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智能MOSFET驅(qū)動(dòng)器提升電源性能的設(shè)計(jì)方案

在電源系統(tǒng)中，MOSFET驅(qū)動(dòng)器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號(hào)轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號(hào)，以便以最快的速度打開和...
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng)器電源性能

車用MOSFET：尋求性能與保護(hù)的最佳組合

工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
關(guān)鍵字： MOSFET 車用保護(hù) 性能

IR推出一系列采用TSOP-6封裝系列產(chǎn)品

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列采用TSOP-6封裝、搭載IR最新低壓HEXFET MOSFET硅技術(shù)的器件，適用于電池保護(hù)與逆變器開關(guān)中的負(fù)載開關(guān)、充電和放電開關(guān)等低功率應(yīng)用。
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技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價(jià)比更高的功率元件（二）

基板成本也較低采用β-Ga2O3制作基板時(shí)，可使用“FZ（floatingzone）法”及“EFG（edge-definedfilm-fed...
關(guān)鍵字：氧化鎵 SiC 功率元件 MOSFET LED

電源設(shè)計(jì)小貼士 43：分立器件――一款可替代集成 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的卓越解決方案

在電源設(shè)計(jì)小貼士 #42 中，我們討論了 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)電路中使用的發(fā)射器跟蹤器，并且了解到利用小型 SOT-23 晶體管便可以實(shí)現(xiàn) 2A 范圍的驅(qū)動(dòng)電流。在本設(shè)計(jì)小貼士中，我們來了解一下自驅(qū)動(dòng)同整流器并探討何時(shí)需要分
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng)器卓越解決方案集成替代設(shè)計(jì) 分立器件

一款可替代集成 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的卓越解決方案

在電源設(shè)計(jì)小貼士#42中，我們討論了MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路中使用的發(fā)射器跟蹤器，并且了解到利用小型SOT-23晶體管...
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飛兆與英飛凌就創(chuàng)新型汽車無鉛封裝技術(shù)達(dá)成協(xié)議

飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技公司(Infineon Technologies)日前宣布已就英飛凌的H-PSOF (帶散熱片的小外形扁平引腳塑料封裝) 先進(jìn)汽車MOSFET封裝技術(shù)達(dá)成許可協(xié)議。H-PSOF是符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的TO無鉛(TO-LL) 封裝 (MO-299)。
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英飛凌科技推出全新650V CoolMOS CFDA

英飛凌科技(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)推出全新650V CoolMOS CFDA，壯大其車用功率半導(dǎo)體產(chǎn)品陣容。這是業(yè)界首個(gè)配備集成式快速體二極管的超結(jié)MOSFET解決方案，可滿足最高汽車質(zhì)量認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101。650V CoolMOS CFDA尤其適用于混合動(dòng)力汽車和純電動(dòng)汽車的電池充電、直流/直流轉(zhuǎn)換器和HID(高強(qiáng)度放電)照明等諧振拓?fù)洹?/li>
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電源系統(tǒng)開關(guān)控制器的 MOSFET 選擇

DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個(gè)復(fù)雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負(fù)載電源系統(tǒng)中，這種
關(guān)鍵字： MOSFET 選擇控制器開關(guān) 系統(tǒng) 電源

Power Trench MOSFET讓更高功率密度成可能

引言對(duì)于現(xiàn)代的數(shù)據(jù)與電信電源系統(tǒng)，更高的系統(tǒng)效率和功率密度已成為核心焦點(diǎn)，因?yàn)樾⌒透咝У碾娫聪到y(tǒng)意味著...
關(guān)鍵字： Power Trench MOSFET

飛兆與英飛凌簽署汽車級(jí)封裝工藝許可協(xié)議

英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)與飛兆半導(dǎo)體公司(NYSE: FCS)近日宣布簽署英飛凌先進(jìn)汽車級(jí)MOSFET封裝工藝H-PSOF(帶散熱盤的塑料小外形扁平引腳封裝)——符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的TO-Leadless封裝(MO-299)——的許可協(xié)議。
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可編程大電流熱插拔控制

電路熱插拔控制的目的是為了在一塊正在工作的電路板上添加或“插入”一塊未通電的電路板，不會(huì)中斷原電路板正在進(jìn)行的工作狀態(tài)，并且同時(shí)啟動(dòng)添加到系統(tǒng)中的那塊電路板的有序上電。主要目的是為了當(dāng)電流轉(zhuǎn)入一塊插入到“正在工作”或帶電的背板或其他電路的電路板時(shí)，保護(hù)MOSFET器件。
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MOSFET門極驅(qū)動(dòng)電壓的優(yōu)化

在同步降壓電源應(yīng)用中,降低MOSFET導(dǎo)通電阻對(duì)同步整流器而言十分關(guān)鍵,因?yàn)槎鄶?shù)情況下,快速恢復(fù)式整流電...
關(guān)鍵字： MOSFET 門極驅(qū)動(dòng) 電壓優(yōu)化

電源測(cè)試之-MOSFET開關(guān)軌跡線的示波器重現(xiàn)方法

MOSFET的開關(guān)軌跡線是判斷MOSFET開關(guān)過程“軟硬”程度的重要評(píng)估指標(biāo)，MOSFET的軟硬程度對(duì)于開關(guān)電源的性能、...
關(guān)鍵字： TDS3000 示波器 MOSFET

2016年LED照明領(lǐng)域大功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將達(dá)30億美元

　　據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IMS Research的最新報(bào)告顯示，2016年，LED照明應(yīng)用領(lǐng)域的全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)將超過30億美元。　　報(bào)告認(rèn)為，隨著更高效照明需求的增長(zhǎng)以及淘汰白熾燈的法令的頒布，LED照明市場(chǎng)快速增長(zhǎng)，這將催生一個(gè)巨大的大功率LED潛在市場(chǎng)，到2016年，大功率LED出貨量將達(dá)190億個(gè)，總值超過30億美元。　　LED照明是大功率LED市場(chǎng)發(fā)展的最大機(jī)遇，到2016年將可帶動(dòng)20億美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)。市面上具有各種不同的電子設(shè)計(jì)、要求和規(guī)格的LED燈的產(chǎn)品范圍越來越廣，這也給大
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mosfet 介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]