mosfet-driver 文章 進(jìn)入mosfet-driver技術(shù)社區(qū)
1200V CoolSiCTM MOSFET兼具高性能與高可靠性
- SiC在電源轉(zhuǎn)換器的尺寸、重量和/或能效等方面具有優(yōu)勢。當(dāng)然,要進(jìn)行大批量生產(chǎn),逆變器除了靜態(tài)和動態(tài)性能之外,還必須具備適當(dāng)?shù)目煽啃?,以及足夠的閾值電壓和以?yīng)用為導(dǎo)向的短路耐受能力等。可與IGBT兼容的VGS=15V導(dǎo)通驅(qū)動電壓,以便從IGBT輕松改用SiC MOSFET解決方案。英飛凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可滿足這些要求。
- 關(guān)鍵字: 電源轉(zhuǎn)換器 SiC MOSFET 逆變器 201707
電源模塊性能的PCB布局優(yōu)化
- 全球出現(xiàn)的能源短缺問題使各國政府都開始大力推行節(jié)能新政。電子產(chǎn)品的能耗標(biāo)準(zhǔn)越來越嚴(yán)格,對于電源設(shè)計工程師,如何設(shè)計更高效率、更高性能的電源是一個永恒的挑戰(zhàn)。本文從電源PCB的布局出發(fā)。
- 關(guān)鍵字: 電源模塊性能 PCB布局技術(shù) MOSFET
電源設(shè)計小貼士43:分立器件——一款可替代集成MOSFET驅(qū)動器的卓越解決方案
- 在本設(shè)計小貼士中,我們來了解一下自驅(qū)動同整流器并探討何時需要分立驅(qū)動器來保護(hù)同步整流器柵極免受過高電壓帶來的損壞。理想情況下,您可以利用電源變壓器直接驅(qū)動同步整流器,但是由于寬泛的輸入電壓變量,變壓器電壓會變得很高以至于可能會損壞同步整流器。
- 關(guān)鍵字: 分立器件 MOSFET 同步整流器 電源設(shè)計小貼士
電源設(shè)計小貼士 42:可替代集成MOSFET的分立器件
- 分立器件可以幫助您節(jié)約成本。價值大約 0.04 美元的分立器件可以將驅(qū)動器 IC 成本降低 10 倍。分立驅(qū)動器可提供超過2A 的電流并且可以使您從控制 IC 中獲得電力。此外,該器件還可去除控制 IC 中的高開關(guān)電流,從而提高穩(wěn)壓和噪聲性能。
- 關(guān)鍵字: 德州儀器 分立器件 MOSFET 電源設(shè)計小貼士
電源設(shè)計小貼士 29:估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升
- 在本《電源設(shè)計小貼士》中,我們將最終對一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法進(jìn)行研究。在《電源設(shè)計小貼士28》中,我們討論了如何設(shè)計溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據(jù)系統(tǒng)組件的物理屬性,計算得到熱阻和熱容。遍及整個網(wǎng)絡(luò)的各種電壓代表各個溫度。
- 關(guān)鍵字: 熱插拔 MOSFET 網(wǎng)絡(luò)
意法半導(dǎo)體推出5x6mm雙面散熱微型封裝汽車級功率MOSFET管
- 意法半導(dǎo)體推出了采用先進(jìn)的PowerFLATTM 5x6雙面散熱(DSC)封裝的MOSFET晶體管,新產(chǎn)品可提高汽車系統(tǒng)電控單元(ECU)的功率密度,已被為全球所有的汽車廠商提供先進(jìn)技術(shù)的汽車零配件大廠電裝株式會社選用?! TLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率晶體管,可用于汽車電機(jī)控制、電池極性接反保護(hù)和高性能功率開關(guān)。厚度0.8mm的PowerFLATTM 5x6 DSC封裝保留了標(biāo)準(zhǔn)封裝的尺寸和高散熱效率的底部設(shè)計,同時將頂部的源極曝露在
- 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 MOSFET
東芝推出EMI性能更佳的600V/650V超結(jié)N溝道功率MOSFET
- 東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出EMI性能更佳的600V/650V超結(jié)N溝道功率MOSFET,該產(chǎn)品適用于工業(yè)和辦公設(shè)備。該新“DTMOS V系列”最初將提供12款產(chǎn)品。樣品發(fā)貨即日啟動,批量生產(chǎn)發(fā)貨計劃于3月中旬啟動?! ≡撔孪盗袚碛信c東芝當(dāng)前的“DTMOS IV系列”相同水平的低導(dǎo)通電阻、高速開關(guān)性能,同時,其優(yōu)化的設(shè)計流程使EMI性能提升約3至5dB[1]。而且,降低的單位面積導(dǎo)通電阻(RON x A)性能使新的650v 0.
- 關(guān)鍵字: 東芝 MOSFET
意法半導(dǎo)體(ST)同級領(lǐng)先的900V MOSFET管,提升反激式轉(zhuǎn)換器的輸出功率和能效
- 意法半導(dǎo)體最新的900V MDmesh? K5超結(jié)MOSFET管讓電源設(shè)計人員能夠滿足更高功率和更高能效的系統(tǒng)需求,具有同級最好的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和動態(tài)特性?! ?00V擊穿電壓確保高總線電壓系統(tǒng)具有更高的安全系數(shù)。新系列產(chǎn)品含有首個RDS(ON)導(dǎo)通電阻低于100m?的900V MOSFET管,是RDS(ON) 電阻最低的DPAK產(chǎn)品。業(yè)內(nèi)最低的柵電荷(Qg)確保開關(guān)速度更快,在需要寬輸入電壓的應(yīng)用領(lǐng)域,實(shí)現(xiàn)更大的配置靈活性。這些特性確保標(biāo)準(zhǔn)準(zhǔn)諧振電
- 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 MOSFET
mosfet-driver介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條mosfet-driver!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對mosfet-driver的理解,并與今后在此搜索mosfet-driver的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對mosfet-driver的理解,并與今后在此搜索mosfet-driver的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
熱門主題
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473