high na euv 文章進(jìn)入high na euv技術(shù)社區(qū)

在人工智能半導(dǎo)體市場(chǎng)不斷增長(zhǎng)的情況下，美國(guó)加強(qiáng)了對(duì)芯片出口的控制

美國(guó)政府計(jì)劃修改對(duì)半導(dǎo)體技術(shù)對(duì)中國(guó)的出口限制。此舉旨在加強(qiáng)對(duì)芯片制造中使用的工具的控制，包括人工智能（AI）中使用的芯片。這些法規(guī)將與荷蘭和日本最近的法規(guī)保持一致，將限制使用光刻設(shè)備等芯片制造工具，并旨在彌補(bǔ)人工智能處理芯片出口限制中的一些漏洞。?這一法規(guī)的更新是在首次實(shí)施出口限制近一年后才開(kāi)始的。一些報(bào)告顯示，美國(guó)商務(wù)部一直在努力更新這些法規(guī)。據(jù)稱(chēng)，美國(guó)提前向中國(guó)表明了即將改變限制措施，以避免華盛頓和北京之間關(guān)系的任何潛在關(guān)系。?加強(qiáng)對(duì)芯片制造工具的限制?荷蘭政府也對(duì)出口限
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用新型極紫外光刻膠材料推進(jìn)半導(dǎo)體工藝

新型極紫外光刻膠材料是不斷增強(qiáng)半導(dǎo)體技術(shù)的重要基石。
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ASML今年將推出創(chuàng)紀(jì)錄的EUV光刻機(jī)，價(jià)值3億美元

ASML 即將推出 NA 為 0.55，分辨率達(dá)到 8nm 的 EUV 設(shè)備。
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臺(tái)積電美國(guó)亞利桑那工廠導(dǎo)入首臺(tái) EUV 設(shè)備，預(yù)計(jì) 2025 年量產(chǎn) 4nm 芯片

IT之家 8 月 22 日消息，法拉第未來(lái)在最新的季度報(bào)告中稱(chēng)，其虧損有所縮小，并表示已經(jīng)進(jìn)入創(chuàng)收階段。該公司在截至 6 月 30 日的第二季度的虧損為 1.249 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 9.13 億元人民幣），即每股 10 美分，而去年同期的虧損為 1.417 億美元，即每股 44 美分。法拉第未來(lái)在本季度沒(méi)有報(bào)告任何收入?？傔\(yùn)營(yíng)費(fèi)用從 1.375 億美元降至 4,940 萬(wàn)美元，主要是由于研發(fā)和管理費(fèi)用的減少。法拉第未來(lái)在給投資者的信中表示，公司計(jì)劃在未來(lái)幾個(gè)月內(nèi)將其制造團(tuán)隊(duì)擴(kuò)大兩倍
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ASML：數(shù)值孔徑0.75超高NA EUV光刻設(shè)備2030年登場(chǎng)

據(jù)日本媒體報(bào)導(dǎo)，光刻機(jī)設(shè)備龍頭阿斯麥（ASML）執(zhí)行副總裁Christophe Fouquet近日在比利時(shí)imec年度盛會(huì)ITF World 2023表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需要2030年開(kāi)發(fā)數(shù)值孔徑0.75的超高NA EUV光刻技術(shù)，滿足半導(dǎo)體發(fā)展。Christophe Fouquet表示，自2010年以來(lái)EUV技術(shù)越來(lái)越成熟，半導(dǎo)體制程微縮至2020年前后三年，以超過(guò)50%幅度前進(jìn)，不過(guò)速度可能會(huì)在2030年放緩。故ASML計(jì)劃年底前發(fā)表首臺(tái)商用High-NA（NA=0.55）EUV微影曝光設(shè)備（原型制作），
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與EUV相比，這一光刻技術(shù)更具發(fā)展?jié)摿?/a>

對(duì)于半導(dǎo)體行業(yè)而言，光刻技術(shù)和設(shè)備發(fā)揮著基礎(chǔ)性作用，是必不可少的。所謂光刻，就是將設(shè)計(jì)好的圖形從掩模版轉(zhuǎn)印到晶圓表面的光刻膠上所使用的技術(shù)。光刻技術(shù)最先應(yīng)用于印刷工業(yè)，之后長(zhǎng)期用于制造印刷電路板（PCB），1950 年代，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的興起，光刻技術(shù)開(kāi)始用于制造晶體管和集成電路（IC）。目前，光刻是 IC 制造過(guò)程中最基礎(chǔ)，也是最重要的技術(shù)。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展史上，光刻技術(shù)的發(fā)展經(jīng)歷了多個(gè)階段，接觸/接近式光刻、光學(xué)投影光刻、分步（重復(fù)）投影光刻出現(xiàn)時(shí)間較早，集成電路生產(chǎn)主要采用掃描式光刻、浸沒(méi)式掃描光刻

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今年轉(zhuǎn)向4nm EUV工藝英特爾退役11代酷睿移動(dòng)版：10nm再見(jiàn)了

6月7日消息，英特爾今年下半年將會(huì)推出14代酷睿Meteor Lake處理器，首發(fā)Intel 4工藝，這是該公司首款EUV工藝，而且還會(huì)用上全新3D封裝工藝，處理器變化非常大。在迎接4nm EUV的同時(shí)，英特爾也在加快清理遺產(chǎn)，2020年發(fā)布的11代酷睿Tiger Lake處理器現(xiàn)在也進(jìn)入了退役階段，這一批主要是中低端的酷睿i7/i5/i3及賽揚(yáng)系列，包括U系列及H35系列，最高端的就是酷睿i7-1165G7。與之一同退役的還有配套的500系芯片組，包括RM590E，HM570E和QM580E系列。這些產(chǎn)
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消息稱(chēng)三星半導(dǎo)體將減少 10% 晶圓投片量，EUV 產(chǎn)線成重災(zāi)區(qū)

IT之家 5 月 26 日消息，據(jù)韓媒 Aju News 報(bào)道，三星計(jì)劃自 2023 年第三季度開(kāi)始，對(duì)韓國(guó)華城園區(qū) S3 工廠減少至少 10% 的晶圓投片量?！?圖源：三星報(bào)道稱(chēng)，三星半導(dǎo)體將在第三季度開(kāi)始，對(duì)華城園區(qū) S3 工廠進(jìn)行減產(chǎn)作業(yè)。S3 工廠是三星半導(dǎo)體于 2018 年建成投產(chǎn)的 12 英寸生產(chǎn)線，目前主要生產(chǎn) 10nm 至 7nm 產(chǎn)品，也是三星半導(dǎo)體 EUV 先進(jìn)工藝的主力生產(chǎn)廠之一，三星為其部署了多臺(tái) ASML 的 NXE3400 EUV 光刻機(jī)。Aju News
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2025搞定2nm工藝日本芯片公司Rapidus已搞定EUV光刻機(jī)

5月17日消息，原本已經(jīng)落后的日本半導(dǎo)體制造行業(yè)近年來(lái)加快了追趕速度，去年8月份索尼、豐田等8家企業(yè)出資成立了Rapidus，計(jì)劃2025年試產(chǎn)2nm工藝，而且很快就籌備了EUV光刻機(jī)。日本當(dāng)前的邏輯工藝還在28nm以上，但是Rapidus公司選擇跳過(guò)中間的工藝，直接搞2nm工藝，而5nm以下的工藝都離不開(kāi)EUV光刻機(jī)，不論研發(fā)還是制造都要先買(mǎi)設(shè)備。Rapidus社長(zhǎng)小池淳義日前在采訪中透露，他們已經(jīng)完成了1臺(tái)EUV光刻機(jī)的籌備，不過(guò)具體的型號(hào)及進(jìn)度沒(méi)有說(shuō)明，不確定是ASML的哪款EUV光刻機(jī)，何時(shí)安裝、
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柔弱的雕刻大師——EUV光刻機(jī)

在如今這個(gè)信息時(shí)代，如果說(shuō)我們的世界是由芯片堆積起來(lái)的高樓大廈，那么芯片制造，則是這里面高樓的地基，而談到芯片制造各位讀者自然就能想到光刻機(jī)，沒(méi)錯(cuò)，作為人類(lèi)商業(yè)化機(jī)器的工程奇跡，光刻機(jī)自然是量產(chǎn)高性能芯片的必要設(shè)備。特別是隨著這幾年中美貿(mào)易戰(zhàn)的加劇，光刻機(jī)這種大部分可能一生都不會(huì)見(jiàn)到的機(jī)器一下子成了婦孺皆知的存在，那么光刻機(jī)是如何工作的呢？它是如何在方寸之間的芯片上雕刻出上百億的晶體管的呢？本篇文章就著重給大家介紹一下目前最先進(jìn)，也是我國(guó)被“卡脖子”的EUV（極紫外）光刻機(jī)。? ? &
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ASML預(yù)測(cè)，未來(lái)九個(gè)月對(duì)中國(guó)的銷(xiāo)量將大幅回升

ASML 財(cái)務(wù)總監(jiān) Roger Daasen 表示，今年未來(lái)幾個(gè)季度中國(guó)大陸的銷(xiāo)量將顯著回升。
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EUV機(jī)臺(tái)被砍單？業(yè)界：不太可能

終端市場(chǎng)需求低迷，近期市場(chǎng)傳出臺(tái)積電將宣布調(diào)降今年資本支出，恐沖擊艾司摩爾（ASML）及應(yīng)用材料等設(shè)備廠出貨，甚至傳出艾司摩爾極紫外光（EUV）機(jī)臺(tái)被砍單消息，不過(guò)業(yè)界普遍認(rèn)為可能性不高，原因在于EUV機(jī)臺(tái)交期長(zhǎng)達(dá)12～15個(gè)月，且中長(zhǎng)期來(lái)看EUV產(chǎn)能仍供不應(yīng)求。 ASML預(yù)計(jì)19日舉行法人說(shuō)明會(huì)，可望針對(duì)EUV曝光機(jī)已接訂單（backlog）變化提出說(shuō)明。半導(dǎo)體生產(chǎn)鏈仍在進(jìn)行庫(kù)存調(diào)整，市場(chǎng)傳出臺(tái)積電可能在法人說(shuō)明會(huì)中下修全年資本支出，加上內(nèi)存廠放慢擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，將導(dǎo)致EUV曝光機(jī)訂單減少或延后，受此消息影響
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國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)的「行軍難」

3 月 8 日，ASML 發(fā)表聲明回應(yīng)荷蘭政府即將出臺(tái)的半導(dǎo)體設(shè)備出口管制措施。ASML 稱(chēng)，這些新的出口管制措施側(cè)重于先進(jìn)的芯片制造技術(shù)，包括最先進(jìn)的沉積設(shè)備和浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)，ASML 將需要申請(qǐng)出口許可證才能發(fā)運(yùn)最先進(jìn)的浸潤(rùn)式 DUV 系統(tǒng)。ASML 強(qiáng)調(diào)，這些管制措施需要一定時(shí)間才能付諸立法并生效。3 月 9 日，外交部例行記者會(huì)上，有媒體提問(wèn)，據(jù)報(bào)道，荷蘭外貿(mào)與發(fā)展合作大臣施賴(lài)納馬赫爾向荷議會(huì)致函稱(chēng)，出于國(guó)家安全考慮，荷蘭將于今年夏天之前對(duì)其芯片出口實(shí)施限制性措施。中方對(duì)此有何評(píng)論？外交部發(fā)言人毛
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