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NXP推出N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品
- 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors，由飛利浦創(chuàng)立的獨立半導(dǎo)體公司)今日宣布推出全球首款N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品，型號為PSMN1R2-25YL，它擁有最低的導(dǎo)通電阻RDSon以及一流的FOM 參數(shù)。該產(chǎn)品是迄今為止采用Power-SO8封裝(無損耗封裝：LFPAK)中擁有最低導(dǎo)通電阻RDSon的MOSFET，也是恩智浦現(xiàn)有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封裝與最新Trench 6硅技術(shù)于一體，可在各種嚴(yán)苛應(yīng)用條件下
- 關(guān)鍵字： NXP MOSFET PSMN1R2-25YL Power-SO8
Diodes推出新型MOSFET 半橋器件
- Diodes 公司推出四款半橋MOSFET 封裝，為空間受限的應(yīng)用減少了元件數(shù)量和PCB尺寸，極大地簡化了直流風(fēng)扇和 CCFL 逆變器電路設(shè)計。 Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)指出：“ZXMHC 元件為SO8封裝，包含兩對互補N型和P型MOSFET，可取代四個分立式SOT23封裝的MOSFET或兩個SO8 互補MOSFET 封裝。對于現(xiàn)有不同類型的電機或其它感性負載驅(qū)動裝置來說，這意味著可節(jié)省至少一半的PCB占板面積，同時大幅降低整體存貨成本。” ZXM
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET 半橋器件 ZXMHC SO8
意法半導(dǎo)體推出采用SO8窄封裝的SPI串口EEPROM存儲器芯片
- 意法半導(dǎo)體推出一款采用外殼寬度僅為150-mil (3.8mm)的微型SO8N封裝、支持SPI（串行外設(shè)接口）總線的1兆位串口EEPROM存儲器芯片— 目前市場上唯一的在如此小的封裝內(nèi)放進如此高密度的SPI串口EEPROM存儲器。除窄封裝外，新產(chǎn)品M95M01還有一個SO8W寬封裝版。該產(chǎn)品是為參數(shù)快速變化的存儲應(yīng)用專門設(shè)計的，例如：數(shù)字電視、DVD影碟機、游戲機以及醫(yī)療設(shè)備、工控機、汽車信息娛樂和計算機外設(shè)等。存儲密度從1千位一直到1兆位，ST的
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 意法半導(dǎo)體 SO8 SPI串口 模擬IC 傳感器 執(zhí)行器
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