cmos-ldo 文章 進(jìn)入cmos-ldo技術(shù)社區(qū)
Avago推出車用級高速低功耗數(shù)字CMOS光電耦合器
- Avago Technologies(安華高科技)今日宣布,推出二款面向油電混合動力車(HEV, Hybrid Electronic Vehicles)應(yīng)用所設(shè)計(jì)的車用級高速低功耗數(shù)字CMOS光電耦合器產(chǎn)品。ACPL-M71T單通道高速15MBd和ACPL-M72T低功耗LED驅(qū)動光電耦合器為Avago R2Coupler™數(shù)字系列產(chǎn)品的最新成員,這些采用小型化SOIC-5封裝,擁有耐高溫和低功耗特性的光電耦合器非常適合控制器局域網(wǎng)總線(CANBus, Controller Area Ne
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中國首顆物聯(lián)網(wǎng)核心芯片“唐芯一號”亮相西安
- 日前在西安曲江國際會展中心召開的第四屆中國民營科技產(chǎn)品博覽會上,本土IC設(shè)計(jì)公司西安優(yōu)勢微電子公司推出了中國內(nèi)首顆物聯(lián)網(wǎng)核心芯片——“唐芯一號”。 “唐芯一號”核心芯片是中國第一顆完全自主知識產(chǎn)權(quán)的2.4GHz超低功耗射頻可編程片上系統(tǒng)(PSoC),采用0.18μm數(shù)字CMOS工藝,集無線射頻收發(fā)、數(shù)字基帶、數(shù)據(jù)處理、電源管理于一體,具有無線通信、無線組網(wǎng)、無線傳感、無線控制、數(shù)據(jù)處理等能力,是目前同類芯片中集成度最高
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IBM攜手大陸晶圓廠 抗衡臺積電
- 近期IBM大動作與大陸晶圓代工廠展開技術(shù)平臺合作,不僅與中芯國際攜手45納米先進(jìn)制程,亦與無錫華潤上華結(jié)盟,針對主流制程0.18微米射頻CMOS制程技術(shù)及訂單合作。大陸半導(dǎo)體業(yè)者指出,IBM積極運(yùn)用大陸當(dāng)?shù)鼐A廠生產(chǎn)力,全力擴(kuò)展大陸市場,未來IBM技術(shù)勢力可望在大陸深耕,并與臺積電勢力相抗衡。 大陸半導(dǎo)體業(yè)者表示,目前IBM對于向外技術(shù)授權(quán)采取更積極做法,尤其針對亟需要技術(shù)平臺奧援的大陸晶圓廠,IBM積極尋求合作機(jī)會,不僅對于技術(shù)授權(quán)相當(dāng)開放,甚至不排除讓部分原本在IBM下單客戶,透過IBM轉(zhuǎn)至
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IBM攜手大陸晶圓廠 抗衡臺積電
- 近期IBM大動作與大陸晶圓代工廠展開技術(shù)平臺合作,不僅與中芯國際攜手45納米先進(jìn)制程,亦與無錫華潤上華結(jié)盟,針對主流制程0.18微米射頻CMOS制程技術(shù)及訂單合作。大陸半導(dǎo)體業(yè)者指出,IBM積極運(yùn)用大陸當(dāng)?shù)鼐A廠生產(chǎn)力,全力擴(kuò)展大陸市場,未來IBM技術(shù)勢力可望在大陸深耕,并與臺積電勢力相抗衡。 大陸半導(dǎo)體業(yè)者表示,目前IBM對于向外技術(shù)授權(quán)采取更積極做法,尤其針對亟需要技術(shù)平臺奧援的大陸晶圓廠,IBM積極尋求合作機(jī)會,不僅對于技術(shù)授權(quán)相當(dāng)開放,甚至不排除讓部分原本在IBM下單客戶,透過IBM轉(zhuǎn)至
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俞忠鈺:以內(nèi)需市場為突破口實(shí)現(xiàn)中國IC業(yè)大發(fā)展
- “雖然國際金融危機(jī)對中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的沖擊非常大,但以中國內(nèi)需市場為突破口和切入點(diǎn),中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將進(jìn)入新的黃金發(fā)展期?!敝袊雽?dǎo)體行業(yè)協(xié)會理事長俞忠鈺充滿信心地指出。在IC CHINA2009召開前夕,俞忠鈺就中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的現(xiàn)狀和未來,以及產(chǎn)業(yè)發(fā)展的策略和重點(diǎn)等熱點(diǎn)話題,接受了《中國電子報(bào)》記者的專訪。 全球半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)入變革和創(chuàng)新時代 記者:由于國際金融危機(jī)的影響,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)出新的變化和特點(diǎn)。你認(rèn)為國際金融危機(jī)后全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)生哪些改變?你對全球半導(dǎo)
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 CMOS 摩爾定律
中芯國際將45納米工藝技術(shù)延伸至40納米以及55納米
- 中芯國際今天宣布其45納米的互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 技術(shù)將延伸至40納米以及55納米。 這些新工藝技術(shù)進(jìn)一步豐富了中芯國際現(xiàn)有的技術(shù)能力,更好地滿足全球客戶的需求,包括快速增長的中國市場在內(nèi)。其應(yīng)用產(chǎn)品包括多媒體產(chǎn)品、圖形芯片、芯片組以及手機(jī)設(shè)備(如3G/4G 手機(jī))。 “中芯國際上海的12英寸廠已提前達(dá)標(biāo)完成了45納米的技術(shù)工藝。我們也同樣期盼著這些附加的延伸技術(shù)能取得佳績。”張汝京博士 -- 中芯國際總裁兼首席執(zhí)行長表示,“這些新技術(shù)為
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安森美推出0.18微米CMOS工藝技術(shù)
- 全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)展定制晶圓代工能力,推出新的具價(jià)格競爭力、符合業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的0.18微米(µm) CMOS工藝技術(shù)。 這ONC18工藝是開發(fā)低功率及高集成度數(shù)字及混合信號專用集成電路(ASIC)的極佳平臺,用于汽車、工業(yè)及醫(yī)療應(yīng)用?;贠NC18工藝的方案將在安森美半導(dǎo)體位于美國俄勒岡州Gresham的8英寸晶圓制造廠制造,因此,預(yù)期對于尋求遵從國際武器貿(mào)易規(guī)章(ITAR)的合作伙伴、在美國國內(nèi)生產(chǎn)的美國軍事應(yīng)用設(shè)計(jì)人
- 關(guān)鍵字: 安森美 CMOS 晶圓制造
諾貝爾獎當(dāng)之無愧,CCD傳感器已無處不在
- 1969年,貝爾實(shí)驗(yàn)室(Bell Laboratories)的科學(xué)家Willard S. Boyle和George E. Smith發(fā)明了第一個成功的數(shù)字影像傳感器技術(shù):電荷耦合組件(CCD)。40年后,隨著影像傳感器逐漸發(fā)展成為一個年出貨量達(dá)13億顆的龐大市場,這兩位技術(shù)先鋒也在2009年獲頒諾貝爾物理獎,以表揚(yáng)他們在數(shù)字成像領(lǐng)域的貢獻(xiàn)。 “影像傳感器技術(shù)對世界和整個社會帶來了巨大且深遠(yuǎn)的影響,”iSuppli分析師Pamela Tufegdzic說。“影像
- 關(guān)鍵字: CCD CMOS 影像傳感器
采用0.18micro;m CMOS設(shè)計(jì)用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)
- 本文采用0.18µm CMOS工藝設(shè)計(jì)了用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)的16:1復(fù)用器電路。該電路采用數(shù)?;旌系姆椒ㄟM(jìn)行設(shè)計(jì),第一級用數(shù)字電路實(shí)現(xiàn)16:4的復(fù)用,第二級用模擬電路實(shí)現(xiàn)4:1的復(fù)用,從而實(shí)現(xiàn)16:1的復(fù)用器。該電路采用SMIC 0.18µm工藝模型,使用Virtuoso AMS Simulator 工具進(jìn)行了仿真。仿真結(jié)果表明,當(dāng)電源電壓為1.8V,溫度范圍為0~70℃時,電路可以工作在2.5b/s,功耗約為6mW。
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臺積電與AMCC結(jié)盟 取得嵌入式微處理器訂單
- 臺積電宣布與AMCC(應(yīng)用微電路;Applied Micro Circuits Corporation;AMCC-US)結(jié)盟,AMCC的Power Architecture嵌入式微處理器將以臺積電90奈米CMOS制程生產(chǎn),未來將進(jìn)一步推進(jìn)到65奈米及40奈米制程。這意味著臺積電在 CPU代工領(lǐng)域再下一城。 AMCC為全球能源及通訊解決方案商,臺積電表示,這次雙方的合作,是AMCC Power Architecture嵌入式微處理器首次采用非SOI制程技術(shù),受惠于臺積電成熟的bulk CMOS技術(shù)
- 關(guān)鍵字: 臺積電 CPU代工 CMOS
華虹NEC 0.162微米CIS工藝成功進(jìn)入量產(chǎn)
- 世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠之一,上海華虹NEC電子有限公司(以下簡稱“華虹NEC”)日前宣布成功開發(fā)了0.162微米CMOS 圖像傳感器 (CIS162) 工藝技術(shù),已進(jìn)入量產(chǎn)階段。 華虹NEC和關(guān)鍵客戶合作共同開發(fā)的CIS162工藝是基于標(biāo)準(zhǔn)0.162微米純邏輯工藝,1.8V的核心器件,3.3V的輸入輸出電路。經(jīng)過精細(xì)調(diào)整集成了4個功能晶體管和光電二極管(photo diode) 的像素單元可以提供超低的漏電和高清優(yōu)質(zhì)的圖像。而特別處理的后端布線工藝保證了像素區(qū)高敏感性,可
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基于CMOS圖像傳感器的納型衛(wèi)星遙感系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- 為滿足納型衛(wèi)星的遙感系統(tǒng)要求, 設(shè)計(jì)了一套基于互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體CMOS 圖像傳感器的納型衛(wèi)星遙感系統(tǒng), 采用PC 機(jī)模擬星上數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的功能, 通過控制器局域網(wǎng)CAN總線實(shí)現(xiàn)了對CMOS 相機(jī)的控制和圖像傳輸?shù)裙δ?。通過熱循環(huán)實(shí)驗(yàn), 得到了該CMOS 相機(jī)平均暗輸出和暗不一致性隨溫度的變化曲線, 預(yù)測其適于在10~25 ℃的空間溫度環(huán)境中工作, 并可經(jīng)受- 25~60 ℃的衛(wèi)星艙內(nèi)溫度變化。
- 關(guān)鍵字: CMOS 圖像傳感器 納型衛(wèi)星 遙感
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