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拚不過對(duì)手 英特爾放棄搶推EUV？
- 引領(lǐng)技術(shù)開發(fā)的少數(shù)芯片制造商認(rèn)定，極紫外光(EUV)微影技術(shù)將在明年使得半導(dǎo)體元件的電晶體密度更進(jìn)一步向物理極限推進(jìn)，但才剛失去全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)龍頭寶座的英特爾(Intel)，似乎放棄了繼續(xù)努力在采用EUV的腳步上領(lǐng)先;該公司在1990年代末期曾是第一批開始發(fā)展EUV的IC廠商。 曾是電子工程師的市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Bernstein分析師Mark Li表示，英特爾不會(huì)在短時(shí)間內(nèi)導(dǎo)入EUV，該公司仍在克服量產(chǎn)10納米制程的困難，因此其7納米制程還得上好幾年，何時(shí)會(huì)用上EUV更是個(gè)大問題。 在此同時(shí)，三星(S
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Entegris EUV 1010光罩盒展現(xiàn)極低的缺陷率，已獲ASML認(rèn)證
- 業(yè)界領(lǐng)先的特種化學(xué)及先進(jìn)材料解決方案的公司Entegris(納斯達(dá)克：ENTG)日前發(fā)布了下一代EUV 1010光罩盒，用于以極紫外(EUV)光刻技術(shù)進(jìn)行大批量IC制造。Entegris的EUV 1010是與全球最大的芯片制造設(shè)備制造商之一的ASML密切合作而開發(fā)的，已在全球率先獲得ASML的認(rèn)證，用于NXE:3400B等產(chǎn)品?！ ‰S著半導(dǎo)體行業(yè)開始更多地使用EUV光刻技術(shù)進(jìn)行先進(jìn)技術(shù)制程的大批量制造(HVM)，對(duì)EUV光罩無缺陷的要求比以往任何時(shí)候都要嚴(yán)格。Entegris的EUV 1010光罩盒已
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EUV、3nm、GAA首次亮相，三星晶圓代工業(yè)務(wù)強(qiáng)勢(shì)進(jìn)軍中國市場(chǎng)
- 為進(jìn)一步提升在中國市場(chǎng)晶圓代工領(lǐng)域的競(jìng)爭力，6月14日，三星電子在中國上海召開 “2018三星晶圓代工論壇(Samsung Foundry Forum 2018)”(SFF)，這是SFF首次在中國舉行，中國半導(dǎo)體市場(chǎng)的影響力可見一斑?！ ”敬握搲?，三星電子晶圓代工事業(yè)部戰(zhàn)略市場(chǎng)部部長、副社長裵永昌帶領(lǐng)主要管理團(tuán)隊(duì)，介紹了晶圓代工事業(yè)部升級(jí)為獨(dú)立業(yè)務(wù)部門一年來的發(fā)展成果，以及未來發(fā)展路線圖和服務(wù)，首次發(fā)布了FinFET、GAA等晶體管構(gòu)造與EUV曝光技術(shù)的使用計(jì)劃，以及3納米芯片高端工藝的發(fā)展路線圖，
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進(jìn)軍全球5G芯片市場(chǎng)，臺(tái)積電7納米EUV工藝聯(lián)發(fā)科M70明年發(fā)
- 聯(lián)發(fā)科高分貝宣布旗下首款5G Modem芯片，代號(hào)為曦力(Helio)M70的芯片解決方案將在2019年現(xiàn)身市場(chǎng)的動(dòng)作，臺(tái)面上或是為公司將積極進(jìn)軍全球5G芯片市場(chǎng)作熱身，但臺(tái)面下，已決定采用臺(tái)積電7納米EUV制程技術(shù)設(shè)計(jì)量產(chǎn)的M70 5G Modem芯片解決方案，卻是聯(lián)發(fā)科為卡位臺(tái)積電最新主力7納米制程技術(shù)產(chǎn)能，同時(shí)向蘋果(Apple)iPhone訂單招手的關(guān)鍵大絕，在高通(Qualcomm)還在三星電子(SAMSUNG)、臺(tái)積電7納米制程技術(shù)猶疑之間，聯(lián)發(fā)科已先一步表達(dá)忠誠，而面對(duì)高通、蘋果專利訟訴
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中芯1.2億美元下單最先進(jìn)EUV光刻機(jī) 如何躲過《瓦森納協(xié)定》的？
- 據(jù)《日經(jīng)亞洲評(píng)論》(Nikkei Asian Review)15日援引消息人士的話稱，中國芯片加工企業(yè)中芯國際(SMIC)向全球最大的芯片設(shè)備制造商——荷蘭ASML訂購了首臺(tái)最先進(jìn)的EUV(極紫外線)光刻機(jī)，價(jià)值1.2億美元。目前，業(yè)內(nèi)已達(dá)成共識(shí)，必須使用EUV光刻機(jī)才能使半導(dǎo)體芯片進(jìn)入7nm，甚至5nm時(shí)代。今天，中芯國際方面對(duì)觀察者網(wǎng)表示，對(duì)此事不做評(píng)論。 消息稱，這臺(tái)幾乎相當(dāng)于中芯國際去年全部凈利潤的設(shè)備，將于2019年前交付。 ASML發(fā)言人對(duì)《日經(jīng)亞洲評(píng)論》表示，該企業(yè)對(duì)包括中國客戶在內(nèi)
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中芯1.2億美元下單最先進(jìn)EUV光刻機(jī),后續(xù)還得解決這些問題…
- 據(jù)知情人士透露，中國最大的晶圓代工廠中芯國際已經(jīng)訂購了一臺(tái)EUV設(shè)備，在中美兩國貿(mào)易緊張的情況下，此舉旨在縮小與市場(chǎng)領(lǐng)先者的技術(shù)差距，確保關(guān)鍵設(shè)備的供應(yīng)。EUV是當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中最先進(jìn)也最昂貴的芯片制造設(shè)備。 中芯國際的首臺(tái)EUV設(shè)備購自荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASML，價(jià)值1.2億美元。盡管中芯目前在制造工藝上仍落后于臺(tái)積電等市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者兩到三代，此舉仍突顯了該公司幫助提升中國本土半導(dǎo)體制造技術(shù)的雄心壯志，也保證了在最先進(jìn)的光刻設(shè)備方面的供應(yīng)。目前包括英特爾、三星、臺(tái)積電等巨頭都在購買該設(shè)備，以確保
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ASML載具供應(yīng)商家登精密談中國EUV的發(fā)展，面臨諸多挑戰(zhàn)
- 載具對(duì)于曝光機(jī)發(fā)揮保護(hù)、運(yùn)送和存儲(chǔ)光罩等功能十分重要。家登精密多年來致力于研究曝光機(jī)載具，并為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASML提供載具相關(guān)技術(shù)。 我們主要研究EUV的配套技術(shù)，例如EUV的載具以及EUV的配套光罩，是7nm向5nm進(jìn)階的突破口。隨著5nm技術(shù)的升級(jí)，EUV的重要性逐漸凸顯出來，而載具的研究也越發(fā)緊迫。過去幾年，家登精密一直專心做一件事，那就是載具的配套研究。去年，我們的技術(shù)產(chǎn)品已經(jīng)達(dá)到國際先進(jìn)水平，這是一個(gè)值得自豪的成績。未來，7nm工藝逐漸向5nm升級(jí)，技術(shù)的研究會(huì)越來越困難
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日媒：三星最高利潤背后的危機(jī)感
- 韓國三星電子2017財(cái)年(截至2017年12月)合并營業(yè)利潤創(chuàng)下歷史新高，但其危機(jī)感正在加劇。三星1月31日發(fā)布的財(cái)報(bào)顯示，營業(yè)利潤同比增長83%，其中僅半導(dǎo)體業(yè)務(wù)盈利就增至上年的2.6倍，約合3.5萬億日元，顯著依賴市場(chǎng)行情，因此危機(jī)感增強(qiáng)。3大主要部門面臨著半導(dǎo)體增長放緩等課題。三星能否在新經(jīng)營團(tuán)隊(duì)的領(lǐng)導(dǎo)下，將智能手機(jī)和電視機(jī)的自主技術(shù)培育成新的收益源? 2018財(cái)年將成為試金石。 三星整體的營業(yè)利潤為53.65萬億韓元，時(shí)隔4年再創(chuàng)歷史新高。其中，半導(dǎo)體部門的服務(wù)器和智能手機(jī)存儲(chǔ)銷量堅(jiān)挺，
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EUV微影前進(jìn)7nm制程，5nm仍存在挑戰(zhàn)
- EUV微影技術(shù)將在未來幾年內(nèi)導(dǎo)入10奈米(nm)和7nm制程節(jié)點(diǎn)。 不過，根據(jù)日前在美國加州舉辦的ISS 2018上所發(fā)布的分析顯示，實(shí)現(xiàn)5nm芯片所需的光阻劑仍存在挑戰(zhàn)。 極紫外光(extreme ultraviolet;EUV)微影技術(shù)將在未來幾年內(nèi)導(dǎo)入10奈米(nm)和7nm制程節(jié)點(diǎn)。 不過，根據(jù)日前在美國加州舉辦的年度產(chǎn)業(yè)策略研討會(huì)(Industry Strategy Symposium;ISS 2018)所發(fā)布的分析顯示，實(shí)現(xiàn)5nm芯片所需的光阻劑(photoresist)仍存在挑戰(zhàn)。
- 關(guān)鍵字： EUV 7nm
4nm大戰(zhàn),三星搶先導(dǎo)入將EUV,研發(fā)GAAFET
- 晶圓代工之戰(zhàn)，7nm制程預(yù)料由臺(tái)積電勝出，4nm之戰(zhàn)仍在激烈廝殺。 Android Authority報(bào)道稱，三星電子搶先使用極紫外光(EUV)微影設(shè)備，又投入研發(fā)能取代「鰭式場(chǎng)效晶體管」(FinFET)的新技術(shù)，目前看來似乎較占上風(fēng)。 Android Authority報(bào)導(dǎo)，制程不斷微縮，傳統(tǒng)微影技術(shù)來到極限，無法解決更精密的曝光顯像需求，必須改用波長更短的EUV， 才能準(zhǔn)確刻蝕電路圖。 5nm以下制程，EUV是必備工具。 三星明年生產(chǎn)7nm時(shí)，就會(huì)率先采用EUV，這有如讓三星在6nm以下的競(jìng)
- 關(guān)鍵字： 4nm EUV
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