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2019年全球Flash支出達(dá)260億美元　連續(xù)3年高于DRAM與晶圓代工支出

盡管隨著主要存儲(chǔ)器業(yè)者已完成或即將完成Flash存儲(chǔ)器產(chǎn)量擴(kuò)增計(jì)劃，2019年全球半導(dǎo)體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出將會(huì)大幅下滑，但該支出金額仍然會(huì)繼續(xù)高于各業(yè)者在DRAM與晶圓代工業(yè)務(wù)上的支出?！　CInsights最新資料顯示，2016年全球半導(dǎo)體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出金額為144億美元，低于同年晶圓代工業(yè)務(wù)資本支出金額的219億美元。　
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美光行使認(rèn)購(gòu)期權(quán)，收購(gòu)在IM Flash Technologies 合資公司中的剩余股份

　　美光科技股份有限公司(納斯達(dá)克股票代碼：MU)今日宣布公司正在行使其認(rèn)購(gòu)期權(quán)，收購(gòu)英特爾在雙方合資公司 IM Flash Technologies, LLC (簡(jiǎn)稱(chēng)“IM Flash”) 中的權(quán)益。2018 年 10 月 18 日，美光宣布了其行使期權(quán)的意向。　　“收購(gòu) IM Flash 將使美光加速研發(fā)進(jìn)程，并優(yōu)化 3D Xpoint 制造計(jì)劃，”美光科技總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 說(shuō)?！蔼q他州的工廠(chǎng)將幫助我們提升生產(chǎn)制造柔性，配備高技術(shù)型人才隊(duì)伍，以推動(dòng) 3D Xpo
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真正的汽車(chē)0級(jí)EEPROM支持下一代汽車(chē)特性

對(duì)于可擦除的、非易失性的存儲(chǔ)，業(yè)界已經(jīng)在兩項(xiàng)技術(shù)上進(jìn)行了標(biāo)準(zhǔn)化：Flash(閃存)和EEPROM。在某些方面，EEPROM被視為過(guò)時(shí)的方案，但它在一些具有特定需求的應(yīng)用中提供顯著的優(yōu)勢(shì)，例如當(dāng)數(shù)據(jù)的保留被視為安全至上時(shí)，EEPROM將是首選，因此十分適用于汽車(chē)電子等領(lǐng)域。
關(guān)鍵字： EEPROM Flash 汽車(chē) 1級(jí) 201812

H-Jtag V1.0 燒寫(xiě)NOR Flash

H-Jtag V1.0 燒寫(xiě)NOR Flash
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DSP硬件設(shè)計(jì)需要知道的注意事項(xiàng)知多少？

數(shù)字信號(hào)處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時(shí)鐘性能超過(guò)100MHZ)和高速先進(jìn)外圍設(shè)備，通過(guò)CMOS處理技術(shù)，DSP芯片的功耗越來(lái)越低。這些巨大的進(jìn)步增加了D
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一招教你如何使用嵌入式參數(shù)代碼

如果有幾個(gè)設(shè)置參數(shù)需要存儲(chǔ)到Flash中，我們一般會(huì)怎么存儲(chǔ)呢?將不同的參數(shù)都存儲(chǔ)到不同的頁(yè)中，還是將這幾個(gè)參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體，每次修改都同時(shí)寫(xiě)
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詳解嵌入式中參數(shù)存儲(chǔ)的一種方式

如果有幾個(gè)設(shè)置參數(shù)需要存儲(chǔ)到Flash中，我們一般會(huì)怎么存儲(chǔ)呢?將不同的參數(shù)都存儲(chǔ)到不同的頁(yè)中，還是將這幾個(gè)參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體，每次修改都同時(shí)寫(xiě)
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對(duì)STM32的flash進(jìn)行操作的一些要點(diǎn)

說(shuō)到STM32的flash，我們的第一反應(yīng)是用來(lái)裝程序的，實(shí)際上，STM32的片內(nèi)FLASH不僅用來(lái)裝程序，還用來(lái)裝芯片配置、芯片ID、自舉程序等等。當(dāng)然， FLAS
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ARM平臺(tái)數(shù)據(jù)為何會(huì)莫名其妙丟失

　　Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線(xiàn)性宏單元模式存儲(chǔ)器，為固態(tài)大容量存儲(chǔ)的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-Flash存儲(chǔ)器具有容量大，改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而越來(lái)越廣泛地應(yīng)用在如嵌入式產(chǎn)品、智能手機(jī)、云端存儲(chǔ)資料庫(kù)等業(yè)界各領(lǐng)域。　　　　圖1 Nand-Flash與eMMC芯片　　1.1存儲(chǔ)器件使用壽命　　使用了Nand-Flash的主板出現(xiàn)丟數(shù)據(jù)掉程序現(xiàn)象，是一個(gè)讓無(wú)數(shù)工程師毛骨悚然的
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STM32的flash知識(shí)詳解

　　說(shuō)到STM32的flash，我們的第一反應(yīng)是用來(lái)裝程序的，實(shí)際上，STM32的片內(nèi)FLASH不僅用來(lái)裝程序，還用來(lái)裝芯片配置、芯片ID、自舉程序等等。當(dāng)然， FLASH還可以用來(lái)裝數(shù)據(jù)?！　LASH分類(lèi)　　根據(jù)用途，STM32片內(nèi)的FLASH分成兩部分：主存儲(chǔ)塊、信息塊。主存儲(chǔ)塊用于存儲(chǔ)程序，我們寫(xiě)的程序一般存儲(chǔ)在這里。信息塊又分成兩部分：系統(tǒng)存儲(chǔ)器、選項(xiàng)字節(jié)。系統(tǒng)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)用于存放在系統(tǒng)存儲(chǔ)器自舉模式下的啟動(dòng)程序(BootLoader)，當(dāng)使用ISP方
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兆易創(chuàng)新獲中芯支援?dāng)U產(chǎn)Nor Flash 短期恐對(duì)價(jià)格沖擊有限

　　據(jù)報(bào)導(dǎo)， Nor Flash 生產(chǎn)大廠(chǎng)兆易創(chuàng)新(Gigadevice)搶進(jìn) Nor Flash 市場(chǎng)，獲得代工龍頭中芯國(guó)際(SMIC)的支持，將提供兆易創(chuàng)新每月 2.5 萬(wàn)片，占全球 Nor Flash 約 30% 的產(chǎn)能，進(jìn)一步威脅臺(tái)灣大廠(chǎng)旺宏與華邦電。　　不過(guò)，根據(jù)《科技新報(bào)》獨(dú)家取得的消息，中芯國(guó)際供應(yīng)兆易創(chuàng)新的產(chǎn)能，僅為每月一萬(wàn)片。雖然對(duì)當(dāng)前市場(chǎng)的供貨有所幫助，但是對(duì)價(jià)格的沖擊，短期可能有限。　　存儲(chǔ)器業(yè)者透露表示，預(yù)定 2018 年第 1 季在兆易創(chuàng)新獲得中芯國(guó)際支持的產(chǎn)能陸續(xù)投片，
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東芝營(yíng)益飆升近80% 將加碼投資Flash

　　東芝(Toshiba)9日公布財(cái)報(bào)，受惠于存儲(chǔ)器需求暢旺，營(yíng)益飆升將近80%。該公司并宣布將加碼投資存儲(chǔ)器。　　法新社、路透社、金融時(shí)報(bào)報(bào)導(dǎo)，東芝發(fā)布本財(cái)年第二季(7~9月)財(cái)報(bào)，營(yíng)收年增2.4%至1.24萬(wàn)億日?qǐng)A，營(yíng)益飆升76%至1,351億日?qǐng)A(12億美元)，高于路透訪(fǎng)調(diào)估計(jì)的1,245日?qǐng)A。不過(guò)該季仍呈現(xiàn)虧損，凈損1,001億日?qǐng)A。　　東芝營(yíng)益大增，主因存儲(chǔ)器表現(xiàn)強(qiáng)勁，不過(guò)東芝已經(jīng)同意出售半導(dǎo)體事業(yè)子公司“東芝存儲(chǔ)器”(TMC)給予貝恩資本和SK海力士等集團(tuán)，代價(jià)
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芯片加密后究竟能不能再次使用？

　　隨著信息技術(shù)的發(fā)展，信息的載體-芯片的使用也越來(lái)越多了，隨之而來(lái)的芯片安全性的要求也越來(lái)越高了，各個(gè)芯片廠(chǎng)商對(duì)芯片保密性要求越來(lái)越高，芯片的加密，保證了芯片中的信息的安全性。經(jīng)常有客戶(hù)打電話(huà)過(guò)來(lái)問(wèn)，這個(gè)芯片加密了還能不能用啊。本文通過(guò)對(duì)芯片的加密的介紹來(lái)看看不同的Flash，MCU以及DSP加密的效果?！　∫弧lash類(lèi)型芯片的加密　　Flash類(lèi)芯片(包括SPI?FLASH?,并行FLASH，NAND?FLASH等)加密后一般情況下都是禁止“寫(xiě)”以及“擦除”操作，通過(guò)
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CAM350不可不知的兩大應(yīng)用技巧

CAM350不可不知的兩大應(yīng)用技巧-有些資料的文字層有很多文字框，且文字框到線(xiàn)路PAD 間距不滿(mǎn)足制程能力時(shí)；當(dāng)資料有大面積銅箔覆蓋，線(xiàn)路或PAD與銅皮的距離不在制作要求之內(nèi)，且外型尺寸又較大時(shí)...可借鑒本文的處理方法
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Nand Flash編程應(yīng)用難點(diǎn)淺析

　　Nand Flash存儲(chǔ)器是flash存儲(chǔ)器的一種，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。　　1989年，東芝公司發(fā)表了Nand Flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。經(jīng)過(guò)十幾年的發(fā)展，NAND應(yīng)用越來(lái)越廣泛，但是大多數(shù)工程師卻仍然不知道關(guān)于NAND應(yīng)用的一些難點(diǎn)：分區(qū)、ECC糾錯(cuò)、壞塊管理等。只有真正了
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