- 晶圓代工產(chǎn)能吃緊?這句話若在6個月前說出，肯定會笑掉人家大牙，不過面對2009年第4季臺系2大晶圓代工廠產(chǎn)能利用率仍近90%，加上設備供應商2008年底、2009年初停掉的生產(chǎn)線無法有效恢復，而臺積電又包下不少新增機臺訂單后，在全球晶圓代工產(chǎn)能2010年的開出速度及幅度肯定不若預期下，2010年第2季晶圓代工產(chǎn)能會吃緊，已是有跡可尋。
從 2009年第1季全球半導體產(chǎn)業(yè)景氣觸底以來，我們已聽過太多生產(chǎn)線開工不及，產(chǎn)線良率拉高不順，產(chǎn)能開出不若預期的消息，如TFT面板廠、DRAM廠生產(chǎn)完全停工，臺
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臺積電 晶圓代工 DRAM IC設計
- 臺塑集團旗下DRAM廠南亞科和華亞科的DRAM整合策略再度大轉彎，從原本堅持一定要送件，以爭取與臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)同等待遇的補助款，19日改口考慮不一定會送件;業(yè)者透露，原本臺塑在計劃書中提議要整合的對象為華邦電，但華邦電卻表示無意參與這次的整合，讓臺塑內部相當頭痛，于是提出腹案，考慮不提計劃書，而改采訴諸媒體公論方式瓦解TIMC。
這次“經(jīng)濟部”提出的「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」，目前僅有TIMC提出申請計劃，外界相當期待臺塑集團加入申請補助行列，隨著最后申請截
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南亞科 DRAM 晶圓
- 日系DRAM大廠爾必達(Elpida) 2010會計年度第2季(7~9月)出現(xiàn)連虧8季以來的首度由虧轉盈，營收960億日圓(約10.66億美元)，營業(yè)利益5億日圓，加上日前1Gb容量 DDR2價格沖上2.5美元價位， DRAM廠營運狀況大幅轉好，更開始進入獲利狀態(tài)。業(yè)界預估，如果DRAM價格2美元以上的水平可以再維持1季，爾必達即不需要獲得日本政府基金的補助款，屆時美光向美國WTO告狀一事，也不會成為困擾。2009年爾必達打算跳過50奈米制程，直接投資40奈米制程生產(chǎn)線，成本大幅降低，可正式與三星電子
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Samsung DRAM DDR2
- 9月DRAM價格猛增13% Flash亦漲4%
最近幾個月來，DRAM價格連連上漲，同時也拉升了NAND Flash顆粒的價格。各大晶圓廠和模組廠也都連連傳出利好消息。雖然各大內存廠商的產(chǎn)品訂單和資金流相較2009年年初的金融海嘯時期已經(jīng)有較大起色，但是這內存的價格上漲也波及到了電子賣場中的零售價格。那么究竟現(xiàn)在的內存產(chǎn)品是怎樣的一個局面呢，下面小編就給大家來個深度分析，給你講講這里面的道道。
9 月的1Gbit DDR2 DRAM的平均報價約為 1.70 美元，較上個月多出了近 13%。
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內存 DRAM 40納米
- 日系DRAM制造大廠爾必達(Elpida Memory)取得瑞晶70%以上主導權，讓瑞晶成為名符其實的日系公司，惟存儲器業(yè)者透露，當初力晶因為債務問題，將瑞晶持股賣給爾必達時，設下「買回期限」，在期限內有權再將瑞晶持股買回，因此近期力晶計劃向爾必達提出買回瑞晶的持股，惟一切問題都卡在錢關，力晶營運開始有現(xiàn)金流入后，將手上資金大力放在增加產(chǎn)能用途，加上2010年初到期的ECB要償還，力晶是否可在「買回期限」籌到錢為瑞晶贖身，市場相當關切。
隨著DDR2價格大漲，力晶營運度過最艱難的時期，每月開始有
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爾必達 DRAM DDR2
- 根據(jù)日經(jīng)新聞(Nikkei)報導，日本半導體大廠爾必達 (Elpida Memory)為強化在臺灣的生產(chǎn)體系，除了2009年將提高合資企業(yè)瑞晶電子的持股比率超過7成之外，也正研議是否于臺灣設立第1個海外研究開發(fā)據(jù)點。爾必達計劃與臺灣DRAM廠合作，重建事業(yè)版圖，并考量加強對瑞晶電子的影響力以獲取日臺合資的主導權。
瑞晶電子是爾必達與臺灣力晶半導體于2007年合資成立，當時爾必達出資52%，擁有12寸晶圓廠的制造設備，每月產(chǎn)能可達7.5萬片，主要生產(chǎn)一般PC所使用的DRAM。
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爾必達 DRAM
- 按SEMI的資深分析師Christian Dieseldorff報道，SEMI的全球Fab預測于2010年時全球Fab投資再增加64%，達240億美元。
ICInsight的McClean認為，今年第三季度的全球產(chǎn)能利用率可達88%，接近去年金融危機之前的水平。它還認為2007年的產(chǎn)能利用率達90%，一直維持到去年的前三個季度。之后2008 Q4下降到68%，2009 Q1為最低水平是57%，到09 Q2由于OEM為補充庫存而使產(chǎn)能利用率又回復到78%。
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Inotera 70納米 溝槽式 DRAM
- 半導體市場回溫，ASML市場智庫總監(jiān)Antonio Mesquida Küsters表示，客戶對設備下單需求增溫，他引用研究機構預測，2010年半導體微顯影設備可望成長30%至少達到40億歐元。尤其晶圓代工領域，經(jīng)過18個月的壓低資本支出，現(xiàn)在業(yè)者更積極投資擴充產(chǎn)能，他個人亦樂見臺積電積極擴充產(chǎn)能，滿足客戶投單需求的做法。
Küsters表示，2008 年是變動相當劇烈的一年，回顧2007年時研究機構還對2008年奧運所帶來的商機相當樂觀，孰料DRAM價格快速崩落約65%，緊
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ASML DRAM 晶圓代工
- 在金融海嘯、全球經(jīng)濟不景氣期間，由劉內閣所推出的半導體業(yè)整并計劃，最近又出現(xiàn)了新的變化。由于當局規(guī)劃整合的TMC公司選擇與日商爾必達合作，引起美商美光公司不悅，狀告美國參議員，聲言這是不公平競爭，將要求美國政府貿(mào)易干預。如果此事成真，則政府投資的經(jīng)費將如泥牛入海，全無投資報酬可言。消息傳出后，不但爾必達在日本股價大跌，我們的半導體整并案也陷入極大的不確定性，使?jié)撛谕顿Y者與政府都忐忑不安，前景堪慮。
對于美光公司的指控，“經(jīng)濟部”官員雖然提出答辯，但內容顯然不夠完整。工業(yè)局
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TMC DRAM
- TIMC成立至今尚未正式獲得政府的資金挹注，然美光(Micron)透過美國政府和WTO施壓，引發(fā)外界認為TIMC投資爾必達 (Elpida)的計畫是否會生變?宣明智5日認為，此事與TIMC成立規(guī)畫和投資爾必達的計畫之間沒有關連性，不明白外界為何會如此聯(lián)想，同時TIMC營運的概況并不會受到影響。而工業(yè)局在上周也公開力挺表示，TIMC投資爾必達將有助深化雙方合作，對于政府推動DRAM技術扎根的策略，相當有助益，即使未來TIMC投資爾必達，并無違反 WTO公平競爭的原則。
由宣明智領軍的TIMC雖然已
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TIMC DRAM 存儲器
- 歷史發(fā)展
自從1971年Intel公司研發(fā)出lKB的DRAM，距今已近40年，從此開創(chuàng)了DRAM的歷史。DRAM不僅推進了電子技術的前進，而且對各國半導體業(yè)的發(fā)展也發(fā)揮了舉足輕重、無可取代的巨大作用。
眾所周知，進入上世紀80年代，隨著大型計算機市場擴大，DRAM需求巨增。由于當時DRAM技術要求較低，其特點是量大面廣，勝負在于大規(guī)模生產(chǎn)技術，而這正是日本公司的強項。因而盡管日本在LSI(大規(guī)模集成電路)DRAM時代還落后于美國兩年，但在“官產(chǎn)學”舉國一致的努力下，
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Intel DRAM VLSI LSI 200910
- 據(jù)國外媒體今日報道，在美國閃存芯片廠商美光科技提出投訴后，美國政府承諾就日本最大電腦閃存廠商必爾達的補貼問題向日本和中國臺灣施加壓力。
美國貿(mào)易代表榮·基克(Ron Kirk)向愛達荷州共和黨參議員邁克·卡拉普(Mike Crapo)致函，承諾會通過世界貿(mào)易組織以及單獨會晤擁有半導體產(chǎn)業(yè)的國家，要求日本和中國臺灣就補貼問題提供更多信息。愛達荷州是美光科技的總部所在地。
基克在這封9月24日的信件中表示：“我們理解這個問題對你和對美國DRAM芯片制造商
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美光 DRAM 閃存芯片
- 動態(tài)存儲器(DRAM)需要通過刷新來保持內部的數(shù)據(jù)。為降低存儲器刷新過程的電路功耗，設計一種具有溫度自適應特性的刷新控制電路。根據(jù)二極管的電流在閾值電壓附近的溫度特性，利用電容充放電的結構，提出一種具有溫度自適應特性的刷新時鐘電路，使存儲器刷新頻率隨電路溫度變化而變化，其趨勢符合動態(tài)存儲器的刷新要求。仿真實驗結果表明，新的電路在保證DRAM信息得到及時刷新的前提下，有效地降低了其刷新過程中的功耗。
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DRAM 溫度 時鐘電路
- 美林證券最新出爐的報告，茂德股價慘跌，技術遲遲沒有更新，目前正致力于重整，管理高層表示，內部將研發(fā)72納米的技術來制作 1GB，采用日本內存芯片大廠爾必達(Elpida) 65納米的技術，但是這項協(xié)議還在洽談之中，目前正在看臺灣創(chuàng)新內存公司(TIMC)合作行動內存(Mobile DRAM) ，以充足資本額。
美林證券預期，茂德今年第4季的營業(yè)利益率為負141%，關鍵是技術缺乏競爭力，而且晶圓的產(chǎn)能利用率低于 40%，給予“表現(xiàn)低于大盤”評等，目標價降低19%，從 1.05
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爾必達 65納米 DRAM
- 隨著DRAM價格自谷底翻揚，原本哀鴻遍野的DRAM廠傳出轉虧為盈好消息，具臺系色彩的瑞晶將搶下頭香，率先于9月開始小幅獲利，第3季可望損益兩平，華亞科則有機會接棒，估計營收只要站上40億元大關，便可跨越損益平衡點、順利轉虧為盈。目前除瑞晶和華亞科外，包括茂德、力晶都已現(xiàn)金凈流入，南亞科自有產(chǎn)能亦開始有現(xiàn)金流入，臺系DRAM廠逐漸走出悲情、迎向春天。
相較于三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)50奈米制程紛已開始量產(chǎn)，臺系DRAM廠仍停留在70奈米制程，由于臺、
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Hynix 50納米 DRAM
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [
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