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          ST和Exagan攜手開啟GaN發(fā)展新章節(jié)
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 氮化鎵（GaN）是一種III／V族寬能隙化合物半導體材料，能隙為3.4eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率則分別為1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有特性，讓組件具有更高的擊穿電壓和更低的通態(tài)電阻，亦即相較于同尺寸的硅基組件，GaN可處理更大的負載、效能更高，而且物料清單成本更低。在過去的十多年里，產(chǎn)業(yè)專家和分析人士一直在預測，GaN功率開關組件的黃金時期即將到來。相較于應用廣泛的MOSFET硅功率組件，GaN功率組件具備更高的效率和更強的功耗處理能力，這
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          • 關鍵字：
                        ST  Exagan  GaN                          
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          憑借快充出圈的氮化鎵，為什么這么火？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 氮化鎵快充火爆的背后，除了受消費者需求影響，是否還有其他原因？為什么快充會率先用到氮化鎵呢？
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          • 關鍵字：
                        氮化鎵  快充  GaN                          
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          德州儀器宣布與中車株洲所簽署升級聯(lián)合設計實驗室合作備忘錄
          
                                                            
            
                    	
          • 德州儀器(TI)今日宣布與中國領先的軌道交通設備制造商中車株洲電力機車研究所有限公司（后簡稱“株洲所”）簽署諒解備忘錄，升級共同運營的聯(lián)合設計實驗室，實現(xiàn)更廣泛、更深層次的合作。此次合作旨在幫助中車株洲所運用TI廣泛的模擬和嵌入式處理產(chǎn)品和技術，加速包括軌道交通，電動汽車等方面的應用設計以助力中國新基建關鍵領域建設。合作還將拓展至太陽能和風能等可再生能源方面的應用，以響應中國在2060年實現(xiàn)碳中和的宏偉目標。德州儀器(TI)與中車株洲電力機車研究所合作備忘錄簽約儀式“新基建將推動中國城際軌道交通系統(tǒng)的快速
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          • 關鍵字：
                        德州儀器  GaN                          
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          Nexperia第二代650 V氮化鎵場效應管使80 PLUS?鈦金級電源可在2 kW或更高功率下運行
          
                                                            
            
                    	
          • 基礎半導體器件領域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術和競爭對手器件相比，新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開關模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS?鈦金級效率認證的服務器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內(nèi)的太陽能逆變器和伺服驅(qū)動器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
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          • 關鍵字：
                        Nexperia  MOSFET  GaN                          
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          砥礪前行，推進半導體產(chǎn)業(yè)的“芯”潮
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 南方科技大學深港微電子學院擁有未來通信集成電路教育部工程研究中心以及深圳市第三代半導體器件重點實驗室，圍繞中國半導體產(chǎn)業(yè)鏈，培養(yǎng)工程專業(yè)人才，搭建跨國跨區(qū)域的校企合作與人才教育平臺，建立以工程創(chuàng)新能力為核心指標的多元化機制，致力于對大灣區(qū)乃至全國的集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供強有力的支撐作用。其科研成果、產(chǎn)業(yè)推廣和人才培養(yǎng)成績斐然，在國產(chǎn)芯片發(fā)展浪潮中引人矚目。
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          • 關鍵字：
                        集成電路  微電子  氮化鎵器件  寬禁帶  IC  GaN  202103                          
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          TI為何把首款GaN FET定位于汽車和工業(yè)應用
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • GaN（氮化鎵）作為新一代半導體材料，正有越來越廣泛的應用。近日，德州儀器（TI）宣布其首款帶集成驅(qū)動器、內(nèi)部保護和有源電源管理的GaN FET，分別面向車用充電器和工業(yè)電源，可以實現(xiàn)2倍的功率密度和高達99%的效率。TI如何看待GaN在汽車和工業(yè)方面的機會？此次GaN FET的突破性技術是什么？為此，電子產(chǎn)品世界記者線上采訪了TI高壓電源應用產(chǎn)品業(yè)務部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom。TI高壓電源應用產(chǎn)品業(yè)務部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom1? ?GaN在電源領
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          • 關鍵字：
                        GaN  FET  SiC                          
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          在輕度混合動力汽車中利用GaN實現(xiàn)雙電池管理
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • John Grabowski：安森美半導體電源方案部門的首席應用和市場工程師，部門位于美國密歇根州安阿伯市。John Grabowski于2007年加入安森美半導體，此前他曾在福特汽車公司研究實驗室工作30年。他一直從事電路和軟件設計，應用于電氣、混合動力汽車和汽車動力總成系統(tǒng)。最近，他的團隊積極推動將高功率半導體應用于汽車電子化。引言為應對氣候變化，汽車減排降油耗勢在必行。如今，許多國家/地區(qū)的法律強制要求汽車制造商做出這些改變。為實現(xiàn)這一目標，其中一種方式就是采用混合動力，即在汽油或柴油車輛的傳動鏈中
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          • 關鍵字：
                        GaN  48V                          
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          第三代芯片徹底火了！45家公司實證涉足三代半導體
          
                                                            
            
                    	
          • 延續(xù)9月4日以來的火熱行情，9月17日，A股第三代半導體概念股持續(xù)強勁，雙良節(jié)能、易事特漲停，多只概念股個股漲超7%。證券時報·e公司記者梳理發(fā)現(xiàn)，截至9月17日，已通過深交所互動易或公告形式披露公司確有第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈業(yè)務，或已積累相關技術專利等的A股公司共有45家，其中23家上市公司在第三代半導體方面有實際業(yè)務，或已出貨相關產(chǎn)品，但多數(shù)為小批量出貨，銷售收入占上市公司比例較小。三代半導體概念持續(xù)火熱近段時間以來，以碳化硅、氮化鎵、金剛石為代表的第三代半導體產(chǎn)業(yè)概念股異軍突起，成為低迷震蕩行情下一道亮
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          • 關鍵字：
                        第三代芯片  三代半導體  GaN                          
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          采用升壓功率因數(shù)校正(PFC)前級及隔離反激拓撲后級的90W可調(diào)光LED鎮(zhèn)流器設計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • (?BUSINESS WIRE?)-- 高效率、高可靠性LED驅(qū)動器IC領域的知名公司Power Integrations 近日推出?LYTSwitch?-6?系列安全隔離型LED驅(qū)動器IC的最新成員 —— 適合智能照明應用的新器件LYT6078C。這款新的LYTSwitch-6?IC采用了Power Integrations的PowiGaN?氮化鎵(GaN)技術，在該公司今天同時發(fā)布的新設計范例報告 (?DER-920?) 中，展現(xiàn)了
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          • 關鍵字：
                        GaN  IC  PWM                          
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          面向新基建的GaN技術
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 新基建涵蓋了廣泛的領域，并對半導體電源設計提出了各種挑戰(zhàn)。其中最大的挑戰(zhàn)之一是要找到一種以更小尺寸和更低成本提供更多電力的方法。第二個挑戰(zhàn)是如何幫助設計師在這些競爭激烈的市場中脫穎而出。為應對這些挑戰(zhàn)，TI提供了多種解決方案。以下我將分享有關TI GaN解決方案的更多詳細信息。1 TI GaN概述：TI的集成GaN FET可用于工業(yè)和汽車市場的各類應用。TI GaN在一個封裝中集成高速柵極驅(qū)動器和保護功能，可提供優(yōu)異的開關速度和低損耗。如今，我們的GaN應用于交流/直流電源和電機驅(qū)動器、電網(wǎng)基礎設施和汽車
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          • 關鍵字：
                        OBC  GaN  202009                          
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          電源設計，進無止境
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 5 推動電源管理變革的5大趨勢電源管理的前沿趨勢我們矢志不渝地致力于突破電源限制：開發(fā)新的工藝、封裝和電路設計技術，從而為您的應用提供性能出色的器件。無論您是需要提高功率密度、延長電池壽命、減少電磁干擾、保持電源和信號完整性，還是維持在高電壓下的安全性，我們都致力于幫您解決電源管理方面的挑戰(zhàn)。德州儀器 (TI)：與您攜手推動電源進一步發(fā)展的合作伙伴 。1? ?功率密度提高功率密度以在更小的空間內(nèi)實現(xiàn)更大的功率，從而以更低的系統(tǒng)成本增強系統(tǒng)功能2? ?低 IQ在不影響
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          • 關鍵字：
                        QFN  EMI  GaN  MCM                          
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          e絡盟發(fā)布新一期人工智能電子書，激發(fā)廣大讀者創(chuàng)新應用開發(fā)熱情
          
                                                            
            
                    	
          • 全球電子元器件與開發(fā)服務分銷商 e絡盟 新近發(fā)布名為《AIoT時代——AIoT發(fā)展背景、功能與未來》的電子書，旨在為專業(yè)工程師、創(chuàng)客和電子愛好者提供人工智能相關專業(yè)知識，助力他們更加順利地進行人工智能應用開發(fā)并開拓出更多新型市場應用。本冊電子書匯集了人工智能詳細路線圖和類別，闡釋了人工智能、機器學習（ML）和深度學習（DL）之間的關系，并詳細介紹了神經(jīng)網(wǎng)絡相關技術。書中還向讀者推薦了數(shù)款適用于首次進行人工智能物聯(lián)網(wǎng)方案開發(fā)的優(yōu)質(zhì)平臺。人工智能和物聯(lián)網(wǎng)將徹底改變?nèi)祟惖墓ぷ鞣绞健Ｄ壳?，人?/li>
                    	                        
          • 關鍵字：
                        TTS  STT  AIoT  CNN  RNN  GAN                          
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          GaN 器件的直接驅(qū)動配置
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 受益于集成器件保護，直接驅(qū)動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現(xiàn)提高開關模式電源效率和密度的新型拓撲。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復的特點。這些特性可實現(xiàn)諸如圖騰柱無橋功率因數(shù)控制器（PFC）等較高頻率的硬開關拓撲。由于它們的高開關損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實現(xiàn)此類拓撲。本文中，我們將重點介紹直接驅(qū)動GaN晶體管的優(yōu)點，包括更低的開關損耗、更佳
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  HEMT  GaN  PFC  IGBT  IC                          
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          GaN 將能源效率推升至新高度
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 德州儀器(TI)是推動GaN開發(fā)和支持系統(tǒng)設計師采用這項新技術的領軍企業(yè)。TI基于GaN的電源解決方案和參考設計，致力于幫助系統(tǒng)設計師節(jié)省空間、取得更高電源效率及簡化設計流程。TI新穎的解決方案不僅可以優(yōu)化性能，而且攻克了具有挑戰(zhàn)性的實施問題，使客戶得以設計高能效系統(tǒng)，建設更綠色環(huán)保的世界。
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          • 關鍵字：
                        MOSEFT  GaN  UPS                          
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          自有技術加持，安世新一代GaN助力工業(yè)汽車應用
          
                                                            
            
                    	
          • 寬禁帶半導體特別是GaN和SiC這兩年成為整個功率器件材料關注的焦點，由于GaN具有寬禁帶寬度、高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合于......
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          • 關鍵字：
                        安世  GaN  MOSFET                          
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