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28納米FD-SOI制程嵌入式存儲器即將問世
- SamsungFoundry準備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項。 三星晶圓代工業(yè)務(wù)(SamsungFoundry)準備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM(spintorquetransfermagneticRAM)以及快閃記憶體，做為嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項。 SamsungFoundry行銷暨業(yè)務(wù)開發(fā)負責(zé)人KelvinLow在接受EETimes歐洲版訪問時表示，該公司的技術(shù)藍圖顯示，28
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IBM和三星助推 MRAM、PRAM 商用
- 據(jù)海外媒體報道，DRAM 發(fā)展快到盡頭，磁性存儲器(MRAM)和相變存儲器(PRAM)是最有潛力的接班人?IBM 和三星電子最近宣稱，“自旋傳輸磁性存儲器(STT-MRAM)”的研究出現(xiàn)突破，有望加速走上商用之途。 韓媒 BusinessKorea 11 日報導(dǎo)，IBM 和三星在電機電子工程師學(xué)會(IEEE)發(fā)布研究論文宣稱，兩家公司攜手研發(fā)的 STT-MRAM 的生產(chǎn)技術(shù)，成功實現(xiàn) 10 納秒(nanosecond)的傳輸速度和超省電架構(gòu)，理論上表現(xiàn)超越 DRAM。
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MRAM在28nm CMOS制程處于領(lǐng)先位置
- 在28nm晶片制程節(jié)點的嵌入式非揮發(fā)性記憶體競賽上，自旋力矩轉(zhuǎn)移磁阻式隨機存取記憶體(STT-MRAM)正居于領(lǐng)先的位置。 比利時研究機構(gòu)IMEC記憶體部門總監(jiān)Arnaud Furnemont指出，雖然電阻式隨機存取記憶體(ReRAM)和相變記憶體(PCM)等其他類型的記憶器也都有其支持者，但這些記憶體都存在著微縮的問題，而難以因應(yīng)28nm CMOS制程的要求。 28nm平面CMOS節(jié)點可望具有更長的壽命，以因應(yīng)更多的“超越摩爾定律”(More-than-Moore
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日本東北大學(xué)，開發(fā)成功超高速小電流MRAM
- 日本東北大學(xué)2016年3月21日宣布，開發(fā)成功了可超高速動作的新型磁存儲器(MRAM：Magnetic Random Access Memory)的基礎(chǔ)元件，并實際驗證了動作。該元件可兼顧迄今MRAM元件難以實現(xiàn)的小電流動作和高速動作。 ? 三種自旋軌道力矩磁化反轉(zhuǎn)元件構(gòu)造。(a)與(b)為以前的構(gòu)造，(c)為此次開發(fā)的構(gòu)造(該圖摘自東北大學(xué)的發(fā)布資料) (點擊放大) PC及智能手機使用的SRAM及DRAM等半導(dǎo)體存儲器，因構(gòu)成元件的微細化，性能獲得了提高，但隨著微
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SK海力士與東芝訴訟和解 提升未來技術(shù)發(fā)展力
- 東芝(Toshiba)與SK海力士(SK Hynix)宣布將共同開發(fā)下一代半導(dǎo)體制程技術(shù)，同時東芝也撤銷對SK海力士提出的1.1兆韓元(約9.1億美元)損害賠償訴訟。兩企業(yè)決定集中火力爭取半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來主導(dǎo)權(quán)，取代相互耗損的專利訴訟。 據(jù)ET News報導(dǎo)，東芝與SK海力士曾維持很長時間的合作關(guān)系。2007年締結(jié)專利授權(quán)合約，并自2011年開始共同開發(fā)下一代記憶體STT-MRAM。2014年3月因記憶體半導(dǎo)體技術(shù)外流，東芝向SK海力士提出告訴，要求1.1兆韓元規(guī)模的民事賠償，雙方關(guān)系因此破裂。
- 關(guān)鍵字： 東芝 SK海力士 STT-MRAM
干掉閃存 - 下代MRAM首次展示：快7倍
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- 近日，日本TDK首次展示了新型存儲技術(shù)MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機訪問內(nèi)存，已經(jīng)存在一段時間了，但是TDK將其帶到了一個新的高度。它以磁荷為數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，而它的名字來自自旋傳輸矩，也即是寫入數(shù)據(jù)的時候利用電子角動量來改變磁場。 MRAM技術(shù)的讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM，當(dāng)同時又是非易失性的，也就是可以斷電保存數(shù)據(jù)，等于綜合了RAM、Flash的優(yōu)點。 TDK多年來一直在研究STT-MRAM，但此前從未公開展示。這次拿出的原型芯片
- 關(guān)鍵字： 閃存 MRAM
分析師預(yù)測2019年MRAM市場可達21億美元
- 市場研究機構(gòu)CoughlinAssociates的最新報告預(yù)測，磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)──包含磁場感應(yīng)(field-induced)以及自旋力矩轉(zhuǎn)移(spin-torquetransition，STT)等形式──將在未來因為取代DRAM與SRAM而繁榮發(fā)展。 CoughlinAssociates的報告指出，因為具備省電與非揮發(fā)特性，MRAM/STTMRAM市場營收規(guī)?？赏?013年的1.9億美元左右，到2019年成長至21億美元;期間的復(fù)合年平均成長率(CAGR)估計為50%。
- 關(guān)鍵字： MRAM CMOS
NVE對Everspin提自旋電子MRAM專利侵權(quán)訴訟
- 專門授權(quán)自旋電子(spintronics)磁阻隨機存取內(nèi)存(MRAM)技術(shù)的自旋電子組件開發(fā)商NVR公司表示，該公司已于美國聯(lián)邦法院對 MRAM 供貨商Everspin Technologies提出侵權(quán)訴訟，以捍衛(wèi)其自旋電子 MRAM 專利技術(shù)。 NVE公司指出，在美國明尼蘇達州地方法院提起的這項訴訟案指控Everspin侵犯了NVE公司的三項 MRAM 專利。根據(jù)NVE公司表示，該侵權(quán)訴訟將尋求法院的禁制令，以迫使Everspin公司停止繼續(xù)使用該技術(shù)，并針對其侵權(quán)行為造成的NVE財務(wù)損失進行
- 關(guān)鍵字： NVE 內(nèi)存 MRAM
MRAM熱輔助寫入 為實現(xiàn)20nm以下工藝所必需
- 法國研究機構(gòu)SPINTEC與開發(fā)MRAM技術(shù)的Crocus Technology共同開發(fā)出了將熱輔助切換(Thermally Assisted Switching：TAS)用于垂直磁化方式MTJ元件的STT-MRAM技術(shù)。并在2011年10月31日于美國亞利桑那(Arizona)州斯科茨戴爾(Scottsdale)開幕的磁技術(shù)國際會議“56th MMM”的首日進行了發(fā)布。 TAS技術(shù)是一項邊用加熱器對MTJ元件存儲層進行加熱，邊寫入數(shù)據(jù)的技術(shù)。對存儲層進行加熱后，矯頑力會
- 關(guān)鍵字： MRAM 20nm
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