簡單解釋

ROM

ROM：只讀存儲器，內(nèi)容寫入后就不能更改了，制造成本比較低，常用于電腦中的開機啟動如啟動光盤bios，在系統(tǒng)裝好的電腦上時，計算機將C盤目錄下的操作系統(tǒng)文件讀取至內(nèi)存，然后通過cpu調(diào)用各種配件進行工作這時系統(tǒng)存放存儲器為RAM。

PROM：可編程程序只讀存儲器，但是只可以編寫一次。

EPROM：可抹除可編程只讀存儲器，可重復使用。

EEPROM：電子式可抹除可編程只讀存儲器，類似于EPROM但是摸除的方式是使用高電場完成。

RAM

RAM：隨機存取存儲器，也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器，可以隨時讀寫，而且速度快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運行程序的臨時數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)。RAM工作時可以隨時從任何一個指定地址寫入或讀出信息。他與ROM的最大區(qū)別是數(shù)據(jù)的易失性，斷電丟失。RAM在計算機和數(shù)字系統(tǒng)中用來暫時存儲程序、數(shù)據(jù)和中間結(jié)果。手機和電腦的運行內(nèi)存都是使用ram為存儲空間，內(nèi)存條的作用是增加運行ram空間。

SRAM：靜態(tài)隨機存儲器，SRAM存放的信息在不停電的情況下能長時間保留，狀態(tài)穩(wěn)定，不需外加刷新電路，從而簡化了外部電路設計。常作為Cache。

DRAM：動態(tài)隨機存儲器，DRAM與SRAM相比具有集成度高、功耗低、價格便宜等優(yōu)點，所以在大容量存儲器中普遍采用。DRAM的缺點是需要刷新邏輯電路，且刷新操作時不能進行正常讀，寫操作。常作為主存儲器。

SDRAM：同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存。就是DDR，被分為DDR1、DDR2、DDR3。

FLASH

FLASH：是一種非易失性內(nèi)存，閃存的物理特性與常見的內(nèi)存有根本性的差異：目前各類 DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都屬于揮發(fā)性內(nèi)存，只要停止電流供應內(nèi)存中的數(shù)據(jù)便無法保持，因此每次電腦開機都需要把數(shù)據(jù)重新載入內(nèi)存；閃存在沒有電流供應的條件下也能夠長久地保持數(shù)據(jù)，其存儲特性相當于硬盤，這項特性正是閃存得以成為各類便攜型數(shù)字設備的存儲介質(zhì)的基礎。Flash分為nor flash和nand flash。

NOR FLASH：它的特點就是可以在芯片內(nèi)執(zhí)行，應用程序可以直接在閃存中運行，不必把代碼讀入系統(tǒng)RAM。在1~16M下的小容量有很高的的成本效益，但是很低的寫入和擦除 速度大大影響了它的性能。他的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣。

NAND FLASH：Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。讀取是以一次讀取一塊的形式來進行的，通常是一次讀取512個字節(jié)。用戶不能直接運行NAND Flash上的代碼，因此好多使用NAND Flash還作上了一塊小的NOR Flash來運行啟動代碼。

eMMC

eMMC:  eMMC 存儲器 eMMC (Embedded Multi Media Card) 為MMC協(xié)會所訂立的，eMMC 相當于 NandFlash+主控IC ，對外的接口協(xié)議與SD、TF卡一樣，主要是針對手機或平板電腦等產(chǎn)品的內(nèi)嵌式存儲器標準規(guī)格。

eMMC的一個明顯優(yōu)勢是在封裝中集成了一個控制器，它提供標準接口并管理閃存，使得手機廠商就能專注于產(chǎn)品開發(fā)的其它部分，并縮短向市場推出產(chǎn)品的時間。這些特點對于希望通過縮小光刻尺寸和降低成本的NAND供應商來說，同樣的重要。

eMMC由一個嵌入式存儲解決方案組成，帶有MMC（多媒體卡）接口、快閃存儲器設備（Nand Flash）及主控制器，所有都在一個小型的BGA 封裝。接口速度高達每秒52MBytes，eMMC具有快速、可升級的性能。同時其接口電壓可以是 1.8v 或者是 3.3v。

現(xiàn)在很多智能電視已經(jīng)逐步拋棄Nor或Nand，使用更為先進的eMMC芯片，然而普通編程器無法讀寫eMMC芯片，新開發(fā)的可支持eMMC芯片燒寫的編程器性價比高，還能支持Nor、Nand芯片，支持全面、功能強大。