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高幅度任意波形/函數(shù)發(fā)生器簡化汽車、半導(dǎo)體、科學(xué)和工業(yè)應(yīng)用中的測量
- 許多電子設(shè)計應(yīng)用要求的激勵源幅度超出了當(dāng)前市場上大多數(shù)任意波形/函數(shù)發(fā)生器的能力，包括電源半導(dǎo)體應(yīng)用，如汽車電子系統(tǒng)和開關(guān)電源中廣泛使用的MOSFETs和IGBTs，氣相色譜和質(zhì)譜檢測器使用的放大器，以及科學(xué)和工業(yè)應(yīng)用中使用的其它設(shè)備。本文描述了使用外部放大器生成高幅度信號的傳統(tǒng)方法，然后討論了典型應(yīng)用，說明了使用集成高幅度階段的新型任意波形/ 函數(shù)發(fā)生器的各種優(yōu)勢。
- 關(guān)鍵字： 泰克 MOSFET IGBT 200903
業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻MOSFET
- Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。 現(xiàn)有的同類 SO-8 封裝器件額定電壓下導(dǎo)通電阻僅低至 24 mΩ ，而Vishay的 Si7633DP 具有 3.3 mΩ （在 10 V
- 關(guān)鍵字： MOSFET
Diodes自保護(hù)式MOSFET節(jié)省85%的占板空間
- Diodes公司擴(kuò)展其IntelliFET產(chǎn)品系列，推出全球體積最小的完全自保護(hù)式低壓側(cè)MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封裝，與正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封裝的元件相比節(jié)省了85%的占板空間。 雖然SOT23F的扁平封裝體積小巧，但其卓越的散熱性能可使ZXMS6004FF提供三倍于同類較大封裝元件的封裝功率密度。這款最新IntelliFET的導(dǎo)通電阻僅為500m?，能夠使功耗保持在絕對極小值。 ZXMS
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET ZXMS6004FF
IR推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字： InternationalRectifier HEXFET MOSFET
基于漏極導(dǎo)通區(qū)特性理解MOSFET開關(guān)過程
- 本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關(guān)過程；然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關(guān)過程的方法：基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開關(guān)過程，并詳細(xì)闡述了其開關(guān)過程。
- 關(guān)鍵字： MOSFET 漏極 導(dǎo)通 開關(guān)過程
如何進(jìn)行OLED電源設(shè)計
- 有些設(shè)計者為了追求較高的轉(zhuǎn)換效率, 選擇了升壓方式，產(chǎn)生一組高于輸入的穩(wěn)定輸出, 如圖三的升壓架構(gòu)。由于功率開關(guān)MOSFET是外置的, 可提供較大的輸出功率。在輸出功率許可的條件下，也可以選擇內(nèi)置MOSFET功率開關(guān)的升壓轉(zhuǎn)換器，如MAX1722, 可有效節(jié)省空間、降低成本。 手機Vdd解決方案 對于手機Vdd，可以選擇Buck電路提供所需要的電壓。圖四便是一個內(nèi)置MOSFET功率開關(guān)的同步降壓結(jié)構(gòu)，可提供400mA的輸出電流。工作頻率高達(dá)1.2MHz, 允許設(shè)計者選用小尺寸的電感和輸出電容,
- 關(guān)鍵字： MOSFET 電源 OLED
尺寸縮小對溝槽MOSFET性能的影響
- 0 引言 近幾年，隨著電子消費產(chǎn)品需求的日益增長，功率MOSFET的需求也越來越大。其中，TMOS由于溝道是垂直方向，在相同面積下，單位元胞的集成度較高，因此導(dǎo)通電阻較低，同時又具有較低的柵－漏電荷密度、較大的電流容量，從而具備了較低的開關(guān)損耗及較快的開關(guān)速度，被廣泛地應(yīng)用在低壓功率領(lǐng)域。 低壓TMOS的導(dǎo)通電阻主要是由溝道電阻和外延層電阻所組成，為了降低導(dǎo)通電阻，同時不降低器件其他性能，如漏源擊穿電壓，最直接的辦法是減少相鄰元胞的間距，在相同的面積下，增加元胞的集成度?；诖?，本文借助了溝槽
- 關(guān)鍵字： MOSFET
飛兆半導(dǎo)體推出業(yè)界最薄的MicroFET? (0.55mm) MOSFET
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新超薄的高效率MicroFET產(chǎn)品FDMA1027，滿足現(xiàn)今便攜應(yīng)用的尺寸和功率要求。FDMA1027是20V P溝道PowerTrench® MOSFET，F(xiàn)DFMA2P853則是20V P溝道PowerTrench® MOSFET，帶有肖特基二極管，并采用2mm x 2mm x 0.55mm MLP封裝。相比低電壓設(shè)計中常用的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET，新產(chǎn)品的體積減小55%、高度降低5
- 關(guān)鍵字： 飛兆半導(dǎo) FDMA1027 MOSFET
安森美半導(dǎo)體推出8款新器件用于消費和工業(yè)應(yīng)用
- 2008年11月13日 – 全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)推出8款新的MOSFET器件，專門為中等電壓開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計。這些MOSFET非常適用于直流馬達(dá)驅(qū)動、LED驅(qū)動器、電源、轉(zhuǎn)換器、脈寬調(diào)制(PWM)控制和橋電路中，這些應(yīng)用講究二極管速度和換向安全工作區(qū)域(SOA)，安森美半導(dǎo)體的新MOSFET器件提供額外的安全裕量，免應(yīng)用受未預(yù)料的電壓瞬態(tài)影響。 這些新的60伏(V)器件均是單N溝道MOS
- 關(guān)鍵字： 安森美半導(dǎo)體 MOSFET
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