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CISSOID與國芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
- 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術創(chuàng)新與產業(yè)聯盟第五屆國際學術論壇上，公司與湖南國芯半導體科技有限公司（簡稱“國芯科技”）簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，將攜手開展寬禁帶功率技術的研究開發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，并推動其在眾多領域實現廣泛應用。近年來，寬禁帶半導體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優(yōu)勢，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領域開始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而，在各類應用中
- 關鍵字： IGBT SiC GaN
Cree積極擴廠開發(fā)功率及射頻元件，GaN on SiC磊晶技術發(fā)展待觀察
- 全球SiC晶圓市場規(guī)模約為8千多億美元，SiC晶圓與GaN on SiC磊晶技術大廠Cree為求強化自身功率及射頻元件研發(fā)能力，決議2019年5月于美國總部北卡羅萊納州特勒姆市，擴建1座先進自動化8寸SiC晶圓生產工廠與1座材料超級工廠(Mega Factory)，期望借此擴建案，提升Cree在SiC晶圓上的生產尺寸與提升晶圓使用市占，并提供GaN on SiC先進磊晶技術進一步應用于功率及射頻元件中。
- 關鍵字： Cree 射頻 GaN on SiC磊晶技術
支持瓦特到千瓦級應用的氮化鎵技術
- 兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級盡可能提高（和降低）。氮化鎵在任何功率級別都很關鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性，同時減小尺寸、重量和元件數量。從歷來經驗來看，您必須至少對其中的部分因素進行權衡，但德州儀器正通過所有這些優(yōu)勢實現設計，同時通過在一個封裝中進行復雜集成來節(jié)省系統(tǒng)級成本，并減少電路板元件數量。從將PC適配器的尺寸減半，到為并
- 關鍵字： 德州儀器 600V氮化鎵（GaN）功率器件
盤點2018年全球電子產業(yè)最具代表性的十大“黑科技”
- 今年整個產業(yè)在技術上也是節(jié)節(jié)攀升，2018年可以說是產業(yè)高速發(fā)展的一年，全球電子產業(yè)也產生了眾多技術突破。
- 關鍵字： 芯片，GaN
尺寸減半、功率翻番！——氮化鎵（GaN）技術給機器人、可再生能源和電信等領域帶來革新
- 從“磚頭”手機到笨重的電視機，電源模塊曾經在電子電器產品中占據相當大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減?！ 」桦娫醇夹g領域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應用的尺寸，但卻很難更進一步。在現有尺寸規(guī)格下，硅材料無法在所需的頻率下輸出更高的功率。而對于即將推出的5G無線網絡，以及未來的機器人、可再生能源直至數據中心技術，功率都是一個至關重要的因素?！ 肮こ處煬F在處于一個非常尷尬的境地，一方面他們無法在現有空間內繼續(xù)提高功率，但同時又不希望增大設備所需的空間，”德州儀器產品經理Masoud Behe
- 關鍵字： GaN，機器人
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