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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> cmos-ldo

          基于CMOS振蕩器技術(shù)的硅頻率控制

          • 摘要:高精度、低噪聲和低功耗的無晶體固態(tài)振蕩器技術(shù)讓頻率控制器件可以通過常見的 CMOS 技術(shù)被移植到最低成本的架構(gòu)中。盡管其固有的 Q LC tank 較低,但創(chuàng)新的設(shè)計(jì)達(dá)到了與業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)晶體或MEMS振蕩器相媲美的性能。該白皮書詳細(xì)地描述了創(chuàng)新的技術(shù)打破石英占領(lǐng)多年市場的局面。
          • 關(guān)鍵字: CMOS  振蕩器  201210  

          MAX1471 低功耗、CMOS、超外差、RF雙通道接收器

          • MAX1471是一款低功耗、CMOS、超外差、RF雙通道接收器,用于接收幅移鍵控(ASK)與頻移鍵控(FSK)數(shù)據(jù),而不需要重 ...
          • 關(guān)鍵字: MAX1471  低功耗  CMOS  超外差  RF雙通道  

          CMOS集成電路瞬態(tài)電流片外電流傳感器電路

          • 隨著芯片特征尺寸的縮小和電路復(fù)雜程度的增加,有阻開路和有阻橋接缺陷的數(shù)目也在增加。同時(shí),隨著器件密度、復(fù)雜性和時(shí)鐘速度的增加,邏輯測(cè)試技術(shù)已不能提供足夠的故障覆蓋率。為了彌補(bǔ)傳統(tǒng)測(cè)試方法的不足,基于靜
          • 關(guān)鍵字: 電流  電路  傳感器  CMOS  集成電路  

          一種新穎啟動(dòng)方式的CMOS低功耗電流源

          • 1引言電流源是模擬、數(shù)字集成電路中重要的單元[1][2]。電流源的性能直接影響電路及系統(tǒng)的性能。...
          • 關(guān)鍵字: CMOS  低功耗  電流源  

          高線性度CMOS調(diào)幅電路技術(shù)介紹

          • 引言本文采用plusmn;5V電源,設(shè)計(jì)出了一種以模擬乘法器為核心電路的輸出信號(hào)與控制電壓成高線性度的電路,并且實(shí)現(xiàn)了單端控制和單端輸出。它在鎖相環(huán)、自動(dòng)增益控制、正弦脈寬調(diào)制(SPWM)、模擬運(yùn)算等方面有著很好的
          • 關(guān)鍵字: CMOS  高線性度  調(diào)幅  電路技術(shù)    

          富士通半導(dǎo)體展示超高速短距離數(shù)據(jù)傳輸

          • 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布,富士通半導(dǎo)體歐洲(FSEU)已經(jīng)證明可以通過CEI-28G-VSR接口進(jìn)行單信道大于100Gbps的數(shù)據(jù)傳輸,從而將光互聯(lián)論壇(OIF)定義的芯片間電接口數(shù)據(jù)傳輸速率提高到4倍。這項(xiàng)研究成果驗(yàn)證了在利用為長距離光傳輸系統(tǒng)所開發(fā)的CMOS ADC/DAC轉(zhuǎn)換器技術(shù)后,短距離電信號(hào)傳輸所能達(dá)到的數(shù)據(jù)速率。
          • 關(guān)鍵字: 富士通  CMOS  ADC/DAC  

          用CMOS集成電路制作一個(gè)感應(yīng)驗(yàn)電器

          • 利用CMOS集成電路具有極高的輸入阻抗這一特點(diǎn),可以自制一個(gè)感應(yīng)式驗(yàn)電器。    l、電路原 ...
          • 關(guān)鍵字: CMOS  集成電路  感應(yīng)  驗(yàn)電器  

          LDO集成電路穩(wěn)壓器的結(jié)構(gòu)及選用技術(shù)

          • LDO是新一代的集成電路穩(wěn)壓器,它與三端穩(wěn)壓器最大的不同點(diǎn)在于,LDO是一個(gè)自耗很低的微型片上系統(tǒng)(SoC)。LDO按其靜態(tài)耗流來分,分為 OmniPowerTM / MicroPowerTM / NanoPowerTM三種產(chǎn)品。OmniPowerTM LDO的靜態(tài)電流
          • 關(guān)鍵字: 選用  技術(shù)  結(jié)構(gòu)  穩(wěn)壓器  集成電路  LDO  

          亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)二

          • 3 仿真分析及具體設(shè)計(jì)結(jié)果  3.1 仿真分析  在亞微米的ESD結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中,一種常見的具體的ESD瞬態(tài)檢測(cè) ...
          • 關(guān)鍵字: CMOS  VDD  VSSESD  

          亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)一

          • 1 引言  ESD(Electric Static Discharge)保護(hù)結(jié)構(gòu)的有效設(shè)計(jì)是CMOS集成電路可靠性設(shè)計(jì)的重要任務(wù)之一,其E ...
          • 關(guān)鍵字: CMOS  VDD  VSSESD  

          基于linlog技術(shù)擴(kuò)展傳感器動(dòng)態(tài)范圍的高速相機(jī)

          • 在photonfocuslinlog技術(shù)誕生之前,市面上常規(guī)工業(yè)相機(jī)的感光芯片(CCDorCMOS)的量子積分時(shí)間響應(yīng)都是線性的,...
          • 關(guān)鍵字: Linlog技術(shù)  CMOS  高速相機(jī)  

          Aptina宣布將推出高性能CMOS圖像傳感器

          • Aptina公司是為數(shù)不多的幾個(gè)非日系圖像傳感器制造商,之前就為尼康1系列產(chǎn)品制造過圖像傳感器。而本次推出新產(chǎn)品可能會(huì)使用在下一代的尼康1產(chǎn)品上,繼續(xù)保持在相應(yīng)速度以及拍攝效能上的優(yōu)勢(shì)。
          • 關(guān)鍵字: Aptina  傳感器  CMOS  

          Javelin功率放大器獲三星Galaxy S Duos采用

          • 全球首家高性能CMOS 3G功率放大器(PA)創(chuàng)新者Javelin Semiconductor日前宣布,三星電子公司具備雙卡(dual SIM)功能的全新Galaxy S Duos選用Javelin的功率放大器。Galaxy S Duos是采用Android的時(shí)尚型智能手機(jī),具備4英寸觸控屏幕、1 GHz處理器、500萬像素相機(jī)、藍(lán)牙、GPS以及Wi-Fi等功能。
          • 關(guān)鍵字: Javelin  CMOS  3G  功率放大器  

          低壓差(LDO)調(diào)節(jié)器的噪聲源(二)

          • 比較LDO噪聲指標(biāo)均方根噪聲用單一數(shù)值表示,因此它是用于比較不同LDO性能的一個(gè)有用指標(biāo)。然而,進(jìn)行比較的LDO的噪聲指標(biāo)必須是在相同的測(cè)試條件下測(cè)得。例如,在10 Hz至100 kHz范圍內(nèi),1.2 V輸出的ADP223均方根噪聲
          • 關(guān)鍵字: LDO  低壓差  調(diào)節(jié)器  噪聲源    

          低壓差(LDO)調(diào)節(jié)器的噪聲源

          • 為什么噪聲源很重要噪聲重要與否,取決于它對(duì)目標(biāo)電路工作的影響程度。例如,一個(gè)開關(guān)電源在3 MHz時(shí)具有顯著的輸出電壓紋波,如果它為之供電的電路僅有幾Hz的帶寬,如溫度傳感器等,則該紋波可能不會(huì)產(chǎn)生任何影響。但
          • 關(guān)鍵字: LDO  低壓差  調(diào)節(jié)器  噪聲源    
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          cmos-ldo介紹

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