- 近期剛宣布將在2010年制成64Gbit非易失電阻式RAM的美國Unity Semiconductor公司計劃找一家IDM合作建廠來制造該產品。
Intel和Micron的NAND閃存合資公司——IM Flash是潛在合作伙伴之一，盡管Unity更傾向于將工廠建在亞洲，因為該存儲產品需用到鈣鈦礦。
據悉，建該工廠和一座先進邏輯晶圓廠相比要便宜一些。IM Flash顯然是一家理想的合作伙伴。Unity公司總裁兼CEO Darrel Rinerson在Micron度過了
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Intel NAND 晶圓
- NAND Flash經歷2個月價格狂飆后，近期市場買氣一夕轉淡，記憶體模組廠紛因庫存急增，開始出現驚慌失措。模組廠表示，3、4月NAND Flash漲價時，通路商一度擔心會缺貨，因而囤積不少庫存，然5月NAND Flash市場卻出乎意外地很快冷卻下來，由于消費者需求不振，導致中間通路商手上庫存整個塞住，并造成16Gb產品現貨價跌破4美元心理關卡，合約價漲勢亦熄火，模組廠5月同時面臨NAND Flash和DRAM需求不振，恐將反應在營收表現上。
模組廠表示，2009年第1季NAND Flash市場
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蘋果 DRAM NAND
- 美國硅谷一家公司19日宣布開發(fā)出一種新技術，并計劃利用它來制造比閃存容量更大、讀寫速度更快的新型存儲器。
這家名為“統一半導體”的公司發(fā)布新聞公報說，新型存儲器的單位存儲密度有望達到現有NAND型閃存芯片的4倍，存儲數據的速度有可能達到后者的5倍到10倍。
NAND型閃存因為存儲容量大等特點，目前在數碼產品中應用比較廣泛。但也有一些專家認為，NAND型閃存未來可能遭遇物理極限，容量將無法再進一步提高。“統一半導體”表示，其制造的新型存儲器旨在
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存儲器 NAND 閃存
- U-boot在S3C44B0上的移植與分析,摘 要：Bootloader是嵌入式系統軟件開發(fā)的第一個環(huán)節(jié)，用于初始化目標板硬件，給嵌入式操作系統提供板上硬件資 源信息，并進一步裝載、引導嵌入式系統的固件，其性能直接影響系統的穩(wěn)定性。為了引導嵌入式操作系統，
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分析 移植 S3C44B0 U-boot
- 全球最大的存儲芯片制造商--韓國三星電子公司11日預計，由于全球經濟形勢惡化，2009年對于芯片商而言是艱難的一年。
據道瓊斯新聞網報道，三星電子公司半導體業(yè)務總裁權五鉉當天對投資者說，很難預測全球芯片市場何時回暖。他說，隨著企業(yè)壓縮信息技術產品開支以及消費者收緊“腰包”，今年以來全球個人電腦和手機市場需求正在持續(xù)萎縮。
不過，他指出，今年三星公司的存儲芯片出貨量仍將繼續(xù)增加，預計今年該公司DRAM芯片的出貨量最高將增加15%，NAND閃存芯片出貨量最高將增加30%
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三星 NAND 存儲芯片
- 恒憶半導體(Numonyx)、群聯電子(Phison Electronics Corp.)和海力士(Hynix)今天宣布三家公司簽署一份合作開發(fā)協議，三方將按照JEDEC新發(fā)布的JEDEC eMMC™ 4.4產業(yè)標準，為下一代managed-NAND解決方案開發(fā)閃存控制器。 預計此項合作將加快當前業(yè)內最先進的eMMC標準的推廣，有助于管理和簡化大容量存儲需求，提高無線設備和嵌入式應用的整個系統級性能。
根據這項協議，恒憶、群聯電子和海力士將利用各自的技術，開發(fā)能夠支持各種NAND閃存
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Numonyx NAND 閃存控制器
- 《華爾街日報》撰文稱，從上周末三星和海力士發(fā)布的財報可以看出，內存芯片行業(yè)似乎已經觸底，這對整個半導體行業(yè)來說是一個積極的信號。
雖然內存芯片行業(yè)收入只占全球半導體行業(yè)2600億美元總收入的14%，但作為使用廣泛的芯片，其地位類似芯片行業(yè)中的日用商品，很難與其他芯片部門區(qū)分開來，因此是芯片行業(yè)整體表現的主要指標。內存行業(yè)下滑開始于2007年初，隨后芯片行業(yè)在2008年就開始了全面衰退。
上周五，兩家全球最大的內存芯片商三星電子和海力士都在發(fā)布第一季度報告時稱，與芯片有關的虧損低于上年同期。
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海力士 NAND 內存
- 在面臨破產威脅之際，許多內存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調潛在的市場復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預計總體內存芯片價格將在2009年剩余時間內趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。 繼
在面臨破產威脅之際，許多內存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調潛在的市場復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預計總體內存芯片價格將在2009年剩余時間內趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。
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NAND 存儲芯片
- TDK公司日前宣布開發(fā)出兼容串行ATA (SATA) II的NAND閃存控制器芯片GBDriver RS2 系列，并計劃于五月份開始銷售。
TDK新型GBDriver RS2是一款高速SATA控制器芯片，支持有效速率達95MB/S的高速訪問。該產品支持2KB/頁和4KB/頁結構的SLC(單層單元)內存以及MLC(多層單元)NAND閃存，可用于制造容量為128MB至64GB的高速SATA存儲。因而，GBDriver RS2可廣泛用于各種應用領域，從SATADOM1及其他的嵌入式存儲器，到視聽設
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TDK NAND
- 在面臨破產威脅之際，許多內存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調潛在的市場復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預計總體內存芯片價格將在2009年剩余時間內趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。
繼第一季度全球DRAM與NAND閃存營業(yè)收入比去年第四季度下降14.3%之后，這些產品市場將在今年剩余時間內增長。第二季度DRAM與NAND閃存營業(yè)收入合計將增長3.6%，第三和第四季度分別增長21.9%和17.5%。
圖4所示為iSuppli公
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iSuppli NAND DRAM
- 針對NAND閃存產業(yè)，研究機構集邦科技最新研究報告指出，三星可望穩(wěn)居今年全球市占率龍頭寶座，而海力士則因大幅減產，市場占有率恐將下滑剩下10%，落居第5名。
集邦科技根據各NAND Flash供貨商目前的制程技術、產能、營運狀況分析指出，三星因擁有較大產能，同時制程持續(xù)轉往42納米及3x納米，預期今年市占率 40%以上居冠，日本東芝與美商SanDisk聯盟的產能利用率略降，但制程技術也將轉往 43納米及32納米，預期東芝今年的市場占有率約在30%以上居次。
集邦科技表示，市場占有率第三和第
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海力士 NAND 晶圓
- 4月15日消息 據韓國媒體報道 蘋果最近向韓國三星電子與海力士兩家公司下單，要求供應7000萬顆NAND型閃存芯片，用于生產iPhone和iPod。此次訂單較去年大漲了八成，引發(fā)蘋果可能推出新一代iPhone的聯想
韓國時報指出，有可靠的消息來源透露“三星電子被要求供應5000萬顆8Gb的NAND型閃存芯片給蘋果，而海力士也將供應2000萬顆。”
部分分析師認為，蘋果這次大規(guī)模訂單，將刺激韓國芯片廠商業(yè)績，同時，也有助于全球芯片產業(yè)早日復蘇。
分析師還指出，N
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三星 NAND 芯片
- IBM的技術專家Geoff Burr曾說過，如果數據中心的占地空間象足球場那么大，而且還要配備自己的發(fā)電廠的話，那將是每一位首席信息官最害怕的噩夢。然而，如果首席信息官們現在不定好計劃將他們的數據中心遷移到固態(tài)技術平臺的話，那么10年以后他們就會陷入那樣的噩夢之中。
這并非危言聳聽，過去的解決方案現在已經顯露出存儲性能和容量不足的現象，這就是最好的證明。以前，如果需要更多的性能或容量，企業(yè)只需在數據中心添加更多的傳統硬盤就可以了，而且那樣做也很方便。現在，Geoff Burr在2008年發(fā)表的一
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IBM NAND 固態(tài)存儲
- 美國明尼阿波利斯(2009年3月24日)——全球領先的半導體制造晶圓加工、清洗和表面處理設備供應商FSI國際有限公司(納斯達克：FSII)今日宣布：一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR?全濕法無灰化清洗技術的ZETA?清洗系統擴展到NAND閃存生產中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術在自對準多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進行了評估。客戶
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