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基于SRAM芯片立體封裝大容量的應用
- 靜態(tài)隨機存儲器(static?RAM)，簡稱SRAM。在電子設備中，常見的存儲器有SRAM(靜態(tài)隨機訪問存儲器)、FLASH(閃速存儲器)、DRAM(動態(tài)存儲器)等。其中不同的存儲器有不同的特性，SRAM無需刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失。與SDRAM相比，SRAM不需要時鐘信號，即可保持數(shù)據(jù)不丟失。 1、VDMS16M32芯片介紹 VDSR16M32是一款工作電壓3.3V，16Mbit，32位數(shù)據(jù)總線的立體封裝SRAM模
- 關鍵字： SRAM FLASH DRAM VDSR16M32
2014年Flash LED市場走勢將呈現(xiàn)M型化
- FlashLED在智慧型手機的滲透率已達100%，看準Flash商機，LED業(yè)者積極投入Flash市場。2013年FlashLED的規(guī)格以驅(qū)動電流1000mA、500mA與350mA為主流，業(yè)內(nèi)人士認為，2014年FlashLED市場將呈現(xiàn)M型化發(fā)展，高階規(guī)格以驅(qū)動電流1000mA所主導，而低階則會以驅(qū)動電流350mA為主。 LEDFlash具有高穩(wěn)定性、發(fā)光角度小、低電壓即可驅(qū)動、不需要充電與壽命較長等特性，F(xiàn)lashLED已成為智慧型手機標配，以2013年FlashLED市況來看，主流規(guī)
- 關鍵字： Flash LED
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閃存（Flash ROM）：
是一種電擦除非易失型存儲器，由浮柵型場效應管構成，寫入時，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時，則利用高壓下的隧道效應，使浮柵失去電子。
FLASH閃存是半導體技術，內(nèi)部是相對靜態(tài)的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導體技術發(fā)展很快，價格下降也很快，這是目前的MP3大多數(shù)是用FLASH閃存的原因。
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