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東芝半導(dǎo)體業(yè)務(wù)新戰(zhàn)略 致力BSI型CMOS傳感器
- 東芝在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)中提出了新戰(zhàn)略。東芝計(jì)劃將把瞄準(zhǔn)全球份額首位的NAND閃存業(yè)務(wù)實(shí)力,應(yīng)用于其他半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。具體做法是在分離式半導(dǎo)體業(yè)務(wù)、從原系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)中剝離出來的模擬成像IC業(yè)務(wù)、以及與硬盤業(yè)務(wù)進(jìn)行了整合的存儲產(chǎn)品業(yè)務(wù)中,應(yīng)用在存儲器業(yè)務(wù)中積累的制造技術(shù)實(shí)力。由此來培育出繼存儲器業(yè)務(wù)之后的又一支柱業(yè)務(wù)。東芝執(zhí)行董事高級常務(wù)、東芝半導(dǎo)體與存儲器公司社長小林清志在2011年8月公布了這一戰(zhàn)略。
- 關(guān)鍵字: 東芝 CMOS 傳感器
LED顯示屏四大性能指標(biāo)分析
- 最大亮度對于“最大亮度”這個重要性能沒有給出明確的特性要求。因?yàn)長ED顯示屏的使用環(huán)境千差萬別,照...
- 關(guān)鍵字: LED 顯示屏 性能指標(biāo)
低功耗液晶電視LED背光源設(shè)計(jì)
- 通過合理選材并優(yōu)化機(jī)械結(jié)構(gòu),設(shè)計(jì)了一款低功耗的118cm(47in)LED背光源。對膜材進(jìn)行篩選,采用1層擴(kuò)散膜、2層棱鏡膜和1層雙層增亮膜(DBEF)進(jìn)行搭配,保證了背光源的亮度。根據(jù)試驗(yàn)確定了LED之間的距離、LED發(fā)光面到導(dǎo)
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