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安森美半導(dǎo)體推出高性能場(chǎng)截止型IGBT
- 應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)推出新系列的場(chǎng)截止型(Field Stop) 絕緣門(mén)雙極結(jié)晶體管(IGBT),目標(biāo)應(yīng)用為工業(yè)電機(jī)控制及消費(fèi)類產(chǎn)品。NGTB15N120、NGBT20N120及NGBT25N120應(yīng)用于高性能電源轉(zhuǎn)換方案,適合多種要求嚴(yán)格的應(yīng)用,包括電磁爐、電飯煲及其它廚房小家電應(yīng)用。
- 關(guān)鍵字: 安森美 IGBT NGTB15N120
IGBT-汽車點(diǎn)火系統(tǒng)中的佼佼者
- 新一代點(diǎn)火系統(tǒng)IGBT為火花塞系統(tǒng)的線圈度身定制,正快速成為主流點(diǎn)火拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。幾何學(xué)和摻雜分布圖的進(jìn)步可使電路小片和封裝的尺寸更小型化,且無(wú)需犧牲最重要的閂鎖電阻和雪崩能量容量的穩(wěn)健性。如今,IGBT的產(chǎn)品已
- 關(guān)鍵字: IGBT 汽車點(diǎn)火 系統(tǒng)
智能IGBT在汽車點(diǎn)火系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 要產(chǎn)生火花,你所需的器件包括電源、電池、變壓器(即點(diǎn)火線圈),以及用于控制變壓器初級(jí)電流的開(kāi)關(guān)。電子學(xué)教科書(shū)告訴我們V=Ldi/dt。因此,如果線圈初級(jí)繞組中的電流發(fā)生瞬間變化(即di/dt值很大),初級(jí)繞組上將產(chǎn)生高
- 關(guān)鍵字: IGBT 汽車點(diǎn)火 系統(tǒng) 中的應(yīng)用
下橋臂IGBT驅(qū)動(dòng)電路圖-原理圖
- 在利用下臂驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)比150 A/1 200 V更大的IGBT時(shí),可外接電流緩沖器,以擴(kuò)大其驅(qū)動(dòng)能力。由圖2的工作時(shí)序可知, ...
- 關(guān)鍵字: 下橋臂 IGBT 驅(qū)動(dòng)電路圖 原理圖
IGBT和MOSFET器件的隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)
- 1引言開(kāi)關(guān)電源中大功率器件驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)一向是電源領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)之一。普通大功率三極管和絕緣柵功...
- 關(guān)鍵字: MOSFET IGBT 隔離驅(qū)動(dòng) 光電耦合器 脈沖變壓器
改進(jìn)的開(kāi)關(guān)性能快速I(mǎi)GBT帶來(lái)新的挑戰(zhàn)
- 1前言降低動(dòng)態(tài)功耗需要快速地開(kāi)關(guān)功率半導(dǎo)體器件。一個(gè)典型的系統(tǒng)包括幾10個(gè)并聯(lián)的功率半導(dǎo)體器件,這...
- 關(guān)鍵字: IGBT 開(kāi)關(guān)性能 過(guò)電壓
igbt 介紹
什么是 IGBT IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型功率管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合 [ 查看詳細(xì) ]
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