EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
mosfet-driver
mosfet-driver 文章 進(jìn)入mosfet-driver技術(shù)社區(qū)
英飛凌推單P溝道40V汽車(chē)電源MOSFET
- 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進(jìn)溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車(chē)電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進(jìn)、碳減排和成本節(jié)約樹(shù)立了行業(yè)新標(biāo)桿，從而進(jìn)一步鞏固英飛凌在新一代汽車(chē)電源管理應(yīng)用領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。 新推出的器件系列采用多種標(biāo)準(zhǔn)封裝，電流范圍為50A至180A，囊括30多個(gè)器件型號(hào)，其中包括通態(tài)電阻最低的車(chē)用P溝道40V MOSFET。180A是P溝道工藝的基準(zhǔn)。
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 汽車(chē)電源 MOSFET
英飛凌推出的汽車(chē)電源管理OptiMOS P2芯片
- 英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）近日宣布推出采用先進(jìn)溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車(chē)電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進(jìn)、碳減排和成本節(jié)約樹(shù)立了行業(yè)新標(biāo)桿，從而進(jìn)一步鞏固英飛凌在新一代汽車(chē)電源管理應(yīng)用領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET 40V OptiMOS P2
MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路總結(jié)
- 在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也...
- 關(guān)鍵字： MOSFET MOSFET驅(qū)動(dòng)電路
PMOS開(kāi)關(guān)管的選擇與電路圖
- 首先要進(jìn)行MOSFET的選擇，MOSFET有兩大類(lèi)型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開(kāi)關(guān)。當(dāng)在N溝道M...
- 關(guān)鍵字： PMOS 開(kāi)關(guān)管 MOSFET 二極管
安森美半導(dǎo)體推出汽車(chē)級(jí)非同步升壓控制器
- 應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)推出用于汽車(chē)系統(tǒng)自安嶄新的可調(diào)節(jié)輸出非同步升壓控制器。 NCV8871是一款輸入電壓范圍為3.2伏(V)至44 V的寬輸入電壓器件，能用于驅(qū)動(dòng)外部N溝道MOSFET。此器件包含的內(nèi)部穩(wěn)壓器為門(mén)驅(qū)動(dòng)器提供電荷，它在休眠模式下的靜態(tài)電流為3.0微安(µA)，使功耗降至最低。它還具有可同步開(kāi)關(guān)頻率特性，提供兩種分別可設(shè)定為典型值170 kHz或是典型值1 MHz的版本
- 關(guān)鍵字： 安森美半導(dǎo)體 MOSFET 非同步升壓控制器 NCV8871
恩智浦推出超緊湊型電源管理解決方案
- 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ: NXPI) 今日宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 無(wú)鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管和N溝道Trench MOSFET產(chǎn)品PBSM5240PF。DFN2020-6 (SOT1118) 無(wú)鉛塑料封裝占位面積僅有2 x 2 mm，高度僅為0.65 mm，專(zhuān)門(mén)針對(duì)諸如移動(dòng)設(shè)備等高性能消費(fèi)產(chǎn)品的小型化發(fā)展趨勢(shì)而設(shè)計(jì)。
- 關(guān)鍵字： 恩智浦 MOSFET PBSM5240PF
Vishay將舉辦中國(guó)西部電源研討會(huì)
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布將于中國(guó)電子展同期舉辦中國(guó)西部電源研討會(huì)(West China Power Seminars)，時(shí)間和地點(diǎn)分別是8月23日上午9點(diǎn)30分至12點(diǎn)10分在成都明悅大酒店，8月25日在西安曲江國(guó)際會(huì)展中心。每場(chǎng)研討會(huì)將有4位專(zhuān)家做技術(shù)報(bào)告，探討電容器、MOSFET、電源模塊、二極管和光耦合器在新能源、軍工、通信、工業(yè)電源和其他行業(yè)中的應(yīng)用。研討會(huì)面向研發(fā)工程師，用中文講解，CEF的觀眾可以免費(fèi)參加。
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET
根據(jù)應(yīng)用恰當(dāng)選擇MOSFET的技巧
- 鑒于MOSFET技術(shù)的成熟，為設(shè)計(jì)選擇一款MOSFET表面上看是十分簡(jiǎn)單的事情。雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)上的...
- 關(guān)鍵字： MOSFET 導(dǎo)通阻抗 開(kāi)關(guān)電源
MOSFET應(yīng)用案例解析
- 1.開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用從定義上而言，這種應(yīng)用需要MOSFET定期導(dǎo)通和關(guān)斷。同時(shí)，有數(shù)十種拓?fù)淇捎糜陂_(kāi)關(guān)電源，這...
- 關(guān)鍵字： MOSFET 應(yīng)用案例
mosfet-driver介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條mosfet-driver!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)mosfet-driver的理解，并與今后在此搜索mosfet-driver的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)mosfet-driver的理解，并與今后在此搜索mosfet-driver的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
mosfet-driver電路
mosfet-driver相關(guān)帖子
mosfet-driver資料下載
mosfet-driver專(zhuān)欄文章
熱門(mén)主題
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473