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Vishay推出業(yè)內最小-20V P溝道Gen III MOSFET

2013 年 12 月5 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出業(yè)界首款采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT?封裝尺寸的-20V器件---Si8851EDB，擴展其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
關鍵字： Vishay Si8851EDB 導通電阻

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