gan ipm 文章 進(jìn)入gan ipm技術(shù)社區(qū)
GaN是5G最好選擇 手機(jī)端應(yīng)用現(xiàn)實嗎？
- 超密集組網(wǎng)通過增加基站部署密度，可實現(xiàn)頻率復(fù)用效率的巨大提升，并且?guī)砜捎^的容量增長，未來隨著基站數(shù)量的增加，基站內(nèi)射頻器件的需求也將隨之大幅提升。高通預(yù)測，射頻前端的市場規(guī)模預(yù)估到2020年將達(dá)到180億美元。Small Cell Forum預(yù)測，全球小基站市場空間有望在2020年超過60億美元。 Qorvo亞太區(qū)FAE高級經(jīng)理楊嘉 有業(yè)內(nèi)分析師就表示，3.5GHz以上所有宏基站部署將看到GaN逐步取代LDMOS，同時，GaAs也將從小型基站網(wǎng)絡(luò)的需求增長中受益。Qorvo亞太區(qū)FA
- 關(guān)鍵字： GaN 5G
慕展：功率電子、微波通信、阻容感、材料、結(jié)構(gòu)件領(lǐng)域的最新產(chǎn)品 都在世強(qiáng)
- 慕尼黑上海電子展舉辦，作為亞洲第一電子大展，展會吸引了數(shù)萬名電子行業(yè)的觀眾到場參觀學(xué)習(xí)。而全球先進(jìn)的元件分銷商——世強(qiáng)元件電商，則攜物聯(lián)網(wǎng)、汽車、微波通信、功率電子、工業(yè)控制及自動化、結(jié)構(gòu)件、阻容感、材料、測試測量等九大領(lǐng)域的最新產(chǎn)品及方案亮相?！ {借集成電路、元件、材料、部件、儀器、阻容感等全品類的電子元器件展示，以及NB-IOT、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、無線充電與快充、工業(yè)4.0、人工智能、樓宇照明、智能網(wǎng)聯(lián)汽車、新能源汽車、5G通信、藍(lán)牙Mesh等眾多熱門市場的最新產(chǎn)品的展示，世強(qiáng)元件電商吸引了大批工程師
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
新工廠，新起點：安世半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨溃?/a>
- 2018年3月6日，Nexperia(安世半導(dǎo)體)公司廣東分立器件封裝和測試新工廠正式投產(chǎn)，該工廠將重點解決產(chǎn)能問題，用于支持Nexperia后續(xù)業(yè)務(wù)發(fā)展規(guī)劃。 【安世半導(dǎo)體(中國)有限公司廣東后道工廠】 據(jù)Nexperia首席運(yùn)營官Sean Hunkler介紹，新工廠投產(chǎn)之后，Nexperia全年總產(chǎn)量將超過1千億件。除了提供SOT23、SOD323和523、SOT223、SOT143、MCD、Ucsp、Flip Chip等封裝外，還提供安世半導(dǎo)體(中國)有限公司開發(fā)的最新封裝，包括
- 關(guān)鍵字： 安世 GaN
TI推出業(yè)內(nèi)最小、最快的GaN驅(qū)動器，擴(kuò)展其GaN電源產(chǎn)品組合
- 德州儀器(TI)(NASDAQ: TXN) 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)驅(qū)動器，進(jìn)一步擴(kuò)展了其業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的GaN電源產(chǎn)品組合，可在激光雷達(dá)(LIDAR)以及5G射頻(RF)包絡(luò)追蹤等速度關(guān)鍵應(yīng)用中實現(xiàn)更高效、性能更高的設(shè)計。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的開關(guān)頻率的同時提高效率，并可實現(xiàn)以往硅MOSFET無法實現(xiàn)的5倍更小尺寸解決方案。欲了解更多信息，請訪問www.ti.com.cn/lmg1020-pr-cn和www.
- 關(guān)鍵字： TI GaN
2018年全球十大突破性技術(shù)是如何產(chǎn)生的？
- 《麻省理工科技評論》于近日揭曉2018 年“全球十大突破性技術(shù)”，這份全球新興科技領(lǐng)域的權(quán)威榜單至今已經(jīng)有 17 年的歷史。 1、給所有人的人工智能 AI for everyone 入選理由：將機(jī)器學(xué)習(xí)工具搬上云端，將有助于人工智能更廣泛的傳播 重大意義：目前，人工智能的應(yīng)用是受到少數(shù)幾家公司統(tǒng)治的。但其一旦與云技術(shù)相結(jié)合，那它將可以對許多人變得觸手可及，從而實現(xiàn)經(jīng)濟(jì)的爆發(fā)式增長。 主要研究者：Google,亞馬遜，阿里云，騰訊云，百度云，金山云，京東云
- 關(guān)鍵字： 機(jī)器學(xué)習(xí) GAN
宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）于CES? 2018展覽展示基于GaN技術(shù)的大面積無線電源及高分辨率激光雷達(dá)應(yīng)用
- EPC公司將于2018年1月9日至12日在美國拉斯維加斯舉行的國際消費(fèi)電子展(CES? 2018)展示eGaN?技術(shù)如何實現(xiàn)兩種改變業(yè)界游戲規(guī)則的消費(fèi)電子應(yīng)用 -- 分別是無線充電及自動駕駛汽車的激光雷達(dá)應(yīng)用?！ PC將在AirFuel聯(lián)盟于CES 2018展覽攤位攜手合作展示基于氮化鎵器件并嵌入桌面的無線充電系統(tǒng)，可以在桌面上任何位置對多種設(shè)備同時充電，可傳送高達(dá)300 W功率?？蓚魉瓦@么大功率使得我們可以同時對電腦、電腦顯示器、桌燈、掌上型電腦及
- 關(guān)鍵字： 宜普 GaN
制造能耗變革從新一代半導(dǎo)體開始
- 接近62%的能源被白白浪費(fèi) 美國制造創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)(目前稱為MgfUSA)已經(jīng)闡明了美國制造業(yè)規(guī)劃的聚焦點在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網(wǎng)自不必說，而在復(fù)合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關(guān)注到了汽車減重設(shè)計，本身也是為了降低能源消耗的問題。在美國第二個創(chuàng)新研究院“美國電力創(chuàng)新研究院” Power Amercia(PA)其關(guān)注點同樣在于能源的問題。這是一個關(guān)于巨大的能源市場的創(chuàng)新中心。 圖1：整體的能源轉(zhuǎn)換效率約在38
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
GaN器件開路 5G將重塑RF產(chǎn)業(yè)
- 未來五年，通信產(chǎn)業(yè)向5G時代的革命性轉(zhuǎn)變正在深刻重塑RF(射頻)技術(shù)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀。這不僅是針對智能手機(jī)市場，還包括3W應(yīng)用RF通信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，并且，5G將為RF功率市場的化合物半導(dǎo)體技術(shù)帶來重大市場機(jī)遇。 未來幾年，據(jù)Yole最新發(fā)布的《RF功率市場和技術(shù)趨勢-2017版》報告預(yù)計，隨著電信基站升級和小型基站部署的需求增長，RF功率市場將獲得強(qiáng)勁增長。2016~2022年期間，整體RF功率市場營收或?qū)⒃鲩L75%，帶來9.8%的復(fù)合年增長率。這意味著市場營收規(guī)模將從2016年的15億美元增長至202
- 關(guān)鍵字： GaN 5G
意法半導(dǎo)體(ST)新推出貼裝智能低功耗模塊，節(jié)省高能效電機(jī)驅(qū)動電路的空間
- 意法半導(dǎo)體SLLIMM?-nano系列IPM產(chǎn)品新增五款節(jié)省空間的貼裝智能功率模塊(IPM)，提供IGBT或MOSFET輸出選擇，用于電機(jī)內(nèi)置驅(qū)動器或其它的空間受限的驅(qū)動器，輸出功率范圍從低功率到最高100W?！ ⌒履K的導(dǎo)通能效和開關(guān)能效都很高，特別是在最高20kHz硬開關(guān)電路內(nèi)表現(xiàn)更為出色。通過管理開關(guān)電壓和電流上升率?(dV/dt,?di/dt)，內(nèi)部柵驅(qū)動電路能夠?qū)㈦姶泡椛?EMI)抑制到最低。高散熱效率封裝提升產(chǎn)品的可靠性，支持無散熱器設(shè)計，同時2.7mm爬電距離和2.0
- 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 IPM
智能功率模塊用于汽車高壓輔助電機(jī)負(fù)載應(yīng)用
- 集成的智能功率模塊(IPM)將在汽車功能電子化中發(fā)揮關(guān)鍵作用，促成新一代緊湊的、高能效和高可靠性的電機(jī)驅(qū)動器，實現(xiàn)在內(nèi)燃機(jī)中省去耗能的機(jī)械式驅(qū)動負(fù)荷。IPM的主要促成元素有場截止溝槽IGBT、STEALTH 二極管、HVIC、LVIC和DBC技術(shù)等。
- 關(guān)鍵字： IPM 智能功率模塊 汽車 電機(jī)驅(qū)動器 內(nèi)燃機(jī) 201707
2021年全球MOCVD市場將突破11億美元
- 什么是MOCVD? MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù)。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機(jī)化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延，生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。 MOCVD設(shè)備主要用于半導(dǎo)體材料襯底的外延生長，是LED以及半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵設(shè)備。 根據(jù)Technavio統(tǒng)計，全球MOCVD市場的復(fù)合年平均增長率將在2021年之前增長到14%，市場規(guī)模將從201
- 關(guān)鍵字： MOCVD GaN
趁著第三代半導(dǎo)體的東風(fēng)，紫外LED要做弄潮兒
- 本文主要介紹了第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源材料及器件關(guān)鍵技術(shù)的研究目的、意義和社會影響力。
- 關(guān)鍵字： 照明 紫外LED GaN 第三代半導(dǎo)體
gan ipm介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條gan ipm!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對gan ipm的理解，并與今后在此搜索gan ipm的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對gan ipm的理解，并與今后在此搜索gan ipm的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
gan ipm電路
gan ipm相關(guān)帖子
gan ipm資料下載
gan ipm專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473