2023年8月31日--東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產(chǎn)品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業(yè)設備應用。該系列中五款額定電壓為650V，另外五款額定電壓為1200V，十款產(chǎn)品于今日開始批量出貨。
 

 
 新產(chǎn)品是東芝碳化硅MOSFET產(chǎn)品線中首批采用4引腳TO-247-4L(X)封裝的產(chǎn)品，其封裝支持柵極驅(qū)動信號源極端使用開爾文連接，有助于減少封裝內(nèi)源極線電感的影響，從而提高高速開關(guān)性能。與東芝目前采用3引腳TO-247封裝的產(chǎn)品TW045N120C相比，新型TW045Z120C的開通損耗降低了約40%，關(guān)斷損耗降低了約34%[2]。這一改善有助于降低設備功率損耗。
 使用SiC MOSFET的3相逆變器參考設計已在東芝官網(wǎng)發(fā)布。
 東芝將繼續(xù)擴大自身產(chǎn)品線，進一步契合市場趨勢，并助力用戶提高設備效率，擴大功率容量。
 使用新型SiC MOSFET的3相逆變器
 

 使用SiC MOSFET的3相逆變器  

簡易方框圖
 ? 應用： - 開關(guān)電源（服務器、數(shù)據(jù)中心、通信設備等） - 電動汽車充電站 - 光伏變頻器 - 不間斷電源（UPS）
 ? 特性： - 4引腳TO-247-4L(X)封裝： 柵極驅(qū)動信號源極端使用開爾文連接，可降低開關(guān)損耗 - 第3代碳化硅MOSFET - 低漏源導通電阻×柵漏電荷 - 低二極管正向電壓：VDSF＝-1.35V（典型值）（VGS＝-5V）
 ? 主要規(guī)格： （除非另有說明，Ta＝25℃）  

 
 *本文提及的公司名稱、產(chǎn)品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。 *本文檔中的產(chǎn)品價格和規(guī)格、服務內(nèi)容和聯(lián)系方式等信息，在公告之日仍為最新信息，但如有變更，恕不另行通知。   關(guān)于東芝電子元件及存儲裝置株式會社 東芝電子元件及存儲裝置株式會社是先進的半導體和存儲解決方案的領(lǐng)先供應商，公司累積了半個多世紀的經(jīng)驗和創(chuàng)新，為客戶和合作伙伴提供分立半導體、系統(tǒng)LSI和HDD領(lǐng)域的杰出解決方案。   公司22,200名員工遍布世界各地，致力于實現(xiàn)產(chǎn)品價值的最大化，東芝電子元件及存儲裝置株式會社十分注重與客戶的密切協(xié)作，旨在促進價值共創(chuàng)，共同開拓新市場，公司現(xiàn)已擁有超過8,598億日元（62億美元）的年銷售額，期待為世界各地的人們建設更美好的未來并做出貢獻。   如需了解有關(guān)東芝電子元件及存儲裝置株式會社的更多信息，請訪問以下****：https://toshiba-semicon-storage.com