gan systems 文章 進(jìn)入gan systems技術(shù)社區(qū)
ST和Exagan攜手開啟GaN發(fā)展新章節(jié)
- 氮化鎵（GaN）是一種III／V族寬能隙化合物半導(dǎo)體材料，能隙為3.4eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率則分別為1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有特性，讓組件具有更高的擊穿電壓和更低的通態(tài)電阻，亦即相較于同尺寸的硅基組件，GaN可處理更大的負(fù)載、效能更高，而且物料清單成本更低。在過去的十多年里，產(chǎn)業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測，GaN功率開關(guān)組件的黃金時(shí)期即將到來。相較于應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率組件，GaN功率組件具備更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力，這
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IAR Systems擴(kuò)大支持NXP MCU 加乘嵌入式應(yīng)用開發(fā)成效
- 嵌入式開發(fā)市場軟件工具與服務(wù)供貨商IAR Systems今日宣布，其最新版開發(fā)工具鏈IAR Embedded Workbench for Arm已加入NXP最新跨界MCU「i.MX RT1160」微控制器的相關(guān)支持。IAR Embedded Workbench for Arm提供完整的C/C++語言編譯程序與除錯(cuò)器工具鏈，并包括優(yōu)化與完備除錯(cuò)功能。此外并提供整合式靜態(tài)與運(yùn)行時(shí)間分析工具、各種能協(xié)助開發(fā)者執(zhí)行日常作業(yè)的簡易功能、及強(qiáng)大的實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)RTOS感知插件，以針對實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)上所運(yùn)行的程序提供高層次
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德州儀器宣布與中車株洲所簽署升級聯(lián)合設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)室合作備忘錄
- 德州儀器(TI)今日宣布與中國領(lǐng)先的軌道交通設(shè)備制造商中車株洲電力機(jī)車研究所有限公司（后簡稱“株洲所”）簽署諒解備忘錄，升級共同運(yùn)營的聯(lián)合設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)室，實(shí)現(xiàn)更廣泛、更深層次的合作。此次合作旨在幫助中車株洲所運(yùn)用TI廣泛的模擬和嵌入式處理產(chǎn)品和技術(shù)，加速包括軌道交通，電動汽車等方面的應(yīng)用設(shè)計(jì)以助力中國新基建關(guān)鍵領(lǐng)域建設(shè)。合作還將拓展至太陽能和風(fēng)能等可再生能源方面的應(yīng)用，以響應(yīng)中國在2060年實(shí)現(xiàn)碳中和的宏偉目標(biāo)。德州儀器(TI)與中車株洲電力機(jī)車研究所合作備忘錄簽約儀式“新基建將推動中國城際軌道交通系統(tǒng)的快速
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Nexperia第二代650 V氮化鎵場效應(yīng)管使80 PLUS?鈦金級電源可在2 kW或更高功率下運(yùn)行
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術(shù)和競爭對手器件相比，新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開關(guān)模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS?鈦金級效率認(rèn)證的服務(wù)器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內(nèi)的太陽能逆變器和伺服驅(qū)動器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
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砥礪前行，推進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“芯”潮
- 南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院擁有未來通信集成電路教育部工程研究中心以及深圳市第三代半導(dǎo)體器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，圍繞中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，培養(yǎng)工程專業(yè)人才，搭建跨國跨區(qū)域的校企合作與人才教育平臺，建立以工程創(chuàng)新能力為核心指標(biāo)的多元化機(jī)制，致力于對大灣區(qū)乃至全國的集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供強(qiáng)有力的支撐作用。其科研成果、產(chǎn)業(yè)推廣和人才培養(yǎng)成績斐然，在國產(chǎn)芯片發(fā)展浪潮中引人矚目。
- 關(guān)鍵字： 集成電路 微電子 氮化鎵器件 寬禁帶 IC GaN 202103
TI為何把首款GaN FET定位于汽車和工業(yè)應(yīng)用
- GaN（氮化鎵）作為新一代半導(dǎo)體材料，正有越來越廣泛的應(yīng)用。近日，德州儀器（TI）宣布其首款帶集成驅(qū)動器、內(nèi)部保護(hù)和有源電源管理的GaN FET，分別面向車用充電器和工業(yè)電源，可以實(shí)現(xiàn)2倍的功率密度和高達(dá)99%的效率。TI如何看待GaN在汽車和工業(yè)方面的機(jī)會？此次GaN FET的突破性技術(shù)是什么？為此，電子產(chǎn)品世界記者線上采訪了TI高壓電源應(yīng)用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom。TI高壓電源應(yīng)用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom1? ?GaN在電源領(lǐng)
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在輕度混合動力汽車中利用GaN實(shí)現(xiàn)雙電池管理
- John Grabowski：安森美半導(dǎo)體電源方案部門的首席應(yīng)用和市場工程師，部門位于美國密歇根州安阿伯市。John Grabowski于2007年加入安森美半導(dǎo)體，此前他曾在福特汽車公司研究實(shí)驗(yàn)室工作30年。他一直從事電路和軟件設(shè)計(jì)，應(yīng)用于電氣、混合動力汽車和汽車動力總成系統(tǒng)。最近，他的團(tuán)隊(duì)積極推動將高功率半導(dǎo)體應(yīng)用于汽車電子化。引言為應(yīng)對氣候變化，汽車減排降油耗勢在必行。如今，許多國家/地區(qū)的法律強(qiáng)制要求汽車制造商做出這些改變。為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，其中一種方式就是采用混合動力，即在汽油或柴油車輛的傳動鏈中
- 關(guān)鍵字： GaN 48V
第三代芯片徹底火了！45家公司實(shí)證涉足三代半導(dǎo)體
- 延續(xù)9月4日以來的火熱行情，9月17日，A股第三代半導(dǎo)體概念股持續(xù)強(qiáng)勁，雙良節(jié)能、易事特漲停，多只概念股個(gè)股漲超7%。證券時(shí)報(bào)·e公司記者梳理發(fā)現(xiàn)，截至9月17日，已通過深交所互動易或公告形式披露公司確有第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈業(yè)務(wù)，或已積累相關(guān)技術(shù)專利等的A股公司共有45家，其中23家上市公司在第三代半導(dǎo)體方面有實(shí)際業(yè)務(wù)，或已出貨相關(guān)產(chǎn)品，但多數(shù)為小批量出貨，銷售收入占上市公司比例較小。三代半導(dǎo)體概念持續(xù)火熱近段時(shí)間以來，以碳化硅、氮化鎵、金剛石為代表的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)概念股異軍突起，成為低迷震蕩行情下一道亮
- 關(guān)鍵字： 第三代芯片 三代半導(dǎo)體 GaN
面向新基建的GaN技術(shù)
- 新基建涵蓋了廣泛的領(lǐng)域，并對半導(dǎo)體電源設(shè)計(jì)提出了各種挑戰(zhàn)。其中最大的挑戰(zhàn)之一是要找到一種以更小尺寸和更低成本提供更多電力的方法。第二個(gè)挑戰(zhàn)是如何幫助設(shè)計(jì)師在這些競爭激烈的市場中脫穎而出。為應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，TI提供了多種解決方案。以下我將分享有關(guān)TI GaN解決方案的更多詳細(xì)信息。1 TI GaN概述：TI的集成GaN FET可用于工業(yè)和汽車市場的各類應(yīng)用。TI GaN在一個(gè)封裝中集成高速柵極驅(qū)動器和保護(hù)功能，可提供優(yōu)異的開關(guān)速度和低損耗。如今，我們的GaN應(yīng)用于交流/直流電源和電機(jī)驅(qū)動器、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施和汽車
- 關(guān)鍵字： OBC GaN 202009
電源設(shè)計(jì)，進(jìn)無止境
- 5 推動電源管理變革的5大趨勢電源管理的前沿趨勢我們矢志不渝地致力于突破電源限制：開發(fā)新的工藝、封裝和電路設(shè)計(jì)技術(shù)，從而為您的應(yīng)用提供性能出色的器件。無論您是需要提高功率密度、延長電池壽命、減少電磁干擾、保持電源和信號完整性，還是維持在高電壓下的安全性，我們都致力于幫您解決電源管理方面的挑戰(zhàn)。德州儀器 (TI)：與您攜手推動電源進(jìn)一步發(fā)展的合作伙伴 。1? ?功率密度提高功率密度以在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更大的功率，從而以更低的系統(tǒng)成本增強(qiáng)系統(tǒng)功能2? ?低 IQ在不影響
- 關(guān)鍵字： QFN EMI GaN MCM
e絡(luò)盟發(fā)布新一期人工智能電子書，激發(fā)廣大讀者創(chuàng)新應(yīng)用開發(fā)熱情
- 全球電子元器件與開發(fā)服務(wù)分銷商 e絡(luò)盟 新近發(fā)布名為《AIoT時(shí)代——AIoT發(fā)展背景、功能與未來》的電子書，旨在為專業(yè)工程師、創(chuàng)客和電子愛好者提供人工智能相關(guān)專業(yè)知識，助力他們更加順利地進(jìn)行人工智能應(yīng)用開發(fā)并開拓出更多新型市場應(yīng)用。本冊電子書匯集了人工智能詳細(xì)路線圖和類別，闡釋了人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）和深度學(xué)習(xí)（DL）之間的關(guān)系，并詳細(xì)介紹了神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)相關(guān)技術(shù)。書中還向讀者推薦了數(shù)款適用于首次進(jìn)行人工智能物聯(lián)網(wǎng)方案開發(fā)的優(yōu)質(zhì)平臺。人工智能和物聯(lián)網(wǎng)將徹底改變?nèi)祟惖墓ぷ鞣绞?。目前，人?/li>
- 關(guān)鍵字： TTS STT AIoT CNN RNN GAN
GaN 器件的直接驅(qū)動配置
- 受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型拓?fù)?。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復(fù)的特點(diǎn)。這些特性可實(shí)現(xiàn)諸如圖騰柱無橋功率因數(shù)控制器（PFC）等較高頻率的硬開關(guān)拓?fù)?。由于它們的高開關(guān)損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實(shí)現(xiàn)此類拓?fù)?。本文中，我們將重點(diǎn)介紹直接驅(qū)動GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)，包括更低的開關(guān)損耗、更佳
- 關(guān)鍵字： MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC
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