色婷婷AⅤ一区二区三区|亚洲精品第一国产综合亚AV|久久精品官方网视频|日本28视频香蕉

          首頁  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
          EEPW首頁 >> 主題列表 >> gan ipm

          Power Integrations收購Odyssey Semiconductor資產(chǎn)

          • 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布達(dá)成協(xié)議,收購垂直氮化鎵(GaN)晶體管技術(shù)開發(fā)商Odyssey Semiconductor Technologies的資產(chǎn)。這項交易預(yù)計將于2024年7月完成,屆時Odyssey的所有關(guān)鍵員工都將加入Power Integrations的技術(shù)部門。此次收購將為該公司專有的PowiGaN?技術(shù)的持續(xù)開發(fā)提供有力支持。PowiGaN技術(shù)已廣泛應(yīng)用于該公司的眾多產(chǎn)品系列,包括InnoSwitch? IC、HiperPFS
          • 關(guān)鍵字: Power Integrations  Odyssey  氮化鎵  GaN  

          適用于三相電機(jī)驅(qū)動的智能功率模塊設(shè)計實用指南

          • 本文旨在為 SPM 31 v2 系列功率模塊設(shè)計提供實用指南,該系列智能功率模塊 (IPM) 適用于三相電機(jī)驅(qū)動,包含三相變頻段、柵極驅(qū)動器等。設(shè)計構(gòu)思SPM 31 v2 旨在提供封裝緊湊、功耗更低且可靠性更高的模塊。為此,它采用了新型柵極驅(qū)動高壓集成電路 (HVIC)、基于先進(jìn)硅技術(shù)的新型絕緣柵雙極晶體管 (IGBT),以及基于壓鑄模封裝的改進(jìn)型直接鍵合銅 (DBC) 襯底。與現(xiàn)有的分立方案相比,SPM 31 v2 的電路板尺寸更小,可靠性更高。其目標(biāo)應(yīng)用為工業(yè)變頻電機(jī)驅(qū)動,例如商用空調(diào)
          • 關(guān)鍵字: 功率模塊  指南  IPM  三相電機(jī)  

          Transphorm與偉詮電子合作推出新款GaN器件

          • 近日,Transphorm與偉詮電子宣布推出兩款新型系統(tǒng)級封裝氮化鎵(GaN)器件(SiP),與去年推出的偉詮電子旗艦GaN SiP一起,組成首個基于Transphorm SuperGaN平臺的系統(tǒng)級封裝GaN產(chǎn)品系列。新推出的兩款SiP器件型號分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C,集成了偉詮電子的高頻多模(準(zhǔn)諧振/谷底開關(guān))反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。與上一款240 mΩ器件(WT7162RHUG24A)相同,兩
          • 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體  氮化鎵  GaN  

          加速低碳化躍遷,智能功率模塊如何讓熱泵更智能?

          • 隨著企業(yè)向低碳未來邁進(jìn),市場越來越需要更高效的功率半導(dǎo)體。開發(fā)功率半導(dǎo)體解決方案的關(guān)鍵目標(biāo)在于,盡量降低系統(tǒng)總成本和縮小尺寸,同時提高效率。于是,智能功率模塊 (IPM) 應(yīng)運而生,并成為熱泵市場備受矚目的解決方案。這種模塊結(jié)構(gòu)緊湊、高度集成,具有高功率密度以及先進(jìn)的控制與監(jiān)測功能,非常適合熱泵應(yīng)用。熱泵的重要性根據(jù)歐盟統(tǒng)計局?jǐn)?shù)據(jù),在歐盟消耗的所有能源中,約 50% 用于供暖和制冷,而且超過 70% 仍然來自化石燃料(主要是天然氣)。在住宅領(lǐng)域,約 80% 的最終能源消耗用于室內(nèi)和熱水供暖。熱泵(圖
          • 關(guān)鍵字: 熱泵  功率半導(dǎo)體  智能功率模塊  IPM  

          一鍵解鎖熱泵系統(tǒng)解決方案

          • 熱泵是一種經(jīng)過驗證的、提供安全且可持續(xù)供暖的技術(shù),其滿足低排放電力要求,是全球邁向安全、可持續(xù)供暖的核心技術(shù)。盡管逆循環(huán)熱泵也可以同時滿足供暖和制冷的要求,但熱泵的主要目標(biāo)是提供供暖。由于熱泵能夠回收廢熱并將其溫度提高到更實用的水平,因此在節(jié)能方面具有巨大的潛力。系統(tǒng)目標(biāo)熱泵的原理與制冷類似,其大部分技術(shù)基于冰箱的設(shè)計。2021年,全球約有10%建筑的采暖由熱泵來完成,且安裝熱泵的步伐仍在不斷加快。鑒于政府對能源安全的關(guān)注以及應(yīng)對氣候變化的承諾,熱泵將成為減少由建筑采暖以及熱水所產(chǎn)生的碳排放的主要途徑。此
          • 關(guān)鍵字: 熱泵  供暖  IPM  MOSFET  IGBT  

          GaN FET讓您實現(xiàn)高性能D類音頻放大器

          • D類音頻放大器參考設(shè)計(EPC9192)讓模塊化設(shè)計具有高功率和高效,從而可實現(xiàn)全定制、高性能的電路設(shè)計。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布近日推出EPC9192參考設(shè)計,可實現(xiàn)優(yōu)越、緊湊型和高效的D類音頻放大器,于接地參考、分離式雙電源單端 (SE)設(shè)計中發(fā)揮200 V eGaN FET器件(EPC2307)的優(yōu)勢,在4Ω負(fù)載時,每聲道輸出功率達(dá)700 W。EPC9192是可擴(kuò)展的模塊化設(shè)計,其主板配有兩個PWM調(diào)制器和兩個半橋功率級子板,實現(xiàn)具備輔助管理電源和保護(hù)功能的雙通道放大器。這種設(shè)計的靈活性高,使
          • 關(guān)鍵字: GaN FET  D類音頻放大器  

          氮化鎵器件讓您實現(xiàn)具成本效益的電動自行車、無人機(jī)和機(jī)器人

          • 基于氮化鎵器件的逆變器參考設(shè)計(EPC9193)讓您實現(xiàn)具有更高性能的電機(jī)系統(tǒng),其續(xù)航里程更長、精度更高、扭矩更大,而且同時降低了系統(tǒng)的總成本。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)近日宣布推出EPC9193,它是使用EPC2619 eGaN?FET的三相BLDC電機(jī)驅(qū)動逆變器,具有14V~65V的寬輸入直流電壓范圍和兩種配置,分別為標(biāo)準(zhǔn)和高電流版本:●? ?EPC9193 是標(biāo)準(zhǔn)參考設(shè)計,在每個開關(guān)位置使用單個FET,可提供高達(dá)30ARMS 的最大輸出電流?!? ?EPC91
          • 關(guān)鍵字: 氮化鎵器件  電動自行車  無人機(jī)  機(jī)器人  EPC  GaN  宜普  

          將達(dá)100億美元,SiC功率器件市場急速擴(kuò)張

          • SiC 市場的快速擴(kuò)張主要得益于電動汽車的需求,預(yù)計 2023 年市場將比上年增長 60%。
          • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  

          GaN引領(lǐng)未來寬帶功率放大器——Qorvo TGA2962

          • Qorvo是一家在射頻解決方案領(lǐng)域具有顯著影響力的美國公司。它通過提供創(chuàng)新的射頻技術(shù),為移動、基礎(chǔ)設(shè)施與國防/航空航天市場提供核心技術(shù)及解決方案,致力于實現(xiàn)全球互聯(lián)。Qorvo在射頻前端模塊、濾波器、功率放大器、開關(guān)、調(diào)諧器等領(lǐng)域都展現(xiàn)出了強(qiáng)大的技術(shù)實力和市場地位。它是全球主要的功頻放大器供貨商,其產(chǎn)品在市場上具有較高的認(rèn)可度和廣泛的應(yīng)用。這使得Qorvo在推動5G網(wǎng)絡(luò)、云計算、物聯(lián)網(wǎng)等新興應(yīng)用市場的發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。在Qorvo所擅長的寬帶功率放大器領(lǐng)域之中,GaN材料展露出了重要的應(yīng)用潛力。由于
          • 關(guān)鍵字: Qorvo  GaN  寬帶功率放大器  

          納微半導(dǎo)體與您相約亞洲充電展,最新GaN+SiC技術(shù)展望快充未來

          • 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體近日宣布將參加于2024年3月20-22日在深圳福田會展中心舉辦的亞洲充電展,邀請觀眾造訪由最新氮化鎵和碳化硅技術(shù)打造,象征著全電氣化未來的“納微芯球”展臺。納微半導(dǎo)體將展出最新的GaNFast?和GeneSiC?應(yīng)用及解決方案,包括:●? ?功率水平更高、以應(yīng)用為導(dǎo)向的GaNSense? Halfbridge半橋氮化鎵技術(shù)●? ?高性能、速度快的第三代高速碳化硅技術(shù)●? &
          • 關(guān)鍵字: 納微半導(dǎo)體  亞洲充電展  GaN+SiC  快充  

          英飛凌攜手Worksport利用氮化鎵降低便攜式發(fā)電站的重量和成本

          • 英飛凌科技股份公司近日宣布與Worksport Ltd.合作,共同利用氮化鎵(GaN)降低便攜式發(fā)電站的重量和成本。Worksport將在其便攜式發(fā)電站轉(zhuǎn)換器中使用英飛凌的GaN功率半導(dǎo)體GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在采用英飛凌GaN晶體管后,該功率轉(zhuǎn)換器將變得更輕、更小,系統(tǒng)成本也將隨之降低。此外,英飛凌還將幫助Worksport優(yōu)化電路和布局設(shè)計,進(jìn)一步縮小尺寸并提高功率密度。Worksport首席執(zhí)行官Steven Rossi表示:“英飛凌高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)和穩(wěn)固的供應(yīng)鏈為我們提供了
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  Worksport  氮化鎵  GaN  便攜式發(fā)電站  

          EPC推出首款具有最低1mΩ導(dǎo)通電阻的GaN FET

          • 全球增強(qiáng)型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場上具有最低導(dǎo)通電阻的GaN FET,與EPC的上一代產(chǎn)品相比,其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm,采用耐熱QFN封裝,頂部裸露,封裝尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面積僅為15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的體積小超過五倍。憑借超低導(dǎo)通電阻
          • 關(guān)鍵字: EPC  1mΩ  導(dǎo)通電阻  GaN FET  

          適用于自主駕駛車輛LiDAR的GaN FET快速指南

          • 激光探測及測距 (LiDAR) 的應(yīng)用包括自主駕駛車輛、無人機(jī)、倉庫自動化和精準(zhǔn)農(nóng)業(yè)。在這些應(yīng)用中,大多都有人類參與其中,因此人們擔(dān)心 LiDAR 激光可能會對眼睛造成傷害。為防止此類傷害,汽車 LiDAR 系統(tǒng)必須符合 IEC 60825-1 1 類安全要求,同時發(fā)射功率不超過 200 W。通用解決方案一般采用 1 至 2 ns 脈沖,重復(fù)頻率為 1 至 2 MHz。這很有挑戰(zhàn)性,因為需要使用微控制器或其他大型數(shù)字集成電路 (IC) 來控制激光二極管,但又不能直接驅(qū)動它,這樣就必須增加一個柵極
          • 關(guān)鍵字: 自主駕駛  LiDAR  GaN  FET  

          帶隙對決:GaN和SiC,哪個會占上風(fēng)?

          • 電力電子應(yīng)用希望納入新的半導(dǎo)體材料和工藝。
          • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  

          SR-ZVS與GaN:讓電源開關(guān)損耗為零的魔法

          • 當(dāng)今,快充市場正迎來前所未有的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。風(fēng)暴仍在繼續(xù),快充市場的迅猛發(fā)展,用戶對于充電器的功率需求也在不斷增大;移動設(shè)備的普及,用戶對于充電器體積的要求也越來越高;同時為了在激烈的市場競爭中脫穎而出,低成本是每個快充產(chǎn)品必須考慮的因素。種種這些都對快充技術(shù)的要求愈發(fā)嚴(yán)格,不僅需要高效率、高功率,還需要適應(yīng)多樣化的標(biāo)準(zhǔn)和滿足用戶個性化的需求。在種種挑戰(zhàn)之下,PI推出了InnoSwitch5-Pro 離線反激式開關(guān)IC,在內(nèi)部集成750V或900V PowiGaN?初級開關(guān)、初級側(cè)控制器、FluxLink?
          • 關(guān)鍵字: PI  SR-ZVS  GaN  氮化鎵  
          共368條 3/25 « 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

          gan ipm介紹

          您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條gan ipm!
          歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對gan ipm的理解,并與今后在此搜索gan ipm的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

          熱門主題

          樹莓派    linux   
          關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
          Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
          《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
          備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473