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mosfet-90n10 文章進(jìn)入mosfet-90n10技術(shù)社區(qū)

安森美半導(dǎo)體推出汽車級非同步升壓控制器

　　應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)推出用于汽車系統(tǒng)自安嶄新的可調(diào)節(jié)輸出非同步升壓控制器。　　NCV8871是一款輸入電壓范圍為3.2伏(V)至44 V的寬輸入電壓器件，能用于驅(qū)動外部N溝道MOSFET。此器件包含的內(nèi)部穩(wěn)壓器為門驅(qū)動器提供電荷，它在休眠模式下的靜態(tài)電流為3.0微安(µA)，使功耗降至最低。它還具有可同步開關(guān)頻率特性，提供兩種分別可設(shè)定為典型值170 kHz或是典型值1 MHz的版本
關(guān)鍵字：安森美半導(dǎo)體 MOSFET 非同步升壓控制器 NCV8871

NXP推出超緊湊型中等功率MOSFET

　　恩智浦半導(dǎo)體NXP 日前宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管和N溝道Trench MOSFET產(chǎn)品PBSM5240PF。DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝占位面積僅有2 x 2 mm，高度僅為0.65 mm，專門針對諸如移動設(shè)備等高性能消費產(chǎn)品的小型化發(fā)展趨勢而設(shè)計。　　
關(guān)鍵字： NXP MOSFET

Vishay推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導(dǎo)通的此類器件。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET

恩智浦推出超緊湊型電源管理解決方案

恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ: NXPI) 今日宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管和N溝道Trench MOSFET產(chǎn)品PBSM5240PF。DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝占位面積僅有2 x 2 mm，高度僅為0.65 mm，專門針對諸如移動設(shè)備等高性能消費產(chǎn)品的小型化發(fā)展趨勢而設(shè)計。
關(guān)鍵字：恩智浦 MOSFET PBSM5240PF

Vishay將舉辦中國西部電源研討會

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布將于中國電子展同期舉辦中國西部電源研討會(West China Power Seminars)，時間和地點分別是8月23日上午9點30分至12點10分在成都明悅大酒店，8月25日在西安曲江國際會展中心。每場研討會將有4位專家做技術(shù)報告，探討電容器、MOSFET、電源模塊、二極管和光耦合器在新能源、軍工、通信、工業(yè)電源和其他行業(yè)中的應(yīng)用。研討會面向研發(fā)工程師，用中文講解，CEF的觀眾可以免費參加。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET

提供低損耗大功率的MOSFET

硅功率二極管的PN結(jié)通常有大約1.2V的壓降。這個壓降使得功率二極管上消耗了相當(dāng)?shù)哪芰?，從而造成電源效?..
關(guān)鍵字：低損耗大功率 MOSFET

根據(jù)應(yīng)用恰當(dāng)選擇MOSFET的技巧

鑒于MOSFET技術(shù)的成熟，為設(shè)計選擇一款MOSFET表面上看是十分簡單的事情。雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊上的...
關(guān)鍵字： MOSFET 導(dǎo)通阻抗開關(guān)電源

MOSFET應(yīng)用案例解析

1.開關(guān)電源應(yīng)用從定義上而言，這種應(yīng)用需要MOSFET定期導(dǎo)通和關(guān)斷。同時，有數(shù)十種拓?fù)淇捎糜陂_關(guān)電源，這...
關(guān)鍵字： MOSFET 應(yīng)用案例

MOSFET的選型基礎(chǔ)

MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢在于：首先驅(qū)動電路比較簡單。MOSF...
關(guān)鍵字： MOSFET 選型應(yīng)用概覽

求解每個熱源功率損耗的新方法

一引言DC-DC轉(zhuǎn)換器的效率和功率損耗是許多電子系統(tǒng)的一個重要特征參數(shù)。可以測量出這些特征參數(shù)，...
關(guān)鍵字：熱源功率損耗 MOSFET

功率器件更加智能，高能效功率電子技術(shù)新進(jìn)展

工藝與材料的創(chuàng)新隨著時間的推移，功率晶體管技術(shù)得到了持續(xù)的改善。器件的體積不斷縮小，功率密度越...
關(guān)鍵字：功率器件工藝材料 MOSFET

大功率開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動技術(shù)

功率MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負(fù)載電流大的優(yōu)點，因而非常適合用作開關(guān)電源（switch-modepowersupplies，SMPS...
關(guān)鍵字：大功率開關(guān)電源功率 MOSFET 驅(qū)動

大功率MOSFET驅(qū)動技術(shù)詳解

功率MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負(fù)載電流大的優(yōu)點，因而非常適合用作開關(guān)電源（switch-modepowersupplies，SMPS）的整...
關(guān)鍵字：功率 MOSFET 變換器柵極驅(qū)動

汽車電子功率MOSFET解決方案

過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展成為蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐...
關(guān)鍵字：電子系統(tǒng) MOSFET 瞬態(tài)高壓

用非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效

我們發(fā)現(xiàn)日益改進(jìn)的靜電學(xué)及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法，這種方法能夠降低有源和待機(jī)功耗。要做到這一點，新型晶體管結(jié)構(gòu)和材料拓展了性能?功耗設(shè)計空間，使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終，通過構(gòu)成一個由多層系統(tǒng)-電路-器件電源管理生態(tài)系統(tǒng)構(gòu)成的底層，晶體管的創(chuàng)新將會繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時發(fā)揮關(guān)鍵作用。
關(guān)鍵字： CMOS 器件功效功率提高 MOSFET 方案非傳統(tǒng)

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