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          CMOS傳感器/SDDS,什么是CMOS傳感器/SDDS

          • CMOS傳感器CMOS傳感器是一種通常比CCD傳感器低10倍感光度的傳感器。光度一般在6到15Lux的范圍內(nèi),CMOS傳感器有固定比CCD傳感器高10倍的噪音,固定的圖案噪音始終停留在屏幕上好像那就是一個圖案,因為CMOS傳感器在10
          • 關鍵字: /SDDS  傳感器  CMOS  什么  

          利用CMOS功率放大器優(yōu)化單芯片手機方案

          • 每年生產(chǎn)10多億部手機的手機市場已成為半導體產(chǎn)業(yè)中競爭最激烈的領域。一直有這種說法:諸如砷化鎵(GaAs)、橫向 ...
          • 關鍵字: CMOS  功率放大器  單芯片手機  

          AMD明年啟用28nm CMOS工藝

          •   AMD公司高級副總裁兼首席技術官Mark Papermaster表示,AMD在2013年芯片生產(chǎn)工藝將有重大變化,將完全從現(xiàn)有的SOI制造工藝切換到28nm Bulk CMOS工藝。至于GPU制造,AMD并不打算作出任何改變。目前南方群島系列GPU,已經(jīng)采用臺積電28nm工藝,而AMD秋季即將推出的海島系列GPU將繼續(xù)采用相同工藝,海島系列GPU已經(jīng)進入樣品試生產(chǎn)階段,在2012年年底開始生批量生產(chǎn),在2013年第一季度正式發(fā)布。   在評論異構(gòu)系統(tǒng)架構(gòu)(HSA)聯(lián)盟,是否用來應對英特爾和NVIDI
          • 關鍵字: ARM  CMOS  

          CMOS器件抗靜電措施的研究

          • 摘要:由于CMOS器件靜電損傷90%是延遲失效,對整機應用的可靠性影響太大,因而有必要對CMOS器件進行抗靜電措施。本文描述了CMOS器件受靜電損傷的機理,從而對設計人員提出了幾種在線路設計中如何抗靜電,以保護CMOS
          • 關鍵字: 研究  措施  抗靜電  器件  CMOS  

          CMOS工藝多功能數(shù)字芯片的輸出緩沖電路設計

          • 摘要:為了提高數(shù)字集成電路芯片的驅(qū)動能力,采用優(yōu)化比例因子的等比緩沖器鏈方法,通過Hspice軟件仿真和版圖設計測試,提出了一種基于CSMC 2P2M 0.6mu;m CMOS工藝的輸出緩沖電路設計方案。本文完成了系統(tǒng)的電原理
          • 關鍵字: 輸出  緩沖  電路設計  芯片  數(shù)字  工藝  多功能  CMOS  

          一種新型高速CMOS全差分運算放大器設計

          • 摘要:設計了一種基于流水線模/數(shù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)應用的低壓高速CMOS全差分運算放大器。該運放采用了折疊式共源共柵放大結(jié)構(gòu)與一種新型連續(xù)時間共模反饋電路相結(jié)合以達到高速度及較好的穩(wěn)定性。設計基于SMIC 0.25mu;m CM
          • 關鍵字: CMOS  全差分  放大器設計  運算    

          聯(lián)電與星國微電子開發(fā)TSV技術

          •   聯(lián)華電子與新加坡科技研究局旗下的微電子研究院今天宣布,將合作進行應用在背面照度式CMOS影像感測器的TSV技術開發(fā),透過這項技術,包括智慧手機、數(shù)位相機與個人平板電腦等行動電子產(chǎn)品,里面所采用的數(shù)百萬像素影像感測器,都可大幅提升產(chǎn)品效能、降低成本、體積減少。   聯(lián)電指出,市場上對于持續(xù)縮小像素,又能兼顧效能的需求,日益增強,帶動CMOS影像感測技術興起,而背面照度式技術則普遍被視為能夠讓微縮到微米級大小的像素,仍保有優(yōu)異效能的解決方案。   聯(lián)電指出,這次專案目標,希望提影像感測器靈敏度,支援更
          • 關鍵字: 聯(lián)華  CMOS  微電子  

          IMEC探討10nm以下制程變異

          •   在可預見的未來,CMOS技術仍將持續(xù)微縮腳步,然而,當我們邁入10nm節(jié)點后,控制制程復雜性和變異,將成為能否驅(qū)動技術向前發(fā)展的關鍵,IMEC資深制程技術副總裁An Steegen在稍早前于比利時舉行的IMEC Technology Forum上表示。   明天的智慧系統(tǒng)將會需要更多的運算能力和儲存容量,這些都遠遠超過今天的處理器和記憶體所能提供的極限。而這也推動了我們對晶片微縮技術的需求。   在演講中,Steegen了解釋IMEC 如何在超越10nm以后繼續(xù)推動晶片微縮。在10nm之后,或許還
          • 關鍵字: IMEC  CMOS  10nm    

          基于DSP內(nèi)嵌PLL中的CMOS壓控環(huán)形振蕩器設計

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
          • 關鍵字: PLL  DSP  CMOS  環(huán)形振蕩器  

          詳解背照式CMOS傳感器結(jié)構(gòu)和原理

          • 背照式CMOS傳感器詳細解讀時代發(fā)展,技術進步。數(shù)碼相機的各種新技術層出不窮,導致消費者面對廠家宣傳或者是相機參數(shù)列表中的一些專業(yè)詞匯,一般都會感到非常難于理解,以致影響到購機前的判斷。所以我們數(shù)碼相機頻
          • 關鍵字: 原理  結(jié)構(gòu)  傳感器  CMOS  詳解  

          3GHz~5GHz CMOS超寬帶低噪聲放大器設計

          • 超帶寬UWB(Ultra-Wideband)技術具有抗干擾能力強、傳輸速率高、帶寬極寬、功耗傳輸?shù)偷葍?yōu)勢,近年來已成為國內(nèi)外的研究熱點,并在短距離傳輸、高速無線LAN和成像處理等領域得到了廣泛應用[1]。不論在傳統(tǒng)的無線接收結(jié)
          • 關鍵字: 放大器  設計  噪聲  寬帶  5GHz  CMOS  3GHz  

          采用CMOS雙D觸發(fā)器CD4013的脈沖寬度檢測電路設計

          • D觸發(fā)器的常規(guī)使用一般是用作二分頻器、計數(shù)器或移位寄存器。然而,只要對D觸發(fā)器的外圍電路加以改進,根據(jù)其基本邏輯功能。就可充分發(fā)揮其獨特的作用。數(shù)字裝置中常用的脈沖寬度檢測電路,對脈沖信號的寬度進行識別
          • 關鍵字: 寬度  檢測  電路設計  脈沖  CD4013  CMOS  觸發(fā)器  采用  

          基于CMOS工藝的新型集成運算放大器設計

          • 集成電路,即integrated circuit,這是一種微型電子器件或部件,按功能可劃分為數(shù)字和模擬兩大類。而模擬集成電路一般用于模擬信號的產(chǎn)生和處理,有很多種種類,比如集成運算放大器、集成鎖相環(huán)、集成功率放大器、集
          • 關鍵字: CMOS  工藝  放大器設計  集成運算    

          ARM9平臺下的CMOS圖像傳感器數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)

          • 引言隨著CMOS(互補金屬氧化物半導體)技術的發(fā)展及市場需求的增加,CMOS圖像傳感器得以迅速發(fā)展。由于采用了C ...
          • 關鍵字: ARM9  CMOS  圖像傳感器  數(shù)據(jù)采集  

          ARM 9平臺下的CMOS圖像傳感器數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)

          • ARM 9平臺下的CMOS圖像傳感器數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),引言隨著CMOS(互補金屬氧化物半導體)技術的發(fā)展及市場需求的增加,CMOS圖像傳感器得以迅速發(fā)展。由于采用了CMOS技術,可以將像素陣列與外圍支持電路(如圖像傳感器核心、單一時鐘、所有的時序邏輯、可編程功能和A/D轉(zhuǎn)
          • 關鍵字: 數(shù)據(jù)采集  系統(tǒng)  傳感器  圖像  平臺  CMOS  ARM  
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