RCD吸收回路。
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          • 關(guān)鍵字：
                        設(shè)計  實現(xiàn)  回路  吸收  RCD  變換器                          
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          RCD箝位反激變換器的設(shè)計與實現(xiàn)
          
                                                            
            
                    	
          • 摘要：論述了峰值電流控制RCD箝位反激變換器的原理，介紹了UC3843電流控制型脈寬調(diào)制器的各種設(shè)置，由UC3843構(gòu)成的逆變器輔助開關(guān)電源,具有電路簡單、易于多路輸出、過載與短路能力強(qiáng)、可靠性高等優(yōu)點。關(guān)鍵詞：電流
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          • 關(guān)鍵字：
                        實現(xiàn)  設(shè)計  變換器  RCD                          
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          開關(guān)電源設(shè)計之MOS管反峰及RCD吸收回路
          
                                                            
            
                    	
          • 對于一位開關(guān)電源工程師來說，在一對或多對相互對立的條件面前做出選擇，那是常有的事。而我們今天討論的這個話題就是一對相互對立的條件。（即要限制主MOS管最大反峰，又要RCD吸收回路功耗最?。? 在討論前我們先做
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          • 關(guān)鍵字：
                        吸收  回路  RCD  管反峰  設(shè)計  MOS  開關(guān)電源                          
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          電壓關(guān)斷型緩沖器（RCD Snubber）的基本類型及其工作原理
          
                                                            
            
                    	
          • 　　本文較深入地討論了兩種常用模式的RCD Snubber電路：抑制電壓上升率模式與電壓鉗位模式，詳細(xì)分析了其各自的工作原理，給出了相應(yīng)的計算公式，最后通過實驗提出了電路的優(yōu)化設(shè)計方法?！　CD Snubber電路的基本
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          • 關(guān)鍵字：
                        類型  及其  工作  原理  基本  Snubber  關(guān)斷型  緩沖器  RCD                          
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