arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過文章進(jìn)入arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過技術(shù)社區(qū)

美光第二代3D NAND年底大規(guī)模量產(chǎn)

　　今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價(jià)救了美光公司，他們本周一正式收購(gòu)了華亞科公司，內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個(gè)好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過2D NAND閃存，第一代3D NAND閃存的成本也符合預(yù)期，堆棧層數(shù)達(dá)到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了，今年底就要大規(guī)模量產(chǎn)了。　　對(duì)于3D NAND閃存，我們并不陌生，現(xiàn)在市場(chǎng)上很多SSD都轉(zhuǎn)向了3D NAND閃存，不論是性能還是容量或者是寫入壽命，3D NAND閃存都要比傳統(tǒng)2
關(guān)鍵字：美光 NAND

?NAND缺口達(dá)顛峰　推升SSD價(jià)漲逾10%

　　DRAMeXchange最新研究顯示，受惠于強(qiáng)勁的智慧型手機(jī)出貨、eMMC/eMCP平均搭載容量提升及SSD的穩(wěn)健成長(zhǎng)，第四季NAND Flash缺貨情況達(dá)今年最高峰，各產(chǎn)品別價(jià)格續(xù)創(chuàng)年度新高，預(yù)估缺貨態(tài)勢(shì)將持續(xù)至2017年第1季，屆時(shí)企業(yè)級(jí)與用戶級(jí)SSD合約價(jià)漲幅將超過10%，行動(dòng)式相關(guān)產(chǎn)品的eMMC/UFS價(jià)格漲幅將更高。　　今年第四季NAND Flash通路端顆粒與wafer價(jià)格創(chuàng)下年度新高、eMMC/UFS合約價(jià)季漲幅9～13%，企業(yè)級(jí)與用戶級(jí)SSD合約價(jià)也上漲5～10%。　　DRAM
關(guān)鍵字： ?NAND SSD

不甘心三星拿下NAND市場(chǎng)最大份額 Intel推出市場(chǎng)最低價(jià)產(chǎn)品

　　三星在手機(jī)市場(chǎng)遭遇一定挫折，不過由于全球手機(jī)的出貨量成長(zhǎng)以及對(duì)更大容量的內(nèi)存和存儲(chǔ)的需求卻讓它在NAND Flash市場(chǎng)成為大贏家，據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)顯示營(yíng)收同比增長(zhǎng)20.6%，市占率提升到36.6%創(chuàng)下新高。　　目前3D NAND技術(shù)正日益受到各方的歡迎，由于它相較2D NAND技術(shù)可以提供提高存儲(chǔ)器的容量及寬度，在采用更低工藝的情況下卻可以提供遠(yuǎn)比工藝更高2D NAND技術(shù)數(shù)倍容量，例如采用16nm工藝的2D NAND存儲(chǔ)器容量為64GB，而采用21nm工藝的三星 48層3D NAN
關(guān)鍵字： Intel NAND

三星Q3穩(wěn)居全球NAND市占王，東芝開倒車、被遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩開

　　三星憑藉著技術(shù)優(yōu)勢(shì)，NAND快閃存儲(chǔ)器市占率逐季甩開東芝等競(jìng)爭(zhēng)者的糾纏，龍頭位置越座越穩(wěn)。　　市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新數(shù)據(jù)顯示，三星第三季NAND存儲(chǔ)器營(yíng)收來(lái)到37.44億美元，市占率較前季進(jìn)步0.3個(gè)百分點(diǎn)至36.6%。(韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)) 　　同期間，東芝NAND存儲(chǔ)器營(yíng)收為20.26億美元，市占率較前季下滑0.3個(gè)百分點(diǎn)成為19.6%，落后三星幅度從前季的16.2%擴(kuò)大至16.8%，此為歷史新高水平。　　剛完成并購(gòu)SanDisk的Western Digital市占率達(dá)17.1%
關(guān)鍵字：三星 NAND

[ARM筆記]驅(qū)動(dòng)對(duì)設(shè)備的識(shí)別過程及實(shí)例——NAND Flash

　　驅(qū)動(dòng)程序識(shí)別設(shè)備時(shí)，有以下兩種方法：　　(1)驅(qū)動(dòng)程序本身帶有設(shè)備信息，比如開始地址、中斷號(hào)等;加載驅(qū)動(dòng)程序時(shí)，就可以根據(jù)這些信息來(lái)識(shí)別設(shè)備?！　?2)驅(qū)動(dòng)程序本身沒有設(shè)備信息，但是內(nèi)核中已經(jīng)(或以后)根據(jù)其他方式確定了很多設(shè)備的信息;加載驅(qū)動(dòng)程序時(shí)，將驅(qū)動(dòng)程序與這些設(shè)備逐個(gè)比較，確定兩者是否匹配(math)。如果驅(qū)動(dòng)程序與某個(gè)設(shè)備匹配，就可以通過該驅(qū)動(dòng)程序來(lái)操作這個(gè)設(shè)備了。　　內(nèi)核常使用第二種方法來(lái)識(shí)別設(shè)備，這可以將各種設(shè)備集中在一個(gè)文件中管理，當(dāng)開發(fā)板的配置改變時(shí)，便于修改代碼。在內(nèi)核文件incl
關(guān)鍵字： NAND 驅(qū)動(dòng)

NAND Flash供不應(yīng)求，第三季品牌商營(yíng)收大幅季成長(zhǎng)19.6%

　　TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新調(diào)查顯示，受惠于智能手機(jī)需求強(qiáng)勁，及供給端2D-NAND 轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND 所導(dǎo)致的整體產(chǎn)出減少，第三季NAND Flash開始漲價(jià)，使得NAND Flash原廠營(yíng)收季成長(zhǎng)19.6%，營(yíng)業(yè)利益率也較上季大幅進(jìn)步。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，第四季各?xiàng)終端設(shè)備出貨進(jìn)入今年最高峰，預(yù)估整體NAND Flash供不應(yīng)求的市況將更為顯著，各項(xiàng)NAND Flash產(chǎn)品的合約價(jià)漲幅將更高，廠商的營(yíng)收
關(guān)鍵字： NAND Flash 英特爾

u-boot-在2440上的移植詳解（一）

　　一、移植環(huán)境　　主機(jī)：VMWare--Fedora 9　　開發(fā)板：Mini2440--64MB Nand,Kernel:2.6.30.4　　編譯器：arm-linux-gcc-4.3.2.tgz　　u-boot：u-boot-2009.08.tar.bz2　　二、移植步驟　　本次移植的功能特點(diǎn)包括：　　支持Nand Flash讀寫　　支持從Nor/Nand Flash啟動(dòng)　　支持CS8900或者DM9000網(wǎng)卡　　支持Yaffs文件系統(tǒng)　　支持USB
關(guān)鍵字： u-boot 2440

SSD價(jià)格2016年來(lái)首度大漲，明年第一季價(jià)格估將持續(xù)走升

　　TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新調(diào)查顯示，2016年第四季主流容量PC-Client OEM SSD(固態(tài)硬盤)合約均價(jià)近一年來(lái)首度大漲，在MLC-SSD部分，季漲幅達(dá)6～10%，TLC-SSD部分則上漲6～9%。展望2017年第一季，雖然終端產(chǎn)品實(shí)際銷售狀況仍保守，但由于非三星陣營(yíng)的原廠仍處于3D-NAND Flash轉(zhuǎn)換陣痛期，及龍頭廠商持續(xù)以提升獲利為主要策略下，預(yù)估2017年第一季PC-Client OEM SSD 主流容量合約價(jià)仍將持
關(guān)鍵字： SSD NAND

GNU ARM匯編--(十九)u-boot-nand-spl啟動(dòng)過程分析

在理解bootloader后,花些時(shí)間重新學(xué)習(xí)了開源軟件的makefile和相關(guān)腳本之后,自己的u-boot移植工作也比較順利的完成了:移植
關(guān)鍵字： ARM匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過

GNU ARM匯編--(十八)u-boot-采用nand_spl方式的啟動(dòng)方法

在《GNUARM匯編--(十七)u-boot的makefile和mkconfig解讀》中分析完u-boot-201207的makefile以及mkconfig腳本后,發(fā)現(xiàn)一個(gè)現(xiàn)象:在
關(guān)鍵字： ARM匯編u-boot啟動(dòng)方

GNU ARM匯編--(十七)u-boot的makefile和mkconfig解讀

自己寫的bootloader可以引導(dǎo)kernel了,我以為曾經(jīng)神秘的u-boot代碼將變得毫無(wú)挑戰(zhàn),然事實(shí)表明u-boot作為優(yōu)秀的開源代碼,閱讀起來(lái)還是
關(guān)鍵字： ARM匯編u-bootmakefilemkconfi

fl2440使用u-boot-1.1.6原版串口沒信息問題

問題描述：硬件條件：fl2440開發(fā)板jtag下載器串口接在com11152008n1軟件條件：官方原版u-boot-116arm-linux-gcc-332make
關(guān)鍵字： fl2440u-boot-1.1.6原版串口沒信息問

嵌入式Linux之我行——u-boot-2009.08在2440上的移植詳解（三）

一、移植環(huán)境主機(jī)：VMWare--Fedora9開發(fā)板：Mini2440--64MBNand,Kernel:2.6.30.4編譯器：arm-linux-gcc-4.3.2.tgzu-boot：u-boot-200...
關(guān)鍵字： Linuxu-boot-244

大陸存儲(chǔ)器需求進(jìn)展超預(yù)期東芝經(jīng)營(yíng)壓力暫時(shí)松口氣

　　日本存儲(chǔ)器大廠東芝(Toshiba)主要的獲利支柱的智能手機(jī)存儲(chǔ)器因市場(chǎng)需求大，帶動(dòng)價(jià)格上揚(yáng)，2016上半會(huì)計(jì)年度(4~9月)的財(cái)報(bào)也因而受惠，表現(xiàn)亮眼。　　東芝財(cái)務(wù)長(zhǎng)平田政善在11日東芝財(cái)報(bào)記者會(huì)上說明，由于大陸智能手機(jī)對(duì)于大容量存儲(chǔ)器需求殷切，東芝NAND Flash事業(yè)獲利超出預(yù)期。　　平田表示，在當(dāng)今智能手機(jī)大打硬件規(guī)格戰(zhàn)，競(jìng)爭(zhēng)激烈的情況下，大陸本土手機(jī)業(yè)者推出的手機(jī)較當(dāng)初預(yù)期更早進(jìn)入64GB、128GB階段，是東芝始料未及的趨勢(shì)。根據(jù)日經(jīng)調(diào)查，目前市況單一標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格存儲(chǔ)器約3美元，價(jià)格
關(guān)鍵字：東芝 NAND

SK海力士本月底將量產(chǎn)48層3D NAND Flash

　　據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，傳聞SK海力士(SK Hynix)先前測(cè)試生產(chǎn)的48層3D NAND Flash產(chǎn)品已通過客戶端認(rèn)證，最快將從11月底正式啟動(dòng)量產(chǎn);以12吋晶圓計(jì)算的月產(chǎn)能可望提高到2萬(wàn)~3萬(wàn)片，3D NAND Flash的生產(chǎn)比重也將提高至整體NAND Flash的15%。　　業(yè)界除了三星電子(Samsung Electronics)已從2015年第4季起開始量產(chǎn)48層產(chǎn)品之外，其他如東芝(Toshiba)、美光(Micron)等，目前都尚未突破技術(shù)瓶頸，SK海力士將是第二家進(jìn)入量產(chǎn)的業(yè)者。
關(guān)鍵字： SK海力士 NAND

共1179條 24/79 |‹ « 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 » ›|

arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過的理解，并與今后在此搜索arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過的朋友們分享。創(chuàng)建詞條