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          一招教你如何使用嵌入式參數(shù)代碼，入門必懂知識
          
                                                            
            
                    	
          • 一招教你如何使用嵌入式參數(shù)代碼，入門必懂知識-如果有幾個設置參數(shù)需要存儲到Flash中，我們一般會怎么存儲呢？將不同的參數(shù)都存儲到不同的頁中，還是將這幾個參數(shù)捆綁成一種結構體，每次修改都同時寫入一次呢？將參數(shù)存儲到固定的地址，則每個參數(shù)都將占用Flash的一個塊。而將全部參數(shù)捆綁一起存入Flash塊中，那么只有一個參數(shù)修改時，也需要將全部參數(shù)一起存一遍。那么有什么更好的方法嗎？
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          • 關鍵字：
                        ram  flash  源代碼                          
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          1970-2017 DRAM芯片市場的生死搏殺
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 自1970年，美國英特爾的半導體晶體管DRAM內存上市以來，已經過去47年，美國、日本、德國、韓國、中國臺灣的選手，懷揣巨額籌碼，高高興興地走進來，卻在輸光光之后黯然離場。目前，只有韓國三星和海力士，占據(jù)絕對壟斷地位，在DRAM市場呼風喚雨，賺得盆滿缽滿。
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          • 關鍵字：
                        DRAM  Flash                          
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          Flash產能不給力 UFS稱霸江湖夢碎
          
                                                            
            
                    	
          • UFS普及并不缺乏機會，F(xiàn)lash產能的困境能否早日抒解，成為真正影響UFS茁壯的關鍵因素了。
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          • 關鍵字：
                        Flash  UFS                          
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          基于ZigBee技術的家居智能無線網(wǎng)絡系統(tǒng)
          
                                                            
            
                    	
          • 介紹了一種基于ZigBee技術的智能家居無線網(wǎng)絡系統(tǒng)。重點闡述了該系統(tǒng)的組成、通訊協(xié)議以及無線節(jié)點的軟硬件設計。
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          • 關鍵字：
                        UART  ZigBee  ACLK  Flash                          
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          基于FPGA的測量數(shù)據(jù)存儲交換技術
          
                                                            
            
                    	
          • 以AT45DB041B為例，將FPGA和大容量串行flash存儲芯片的優(yōu)點有效地結合起來，實現(xiàn)了FPGA對串行存儲芯片的高效讀寫操作，完成了對大量測量數(shù)據(jù)的存儲處理和與上位機的交換，并在某電力局項目工頻場強環(huán)境監(jiān)測儀中成功應用。
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          • 關鍵字：
                        Flash  串行存儲  FPGA                          
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          基于FPGA的水聲信號高速采集存儲系統(tǒng)的設計與實現(xiàn)
          
                                                            
            
                    	
          •  介紹了一種基于FPGA的水聲信號數(shù)據(jù)采集與存儲系統(tǒng)的設計與實現(xiàn),給出了系統(tǒng)的總體方案,并對各部分硬件和軟件的設計進行了詳細描述。系統(tǒng)以FPGA作為數(shù)據(jù)的控制處理核心,以存儲容量達2 GB的大容量NAND型Flash作為存儲介質。該系統(tǒng)主要由數(shù)據(jù)采集模塊、數(shù)據(jù)存儲模塊和RS-232串行通信模塊組成,具有穩(wěn)定可靠、體積小、功耗低、存儲容量大等特點,實驗證明該系統(tǒng)滿足設計要求。
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          • 關鍵字：
                        數(shù)據(jù)采集  Flash  FPGA                          
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          FPGA最小系統(tǒng)之：最小系統(tǒng)電路分析
          
                                                            
            
                    	
          • FPGA的管腳主要包括：用戶I/O（User I/O）、配置管腳、電源、時鐘及特殊應用管腳等。其中有些管腳可有多種用途，所以在設計FPGA電路之前，需要認真的閱讀相應FPGA的芯片手冊。
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          • 關鍵字：
                        Cyclone  Altera  Flash  FPGA  CPLD  SDRAM  FPGA最小系統(tǒng)                          
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          FPGA最小系統(tǒng)之：最小系統(tǒng)的概念
          
                                                            
            
                    	
          • FPGA最小系統(tǒng)是可以使FPGA正常工作的最簡單的系統(tǒng)。它的外圍電路盡量最少，只包括FPGA必要的控制電路。一般所說的FPGA的最小系統(tǒng)主要包括：FPGA芯片、下載電路、外部時鐘、復位電路和電源。如果需要使用NIOS II軟嵌入式處理器還要包括：SDRAM和Flash。一般以上這些組件是FPGA最小系統(tǒng)的組成部分。
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          • 關鍵字：
                        FPGA最小系統(tǒng)  Altera  NiosII  Flash  SDRAM                          
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          SPI Flash M25P32 的TFFS文件系統(tǒng)的設計與實現(xiàn)
          
                                                            
            
                    	
          • TFFS文件系統(tǒng)中的Core Layer內核層可將其他層連接起來協(xié)同工作；翻譯層主要實現(xiàn)DOS和TFFS之間的交互、管理文件系統(tǒng)和Flash各個物理塊的關系，同時支持TFFS的各種功能，如磨損均衡、錯誤恢復等；MTD層執(zhí)行底層的程序驅動(map、read、write、erase等)；socket層的名稱來源于可以插拔的socket存儲卡，主要提供與具體的硬件板相關的驅動。
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          • 關鍵字：
                        文件系統(tǒng)  Flash  SOCKET                          
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          Flash硬件接口和程序設計中的關鍵技術
          
                                                            
            
                    	
          • 閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、制造成本低、使用方便等諸多優(yōu)點廣泛地應用于辦公設備、通信設備、醫(yī)療設備、家用電器等領域。介紹了Flash的使用方法，并給出了單片機與閃速存儲器接口和程序設計中應注意的關鍵技術。
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          • 關鍵字：
                        編程  接口  Flash  擦除                          
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          大容量NOR Flash與8位單片機的接口設計
          
                                                            
            
                    	
          • Flash存儲器又稱閃速存儲器，是20世紀80年代末逐漸發(fā)展起來的一種新型半導體不揮發(fā)存儲器。它兼有RAM和ROM的特點，既可以在線擦除、改寫，又能夠在掉電后保持數(shù)據(jù)不丟失。NOR Flash是Flash存儲器中最早出現(xiàn)的一個品種，與其他種類的Flash存儲器相比具有以下優(yōu)勢：可靠性高、隨機讀取速度快，可以單字節(jié)或單字編程，允許CPU直接從芯片中讀取代碼執(zhí)行等。因此NOR Flash存儲器在嵌入式系統(tǒng)應用開發(fā)中占有非常重要的地位。本文以SST公司的NOR Flash芯片SST39SF040和MCS-51單
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          • 關鍵字：
                        NOR  Flash  接口  單片機                          
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          F1aSh存儲器在TMS320C3X系統(tǒng)中的應用
          
                                                            
            
                    	
          •        以基于TMS320C32 DSP開發(fā)的故障錄波裝置為模型，介紹AMD公司的Flash存儲器Am29F040摘 要 的原理和應用；利用它的操作過程實現(xiàn)斷電后仍然可以將子程序保存在F1ash存儲器內的特 性，結合TMS320C3x提出實現(xiàn)DSP系統(tǒng)上電后用戶程序的自動引導的方法。 
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          • 關鍵字：
                        DSP  Flash  TI                          
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          Flash數(shù)據(jù)丟失，說好的數(shù)據(jù)去哪了？
          
                                                            
            
                    	
          • 芯片貼板后跑不起來？Flash里面的數(shù)據(jù)在使用過程中莫名改變或不翼而飛？程序丟失可能無法正常運行，從而造成整個系統(tǒng)崩潰，下面我們來看看是什么原因讓數(shù)據(jù)異常變化。
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          • 關鍵字：
                        電源電壓  Flash  MCU                          
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          麥格理分析師：DRAM和Flash價格會持續(xù)漲到年底
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)外媒報道，存儲芯片市場上周出現(xiàn)降溫雜音，麥格理分析師Daniel Kim提出反駁。
　　他認為下半年DRAM和NAND價格仍會續(xù)漲，有利美光、西部數(shù)據(jù)、三星、南亞科、力成、東芝和SK海力士股價。
　　據(jù)巴隆周刊(Barron's)報導，Daniel Kim發(fā)布報告說：「所有數(shù)據(jù)和消息都表明存儲芯片市場今年下半年會比預期更強。 」他看好存儲芯片價格會持續(xù)漲到今年底。
　　整體來說，Daniel Kim認為芯片價格上漲，即暴露看空論點的瑕疵。
　　他指出，建構數(shù)據(jù)中心的廠商「重視的是系統(tǒng)的表現(xiàn)而
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                        DRAM  Flash                          
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          盤點+分析：Flash原廠2016年財報
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 2016年Flash原廠加速向3D NAND切換，除了研發(fā)成本增加，切換過程中也很容易出現(xiàn)產能損失，同時還需要更新舊設備，增加新設備，以及擴大生產空間，從而導致Flash原廠NAND Flash產出減少，以及投資成本增加。
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                        Flash  三星                          
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