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cmos-mems 文章進入cmos-mems技術(shù)社區(qū)

NEMS-納機電系統(tǒng)

納機電系統(tǒng)(Nano-ElectromechanicalSystem,簡稱NEMS)是20世紀(jì)90年代末、21世紀(jì)初提出的一個新概念?？梢赃@...
關(guān)鍵字： MEMS傳感器 memset MEMS壓力傳感器 MEMS交換 MEMS開關(guān) MEMS 傳感器

硅-硅直接鍵合工藝

硅-硅直接鍵合技術(shù)就是將兩個拋光硅片經(jīng)化學(xué)清洗和活化處理后在室溫下粘貼在一起，再經(jīng)過高溫退火處理，使鍵合...
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MEMS加工-MEMS制造技術(shù)

微機械加工是MEMS以及微光機電系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)。微機械加工可分為體微機械加工和表面微機械加工兩種類型。體...
關(guān)鍵字： MEMS 制造技術(shù)

MEMS封裝技術(shù)及相關(guān)公司

MEMS封裝屬于后道工藝，成本往往占到整個MEMS元件的70～80％。與生產(chǎn)環(huán)節(jié)相比，封裝環(huán)節(jié)水平更能決定MEMS產(chǎn)品的競爭...
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MEMS與CMOS技術(shù)的異同點

在某種程度上，MEMS可以看作CMOS集成電路的擴展。如果將CMOS比喻為人的大腦和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，那么MEMS就是大腦智慧的...
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壓力傳感器-Pressure sensor

壓力傳感器是指將壓力轉(zhuǎn)換為電信號輸出的傳感器。壓力傳感器一般由彈性敏感元件和位移敏感元件（或應(yīng)變計）組成...
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MEMS設(shè)計的高度復(fù)雜性

近年來，微機電系統(tǒng)（MEMS）的研究已取得了很大進步，但真正商品化的MEMS產(chǎn)品主要還是一些傳感器類產(chǎn)品。這表明MEMS...
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MEMS傳感器市場分析

MEMS(Micro-Electro-MechanicalSystems)是微機電系統(tǒng)的縮寫，MEMS技術(shù)建立在微米/納米基礎(chǔ)上，是對微米/納米材...
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中國壓力傳感器行業(yè)發(fā)展問題分析

目前，我國壓力傳感器市場發(fā)展過程中主要受到技術(shù)方面及行業(yè)內(nèi)企業(yè)能力兩大方面因素制約了我國該產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)...
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中國MEMS產(chǎn)業(yè)存在的問題

盡管中國的MEMS產(chǎn)業(yè)面臨良好的發(fā)展機遇，但不容忽視的是，與國外MEMS產(chǎn)業(yè)界相比，目前國內(nèi)MEMS產(chǎn)業(yè)的發(fā)展存在以下...
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SOI技術(shù)的優(yōu)勢及其制造技術(shù)

1引言SOI是英文Silicon-On-Insulator的簡稱，指具有在絕緣襯底上再生長一層單晶硅薄，或者是單晶硅薄...
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全CMOS基準(zhǔn)電壓源的分析與仿真

摘要：文章基于CMOS 0．18mu;m工藝，在Hspice下，對四利PMOS管基準(zhǔn)電壓源進行了分析和仿真，文中給出了每種電路仿真時的電路參數(shù)和仿真結(jié)果。
關(guān)鍵詞：基準(zhǔn)電壓；CMOS集成電路；Hspice

0 引言
模擬電路廣泛
關(guān)鍵字：仿真分析電壓基準(zhǔn) CMOS

ST推出新一代6軸傳感器模塊

　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球第一大消費電子和便攜設(shè)備MEMS(微機電系統(tǒng))傳感器供應(yīng)商意法半導(dǎo)體進一步擴大MEMS產(chǎn)品組合，推出整合三軸線性運動和角速率傳感器的新一代傳感器模塊，這款擁有6個自由度的高性能多傳感器模塊適用于先進運動感測應(yīng)用，包括遙控器、黑匣子數(shù)據(jù)記錄儀以及增強型全球定位系統(tǒng)。
關(guān)鍵字： ST MEMS

ST推出可提供6個自由度的全新MEMS模塊

橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球第一大消費電子和便攜設(shè)備MEMS（微機電系統(tǒng)）傳感器供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）進一步擴大MEMS產(chǎn)品組合，推出整合三軸線性運動和角速率傳感器的新一代傳感器模塊，這款擁有6個自由度的高性能多傳感器模塊適用于先進運動感測應(yīng)用，包括遙控器、黑匣子數(shù)據(jù)記錄儀以及增強型全球定位系統(tǒng)。
關(guān)鍵字： ST MEMS

艾克賽利將介紹業(yè)內(nèi)最新BSIM－IMG模型的應(yīng)用

　　艾克賽利(Accelicon)，器件級建模驗證以及PDK解決方案的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者，宣布將出席于2011年10月3日到6日在美國亞利桑那州Tempe市舉辦的IEEE國際絕緣體上硅大會(2011 IEEE International SOI Conference)，并在會上介紹業(yè)內(nèi)最新BSIM-IMG模型的應(yīng)用情況。
關(guān)鍵字：艾克賽利 CMOS

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