emmc 文章 進(jìn)入emmc技術(shù)社區(qū)
8G的芯片我們究竟能用多少？
- 存儲技術(shù)飛速發(fā)展，存儲成本越來越低，但是我們買到的U盤，硬盤容量卻仍然總是會比標(biāo)稱值少很多，是廠商為了節(jié)約成本還是有其他苦衷?今天，就讓我們從芯片角度，了解一下存儲設(shè)備實際容量總是小于標(biāo)稱值更深層次的原因?！ ‰S著存儲技術(shù)的飛速發(fā)展，存儲芯片的存儲密度和存儲速度都得到了很大的提升，而存儲芯片的成本卻在不斷降低，還記得幾年前買個8G的U盤需要60塊大洋，而現(xiàn)在僅需要20多塊錢，手機也從幾年前的4G機身內(nèi)存飆升到現(xiàn)在的64G、128G內(nèi)存?！ ?nbsp; 話雖這么說，但是我
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手機標(biāo)稱16G內(nèi)存，為何實際卻少于16G
- 摘要：現(xiàn)在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲介質(zhì)，就是各類移動終端及手機的主要存儲介質(zhì)。兩者有何區(qū)別，存儲芯片的實際大小與標(biāo)稱值又有什么關(guān)系呢? 我們總是在說手機內(nèi)存，那到底是用什么介質(zhì)存儲的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲介質(zhì)。eMMC是近幾年智能手機興起后，為滿足不斷增大的系統(tǒng)文件而誕生的，是NAND Flash的升級版,他的結(jié)構(gòu)如下： 我們接觸到的16G、32G等手機，為何實際存儲容量卻總是小于這些值呢?難道
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Atmel在2015臺北國際電腦展上展示完整的可穿戴應(yīng)用解決方案
- 全球微控制器及觸控技術(shù)解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者Atmel®公司今日推出其首款可穿戴應(yīng)用解決方案，該方案整合了Atmel廣泛的產(chǎn)品組合。Atmel圍繞智能胸牌概念設(shè)計了一個7cm x 9cm的演示設(shè)備，它采用低功耗嵌入式處理、無線、觸摸及傳感器技術(shù)打造一個完整的系統(tǒng)。借助Atmel領(lǐng)先業(yè)界的技術(shù)，這一完整系統(tǒng)解決方案能夠展示幾乎任何類型的可穿戴應(yīng)用。 該演示設(shè)備將Atmel及其合作伙伴的多項軟硬件技術(shù)整合到一個經(jīng)過高度優(yōu)化、開箱即用的完整解決方案中，不僅能夠滿足可穿戴市場的復(fù)雜要求，而且還能將
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三星新儲存元件 讓中端手機也享大容量
- 在Galaxy S6搭載最高128GB儲存容量后，三星似乎也計畫讓更多手機也能享有大容量，稍早宣布將推出以eMMC 5.0技術(shù)為基礎(chǔ)，同時最高儲存容量達(dá)128GB的3-bits-per-cell NAND Flash儲存元件，并且對應(yīng)每秒達(dá)260MB讀取速度表現(xiàn)，預(yù)期將使中階規(guī)格以下手機產(chǎn)品，以及多數(shù)記憶卡產(chǎn)品能在成本預(yù)算內(nèi)有更大儲存容量選擇。 ? 根據(jù)三星公布消息，預(yù)計將推出以eMMC 5.0技術(shù)為基礎(chǔ)，同時最高儲存容量達(dá)128GB的3-bit NAND Flash儲存
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研調(diào)：12月上旬NAND Flash合約價跌幅2%內(nèi)
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究顯示，美系廠商在第三季季底財報結(jié)算壓力過后，不再采取積極價格戰(zhàn)，使得原廠間戰(zhàn)火稍緩。另一方面，因模組廠預(yù)期此波價格跌勢將持續(xù)，再加上手中庫存仍充足下，大多傾向12月月底再進(jìn)行采購談判，以爭取更優(yōu)惠的價格。因此，12月上旬因交易氣氛冷清，NAND Flash合約價呈持平或僅微幅下跌0-2%。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋表示，在歐美圣誕節(jié)備貨動能正式結(jié)束后，受到季節(jié)性因素影響，預(yù)期明(2015)年第一季全球智慧型手機
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研調(diào)：明年NAND Flash產(chǎn)業(yè)續(xù)向上，產(chǎn)值估增12%
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，NAND Flash成本隨著制程演進(jìn)而持續(xù)下滑，各種終端應(yīng)用如SSD與eMMC等需求則持續(xù)成長，2015年NAND Flash產(chǎn)值將較2014年成長12%至276億美元。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，由于終端產(chǎn)品出貨與新機上市多半都集中在第三季和第四季，相較之下，上半年缺少新產(chǎn)品刺激市場，受淡季效應(yīng)影響情況將較為顯著，因此預(yù)估2015年NAND Flash市況將呈現(xiàn)上冷下熱的格局，也就是上半年會出現(xiàn)供過于求
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Spansion：eMMC填補市場需求和閃存發(fā)展缺口
- 昨天，Spansion舉行媒體發(fā)布會，推出面向消費電子、通信和工業(yè)嵌入式系統(tǒng)的工業(yè)級eMMC閃存產(chǎn)品，并向記者介紹了eMMC閃存的市場定位和需求情況。 與其他Spansion產(chǎn)品一樣，這次發(fā)布的eMMC閃存主要是針對嵌入式客戶設(shè)計的，這類客戶通常對于工作溫度范圍、數(shù)據(jù)保護(hù)和支持工具有嚴(yán)格的測試和要求，這樣讓OEM能夠更容易地?fù)?jù)此設(shè)計自己的產(chǎn)品。 據(jù)Spansion公司NAND閃存產(chǎn)品營銷及業(yè)務(wù)拓展總監(jiān)Touhid Raza介紹，eMMC是一種在行業(yè)使用比較普遍的存儲器標(biāo)準(zhǔn)，而Spansio
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SK海力士強化SSD市場 明年量產(chǎn)3D NAND
- SK海力士(SK Hynix)為加強攻略次世代儲存裝置固態(tài)硬盤(SSD)市場，將自2015年量產(chǎn)3D NAND Flash。據(jù)南韓每日經(jīng)濟(jì)報導(dǎo)，SK海力士已完成3D NAND研發(fā)作業(yè)，將于2015年正式展開銷售。 SK海力士將現(xiàn)有的部分NAND Flash產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為3D NAND產(chǎn)線投入量產(chǎn)，3D NAND將在南韓清州工廠生產(chǎn)。3D NAND不同于半導(dǎo)體Cell平面展開的傳統(tǒng)NAND Flash，而是將Cell垂直堆棧，提升信息處理速度和效能。因半導(dǎo)體微細(xì)化已達(dá)物理性上限，要如何堆棧并提升產(chǎn)品性
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三星小米密謀大招：芯片運行速度將為上一代三倍
- 目前旗艦級手機上常用的存儲芯片大都支持eMMC 5.0規(guī)范，其理論上最大傳輸速度可達(dá)400MB/s。而據(jù)說三星和小米等正準(zhǔn)備在下代產(chǎn)品中采用UFS 2.0方案的存儲芯片，其理論傳輸速度高達(dá)1.2GB/s。 UFS 2.0使用的是串行界面，很像PATA、SATA的轉(zhuǎn)換。它支持全雙工運行，可同時讀寫操作，期間的電源管理也更高效，此外還支持指令隊列。相比之下，eMMC是半雙工，讀寫必須分開執(zhí)行，指令也是打包的。 上述消息來自韓國媒體ETNews，該媒體表示三星內(nèi)部人士表示，采用UFS存儲芯片的智
- 關(guān)鍵字： 三星 小米 eMMC 5.0
Gartner：2013年eMCP銷售成長超越eMMC
- 市調(diào)機構(gòu)Gartner近日發(fā)布「2013年全球eMMC/eMCP供應(yīng)商市場占有率分析」(MarketShareAnalysis:eMMCandeMCPVendorsbyRevenue,Worldwide,2013)。根據(jù)這份報告顯示，2013年全球eMMC與EMCP市場營收達(dá)到了33.17億美元，其中，三星電子(SamsungElectronics)占35.6%的市占率，成為全球第一的eMMC/eMCP供應(yīng)商。 2013年的前四大供應(yīng)商包括三星、東芝(Toshiba)、海力士(SKHynix
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Gartner：2013年eMCP銷售成長超越eMMC
- 市調(diào)機構(gòu)Gartner近日發(fā)布「2013年全球 eMMC / eMCP 供應(yīng)商市場占有率分析」(Market Share Analysis: eMMC and eMCP Vendors by Revenue, Worldwide, 2013 )。根據(jù)這份報告顯示，2013年全球 eMMC 與 EMCP 市場營收達(dá)到了33.17億美元，其中，三星電子(Samsung Electronics)占35.6%的市占率，成為全球第一的 eMMC / eMCP 供應(yīng)商。 2013年的前四大供應(yīng)商包括三星
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emmc介紹
eMMC為MMC協(xié)會所訂立的內(nèi)嵌式存儲器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格，主要是針對手機產(chǎn)品為主，而手機的內(nèi)嵌式標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格除了eMMC之外，還包括SD協(xié)會設(shè)立的eSD規(guī)格，但目前看來仍是eMMC的使用客戶群較普及，目前是eMMC4.3世代，下一代是eMMC4.4規(guī)格。
過去NAND Flash技術(shù)只要從50奈米轉(zhuǎn)換至30奈米制程，或是SLC轉(zhuǎn)換成MLC芯片，手機大廠都相當(dāng)頭痛，必須重新設(shè)計以及處里兼容性問題，然NAND [ 查看詳細(xì) ]
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