bics flash 文章進入bics flash技術(shù)社區(qū)

基于FPGA的NAND Flash的分區(qū)續(xù)存的功能設(shè)計實現(xiàn)

傳統(tǒng)的控制器只能從NAND Flash存儲器的起始位置開始存儲數(shù)據(jù)，會覆蓋上次存儲的數(shù)據(jù)，無法進行數(shù)據(jù)的連續(xù)存儲。針對該問題，本文設(shè)計了一種基于FPGA的簡單方便的NAND Flash分區(qū)管理的方法。該方法在NAND Flash上開辟專用的存儲空間，記錄最新分區(qū)信息，將剩余的NAND Flash空間劃成多個分區(qū)。本文給出了分區(qū)工作機理以及分區(qū)控制的狀態(tài)機圖，并進行了驗證。
關(guān)鍵字： 202308 NAND Flash FPGA 分區(qū) 起始地址

ROM、RAM、FLASH、DDR、EMMC都是什么？一次性搞清楚！

簡單解釋ROMROM：只讀存儲器，內(nèi)容寫入后就不能更改了，制造成本比較低，常用于電腦中的開機啟動如啟動光盤bios，在系統(tǒng)裝好的電腦上時，計算機將C盤目錄下的操作系統(tǒng)文件讀取至內(nèi)存，然后通過cpu調(diào)用各種配件進行工作這時系統(tǒng)存放存儲器為RAM。PROM：可編程程序只讀存儲器，但是只可以編寫一次。EPROM：可抹除可編程只讀存儲器，可重復(fù)使用。EEPROM：電子式可抹除可編程只讀存儲器，類似于EPROM但是摸除的方式是使用高電場完成。RAMRAM：隨機存取存儲器，也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器
關(guān)鍵字： ROM RAM FLASH DDR EMMC

6月中國市場NAND Flash Wafer部分容量合約價有望小幅翻揚

據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，5月起美、韓系廠商大幅減產(chǎn)后，已見到部分供應(yīng)商開始調(diào)高wafer報價，對于中國市場報價均已略高于3~4月成交價。因此，TrendForce集邦咨詢預(yù)估6月在模組廠啟動備貨下，主流容量512Gb NAND Flash wafer有望止跌并小幅反彈，結(jié)束自2022年5月以來的猛烈跌勢，預(yù)期今年第三季起將轉(zhuǎn)為上漲，漲幅約0~5%，第四季漲幅將再擴大至8~13%。至于SSD、eMMC、UFS等產(chǎn)品庫存仍待促銷去化，現(xiàn)階段價格尚未有上漲跡象。下半年旺季備貨周期將至，盡管今
關(guān)鍵字： NAND Flash Wafer TrendForce

傳鎧俠/西數(shù)合并進入最終階段 NAND Flash營收或超三星？

近日，據(jù)日本共同社消息，日本存儲器大廠鎧俠與合作方美國西部數(shù)據(jù)的合并經(jīng)營已經(jīng)進入最終收尾調(diào)整階段。目前，作為全球知名的存儲器廠商，鎧俠和西部數(shù)據(jù)既是競爭對手又是合作伙伴，目前兩家公司正在共同運營巖手縣北上市和三重縣四日市的工廠。報道引用相關(guān)人士消息稱，鎧俠和西部數(shù)據(jù)正在探討出資設(shè)立新公司、統(tǒng)一開展半導體生產(chǎn)及營銷的方案等，未來雙方將進行經(jīng)營合并，擬由鎧俠掌握主導權(quán)，關(guān)于出資比率等將繼續(xù)探討。報道稱，由于面向智能手機等的半導體行情疲軟、業(yè)績低迷，鎧俠和西部數(shù)據(jù)此舉意在提升經(jīng)營效率并提高競爭力。資料顯示，鎧俠
關(guān)鍵字：鎧俠西數(shù) NAND Flash 三星

DDR5 重新下跌，內(nèi)存現(xiàn)貨價格未見回暖

業(yè)界對 DDR5 DRAM 的市場預(yù)期不太樂觀。
關(guān)鍵字： NAND Flash NAND DDR5

需求持續(xù)下修，第一季NAND Flash總營收環(huán)比下跌16.1%

據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，第一季NAND Flash買方采購動能保守，供應(yīng)商持續(xù)透過降價求售，但第一季NAND Flash位元出貨量僅微幅環(huán)比增長2.1%，平均銷售（ASP）單價季減15%，合計NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收約86.3億美元，環(huán)比減少16.1%。SK集團（SK hynix & Solidigm）及西部數(shù)據(jù)（WDC）量價齊跌，沖擊營收表現(xiàn)，環(huán)比下降均逾兩成。SK集團受淡季及削價競爭影響，第一季NAND Flash營收僅13.2億美元，環(huán)比減少24.8%
關(guān)鍵字：集邦 NAND Flash

兆易創(chuàng)新超小尺寸128Mb SPI NOR Flash面世

中國北京（2023年5月16日） —— 業(yè)界領(lǐng)先的半導體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）今日宣布，率先推出采用3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封裝的SPI NOR Flash——GD25LE128EXH，其最大厚度僅為0.4mm，容量高達128Mb，是目前業(yè)界在此容量上能實現(xiàn)的最小塑封封裝產(chǎn)品，可在應(yīng)對大容量代碼存儲需求的同時，提供極大限度的緊湊型設(shè)計自由。近年來，隨著物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴、健康監(jiān)護、網(wǎng)通等應(yīng)用的快速發(fā)展，市場需求變化多樣，不僅要在精致小巧的產(chǎn)品形態(tài)中
關(guān)鍵字：兆易創(chuàng)新超小尺寸 SPI NOR Flash

復(fù)旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲器新品

4月27日，上海復(fù)旦微電子集團股份有限公司今日舉辦線上發(fā)布會，推出FM25/FM29系列SLC NAND，F(xiàn)M24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM，以及符合AEC-Q100的車規(guī)FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲新產(chǎn)品。FM25/FM29系列產(chǎn)品基于28nm先進NAND flash工藝，滿足6萬次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求，應(yīng)用于工規(guī)、5G通訊、車載等相關(guān)領(lǐng)域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產(chǎn)品基于95nm先進EEPROM工藝，具備低功耗、
關(guān)鍵字：復(fù)旦微電 NAND Flash EEPROM 存儲器

英飛凌推出 256 Mbit SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產(chǎn)品

【2023 年 04 月 10日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）近日推出 SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產(chǎn)品。這種存儲器經(jīng)過專門優(yōu)化，適合在電池供電的小型電子設(shè)備中使用。健身追蹤器、智能耳機、健康監(jiān)測儀、無人機和 GPS 導航等新型可穿戴應(yīng)用及工業(yè)應(yīng)用不斷涌現(xiàn)，有助于實現(xiàn)精準跟蹤、記錄關(guān)鍵信息、增強安全性、降低噪聲等更多功能。這些先進的功能和使用場景要求在體積更小的電子設(shè)備中配備更大容量的存儲器。據(jù)Omdia 數(shù)據(jù)顯示，藍牙耳
關(guān)鍵字：英飛凌 SEMPER Nano NOR Flash 閃存

BICS和Mavenir合作推出VoLTE解決方案，實現(xiàn)2G/3G退網(wǎng)后的漫游互操作性

中國北京，2023年4月6日 – 國際領(lǐng)先通信平臺服務(wù)提供商BICS宣布與Mavenir合作推出新型VoLTE解決方案，以幫助全球運營商應(yīng)對2G/3G退網(wǎng)可能引發(fā)的各種問題。Mavenir是一家網(wǎng)絡(luò)軟件提供商，致力于通過可在各種云上運行的云原生解決方案構(gòu)建面向未來的網(wǎng)絡(luò)。?全球不同運營商制定的退網(wǎng)時間計劃表差異顯著，且他們在退網(wǎng)過程中都面臨著實現(xiàn)新舊網(wǎng)絡(luò)間漫游互操作性的挑戰(zhàn)。BICS與Mavenir聯(lián)合打造的VoLTE解決方案基于Mavenir的云原生IMS解決方案，能有效消除2G/3G網(wǎng)絡(luò)與4
關(guān)鍵字： BICS Mavenir VoLTE 2G/3G退網(wǎng) 漫游互操作性

預(yù)估第二季NAND Flash均價續(xù)跌5~10%，能否止跌端看下半年需求

即便原廠持續(xù)進行減產(chǎn)，然需求端如服務(wù)器、智能手機、筆電等需求仍未見起色，NAND Flash市場仍處在供給過剩狀態(tài)，故TrendForce集邦咨詢預(yù)估，第二季NAND Flash均價仍將持續(xù)下跌，環(huán)比下跌幅度收斂至5~10%。而后續(xù)恢復(fù)供需平衡的關(guān)鍵在于原廠是否有更大規(guī)模的減產(chǎn)，TrendForce集邦咨詢認為若目前需求端未再持續(xù)下修，NAND Flash均價有機會在第四季止跌反彈，反之，若旺季需求端持續(xù)疲弱，均價反彈時間恐再延后。Client SSD方面，目前PC OEM零部件庫存去化已見成
關(guān)鍵字：集邦 NAND Flash

BICS與微軟合作推出專網(wǎng)漫游方案

國際通信互聯(lián)和5G服務(wù)提供商BICS近日宣布與微軟合作推出專網(wǎng)漫游方案。雙方的合作將確保為全球各地聯(lián)網(wǎng)設(shè)備提供實時安全連接及強大的處理能力，從而解決物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備在全球公網(wǎng)與專網(wǎng)間的各種漫游挑戰(zhàn)。隨著企業(yè)越來越多地采用移動專網(wǎng)來連接機器、AI和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等現(xiàn)場設(shè)備，相關(guān)用例也逐步進入部署階段。這就要求企業(yè)能夠確保聯(lián)網(wǎng)設(shè)備在離開廠房后持續(xù)保持全球連接，或者能夠為公網(wǎng)上運行的指定設(shè)備提供更可靠的現(xiàn)場專網(wǎng)連接，如資產(chǎn)跟蹤和勞動力連接。為助力企業(yè)解決這一難題，BICS與微軟合作提供SIM和eSIM以實現(xiàn)公網(wǎng)與專網(wǎng)間的
關(guān)鍵字： BICS 微軟專網(wǎng)漫游方案

NAND Flash 大降價，固態(tài)硬盤取代機械硬盤指日可待

相信有很多小伙伴已經(jīng)注意到了，目前市場上很多固態(tài)硬盤的價格相比去年又降低了不少。這是由于制造固態(tài)硬盤所需的 NAND 芯片降價導致的。根據(jù)集邦咨詢的數(shù)據(jù)顯示，NAND Flash 市場自 2022 年下半年以來面臨需求逆風，供應(yīng)鏈積極去化庫存加以應(yīng)對，此情況導致第四季 NAND Flash 合約價格下跌 20-25%，其中 Enterprise SSD（企業(yè)級固態(tài)硬盤）是下跌最劇烈的產(chǎn)品，跌幅約 23-28%。這對于 NAND 芯片廠商來說并不是什么好消息，但對于普通消費者來說，我們確實能買到更便宜的固態(tài)
關(guān)鍵字： NAND Flash

存儲器廠商Q1虧損恐難逃

由于DRAM及NAND Flash第一季價格續(xù)跌，加上庫存水位過高，終端消費支出持續(xù)放緩，據(jù)外電消息，韓國三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務(wù)恐因提列庫存損失而面臨數(shù)十億美元虧損。法人指出，南亞科（2408）及華邦電（2344）因減產(chǎn)及跌價導致營收及毛利率持續(xù)下滑，第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據(jù)外電報導，三星電子3月19日提交給韓國金融監(jiān)督院的申報文件中指出，截至去年第四季，整體庫存資產(chǎn)達到52.2兆韓元（約折合399億美元），遠高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng)下歷史新高。其中，占三星營收比重最高的半導
關(guān)鍵字：存儲器 DRAM NAND Flash

存儲大廠展示300層NAND Flash，預(yù)計最快2024年問世

近日，在第70屆IEEE國際固態(tài)電路會議（ISSCC）上，韓國存儲器大廠SK海力士展示了最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲器原型。SK海力士表示，新3D NAND Flash快閃存儲器預(yù)定兩年內(nèi)上市，有望打破紀錄。外媒報導，SK海力士揭示有更快資料傳輸量和更高儲存等級的第八代3D NAND Flash開發(fā)，提供1TB（128GB）容量，20Gb/mm2單位容量、16KB單頁容量、四個平面和2,400MT/s的介面。最大資料傳輸量達194MB/s，較上一代238層堆疊和164MB/
關(guān)鍵字： 300層 NAND Flash SK海力士