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日本半導體和液晶生產(chǎn)復蘇 廠家暑期加班應對
- 據(jù)日本媒體報道，日本近期半導體和液晶面板的生產(chǎn)水平得到回升，大型電器生產(chǎn)廠家紛紛決定利用暑期休假時間加班加點進行生產(chǎn)。由于環(huán)保積分制度促進數(shù)碼家電銷量增長等因素，市場需求得到恢復，庫存調(diào)整也取得進展。生產(chǎn)水平的回升一旦上了軌道，這些企業(yè)的業(yè)績有望得到好轉(zhuǎn)，也可能為日本國內(nèi)經(jīng)濟帶來一股活力。 在液晶生產(chǎn)領域擁有主導權的夏普公司旗下龜山第二工廠的液晶面板生產(chǎn)線暑期照常開工。該工廠從8月起將液晶面板產(chǎn)能提高約10%，在建中的堺市新工廠也將于10月起按預定計劃開工。 東芝公司旗下生產(chǎn)用于手機等的&
- 關鍵字： 夏普 液晶面板 半導體 NAND
東芝大砍6成芯片支出 轉(zhuǎn)加強電力及基礎建設
- 8月6日消息，日本芯片制造業(yè)龍頭東芝(Toshiba)周三表示，由于公司芯片業(yè)務資本支出增長將減緩，并尋求擴張核能發(fā)電及智能型電網(wǎng)業(yè)務，3年后其電力及基礎建設業(yè)務的獲利，將達電子產(chǎn)品部的2倍。 東芝的半導體部門已連續(xù)3季出現(xiàn)營業(yè)虧損，使其減緩該部門支出，并在其它領域?qū)で蠊潭I收來源，例如健康醫(yī)療及水處理等。 東芝目前預期，包含微芯片、傳感器及液晶顯示器(LCD)等電子產(chǎn)品部門于2012年3月底結束的會計年度，獲利將達約1000億日元(10億美元);而屆時社會基礎建設業(yè)務獲利則可達2000億
- 關鍵字： 東芝 NAND 晶圓
東芝閃存工廠遭雷擊 出貨量下降價格上漲10%
- 據(jù)臺灣媒體報道，東芝日前發(fā)生日本晶圓廠遭到雷擊短暫停電事件，盡管NAND Flash產(chǎn)能并未受到影響，然令業(yè)界意外的是，由于該廠房主要生產(chǎn)包含快閃記憶卡控制芯片的邏輯IC產(chǎn)品，因此，使得東芝microSD卡供應量驟降，帶動近期microSD卡價格上漲逾10%。 內(nèi)存業(yè)者認為，過去記憶卡價格一直嚴重偏低，業(yè)界趁此機會調(diào)漲終端記憶卡售價，但NAND Flash芯片價格上漲機率則不高。 業(yè)內(nèi)人士表示，2009年初NAND Flash芯片價格持續(xù)上漲，記憶卡價格卻沒有跟上來，導致NAND Flas
- 關鍵字： 東芝 NAND 晶圓
海力士41納米通過認證 切入蘋果供應鏈
- 海力士(Hynix)NAND Flash產(chǎn)業(yè)之路命運多舛，之前48納米制程量產(chǎn)不順，加上減產(chǎn)之故，幾乎是半退出NAND Flash產(chǎn)業(yè)，直到近期新制程41納米制程量產(chǎn)順利，才開始活躍起來，日前更打入蘋果(Apple)iPhone 3G S供應鏈，獲得認證通過，可以一起和東芝(Toshiba)、美光(Micron)等NAND Flash大廠一起「吃蘋果」! 海力士2008年下半開始，NAND Flash出貨量變得相當少，一方面是48納米制程量產(chǎn)不順，另一方面是NAND Flash價格崩盤，導致虧損
- 關鍵字： Hynix NAND 48納米 41納米 34納米 存儲器
臺塑絕地大反攻 拉攏英特爾入股華亞科
- 臺塑集團布局DRAM產(chǎn)業(yè)更趨積極，除集團挹注資金、爭取國發(fā)基金投資，近期傳出華亞科有意讓英特爾(Intel)投資入股，打算藉由辦理海外存托憑證(GDR)或私募時進行，目前整起投資案正由外資機構評估中。存儲器業(yè)者透露，華亞科擬引進英特爾投資，主要關鍵系說服英特爾藉由這次支持DRAM產(chǎn)業(yè)動作，阻止三星電子(Samsung Electronics)在全球存儲器市場坐大，甚至威脅英特爾在半導體產(chǎn)業(yè)地位。 存儲器業(yè)者透露，華亞科擬以GDR或私募方式引進英特爾資金，除爭取資金挹注，另一個重要原因，就是希望藉
- 關鍵字： TMC DRAM NAND
英特爾推出業(yè)內(nèi)首款34納米NAND閃存固態(tài)硬盤
- 英特爾公司已經(jīng)開始采用更為先進的34納米生產(chǎn)流程制造其領先的NAND閃存固態(tài)硬盤(SSD)。SSD是電腦硬盤的替代品。憑借更小的芯片尺寸和先進的工程設計，34 納米產(chǎn)品將使SSD的價格(與一年前推出產(chǎn)品時的價格相比)降低60%，為PC和筆記本電腦制造商及消費者帶來實惠。 多層單元(MLC)英特爾® X25-M Mainstream SATA SSD適用于筆記本電腦和臺式機，有80GB和160GB兩個版本可供選擇。SSD是電腦中的數(shù)據(jù)存儲設備。由于SSD不包括任何移動部件，因此與傳統(tǒng)硬盤(
- 關鍵字： 英特爾 34納米 NAND 固態(tài)硬盤
英特爾、美光NAND Flash殺價大反攻 三星買氣清淡
- 隨著英特爾(Intel)和美光(Micron)所合資成立IM Flash搶頭香推出34納米制程NAND Flash產(chǎn)品，應戰(zhàn)三星電子(Samsung Electronics)42納米制程，不但制程技術領先，近期英特爾和美光在價格策略上，更是上演絕地大反攻計畫，以超低價策略搶食三星地盤。下游廠商透露，近期英特爾和美光32Gb芯片價格硬是比其它品牌便宜1美元，相較于三星更是便宜將近3美元，價差相當驚人，而此策略亦讓英特爾陣營近期NAND Flash產(chǎn)品詢問度大增，三星在現(xiàn)貨市場活絡度則降低。 英特爾
- 關鍵字： Intel 34納米 NAND 42納米
三星電子增加下半年在半導體業(yè)務投資
- 電子行業(yè)報紙ETnews周五報導稱，預計韓國三星電子下半年在一個半導體生產(chǎn)設施上投資至少1萬億韓元(合7.9億美元)。 該報未指明消息來源稱，三星下半年在芯片業(yè)務方面的資本支出料為8,000億韓元左右。 三星半導體事業(yè)群總裁勸五鉉周四在一次業(yè)內(nèi)活動上稱，三星預計下半年投資“略高于”上半年。 該公司多次拒絕透露今年的資本投資計劃規(guī)模，或是迄今的已投資額。 ETnews報稱，芯片業(yè)務下半年的投資將側重于引進更先進的生產(chǎn)技術，比如采用40納米制程生產(chǎn)DRAM和
- 關鍵字： 三星 DRAM 30納米 NAND
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