nand flash 文章 進入nand flash技術(shù)社區(qū)
基于FPGA的串行Flash擴展實現(xiàn)
- 1 引言 FPGA憑借其方便靈活、可重復(fù)編程等優(yōu)點而日益被廣泛應(yīng)用;閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、成本低、使用方便等優(yōu)點，在眾多領(lǐng)域中也獲得了廣泛應(yīng)用。在現(xiàn)代數(shù)字電路設(shè)計中。經(jīng)常需要保存大量數(shù)據(jù)，而Flash存儲速度快、體積小、功耗低且價格低廉，可在線電擦寫，信息在掉電后不會丟失，因此成為設(shè)計人員的首選。 2 M25P80的介紹 Flash是一種具有電可擦除的可編程ROM，可以分為兩大類：并行Flash和串行Flash。并行Flash存儲量大，速度快;而串行Fl
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DRAM市場基礎(chǔ)繼續(xù)惡化 預(yù)計08年資本開支下滑超過30%
- Friedman Billings Ramsey & Co. Inc.(FBR)分析師Mehdi Hosseini日前表示，“根據(jù)三星日前的報告，我們分析2008年上半年DRAM內(nèi)存市場基礎(chǔ)繼續(xù)惡化，大多數(shù)DRAM供應(yīng)商，尤其韓國之外的廠商2008年資本開支出現(xiàn)大幅削減。” 預(yù)計2008年，DRAM領(lǐng)域的資本開支將下滑超過30%，原來預(yù)計下降20%。這將導(dǎo)致總體內(nèi)存資本開支減少10-12%。 在DRAM市場經(jīng)歷了漫長的低迷之后，該市場仍然存在嚴重的供過于求情況?！斑@主要由于按容量計
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各類器件增長強勁 出貨量增長率預(yù)測調(diào)高
- 據(jù)市場調(diào)研公司ICInsights，2007年IC單位出貨量有望增長10%。該公司先前的預(yù)測是增長8%。 ICInsights將調(diào)高增長率預(yù)測歸因于以下器件的出貨量強勁增長：DRAM(上升49%)、NAND閃存(上升38%)、接口IC(增長60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換IC(上升58%)和汽車相關(guān)的模擬IC(上升32%)。 ICInsights表示，如果2007年IC單位出貨量增長率達到10%或者更高水平，將是連續(xù)第六年以兩位數(shù)的速度增長，創(chuàng)下前所未有的強勁增長紀錄。 ICInsights認為，
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內(nèi)存芯片廠商提出新設(shè)計欲破摩爾定律
- 很多廠商都設(shè)計出了未來的閃存技術(shù)，但誰能夠首先推出產(chǎn)品呢? Spansion表示，其MirrorBit和Ornand閃存芯片的基礎(chǔ)是電荷捕獲技術(shù)，這一技術(shù)為閃存產(chǎn)業(yè)繼續(xù)縮小芯片尺寸、提高閃存芯片性能提供了一條途徑。 Spansion CEO伯特蘭向CNET News.com表示，Spansion已經(jīng)生產(chǎn)出了采用電荷捕獲技術(shù)的閃存芯片。Spansion已經(jīng)啟動了一項營銷活動，希望向其它制造商許可一些技術(shù)。 伯特蘭說，三星、東芝、Hynix公開表示對電荷捕獲技術(shù)有很大的興趣。我們擁有這一
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第三季度NAND閃存銷售額增長37%，達42億美元
- 市場調(diào)研公司iSuppli日前在聲明中表示，第三季度NAND閃存半導(dǎo)體全球銷售額增長37%，達到42億美元。但iSuppli指出，在包括蘋果iPod在內(nèi)的消費電子產(chǎn)品需求刺激下的連續(xù)增長勢頭，本季度可能結(jié)束。由于產(chǎn)量增長速度快于需求，本季度NAND的平均銷售價格將下降18%。 韓國海力士半導(dǎo)體第三季度增長最快，其NAND銷售額比第二季度大增79%，達到8.06億美元。它的市場份額是19%，在當季全球排名第三。最大的NAND閃存供應(yīng)商三星電子，市場份額從第二季度的45%降至40%，它出貨的閃存數(shù)量
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閃存成本下滑固態(tài)硬盤價格將下降 筆記本很有優(yōu)勢
- 固態(tài)硬盤明年仍然少見且價格昂貴，但隨著其量產(chǎn)，閃存成本的下滑，固態(tài)硬盤價格從2009年，2010年開始將開始下降。 DRAM與閃存產(chǎn)品制造商Micron Technology本周公布了固態(tài)硬盤發(fā)展計劃。這種硬盤功能與常規(guī)硬盤無異，但與一般硬盤將數(shù)據(jù)存儲在磁碟上不同，固態(tài)硬盤將數(shù)據(jù)保存在NAND內(nèi)存芯片上，就像MP3播放器保存文件的方式一樣。 Micron將從明年第一季度開始大規(guī)模生產(chǎn)固態(tài)硬盤。第一批產(chǎn)品為32GB或64GB型號。雖然容量是現(xiàn)在筆記本電腦硬盤平均容量的一半，但Micron內(nèi)存
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基于FPGA的串行Flash擴展實現(xiàn)
- 1 引言 FPGA憑借其方便靈活、可重復(fù)編程等優(yōu)點而日益被廣泛應(yīng)用;閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、成本低、使用方便等優(yōu)點，在眾多領(lǐng)域中也獲得了廣泛應(yīng)用。在現(xiàn)代數(shù)字電路設(shè)計中。經(jīng)常需要保存大量數(shù)據(jù)，而Flash存儲速度快、體積小、功耗低且價格低廉，可在線電擦寫，信息在掉電后不會丟失，因此成為設(shè)計人員的首選。 2 M25P80的介紹 Flash是一種具有電可擦除的可編程ROM，可以分為兩大類：并行Flash和串行Flash。并行Flash存儲量大，速度快;而串行Fl
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三星減少NAND閃存供貨量 擬甩掉臺灣廠商
- 近期，三星和海力士(Hynix)面向臺灣的NAND閃存芯片供貨量有所下降，另一方面，英特爾和Micron的合資公司IM則推出了更具競爭力的價格并逐步搶占市場，許多分析人士認為未來閃存市場或許將會出現(xiàn)另一番局面。 三星和海力士減少向臺灣內(nèi)存廠商的供貨量，是為了滿足蘋果這類國際大客戶的供貨需求。東芝也限制了供應(yīng)量，唯獨沒有對群聯(lián)電子(Phison Electronics)采取限制措施，這使得不少臺灣企業(yè)開始考慮降低對大廠商產(chǎn)品的依賴。 一些臺灣內(nèi)存廠商指出，它們都不愿意繼續(xù)向三星和海力士采購，
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大容量NAND Flash K9T1G08U0M在網(wǎng)絡(luò)存儲中的應(yīng)用
- 1 引言 隨著嵌入式系統(tǒng)廣泛應(yīng)用，嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲和數(shù)據(jù)管理則成為設(shè)計人員考慮的重點。在許多現(xiàn)場不可達數(shù)據(jù)采集應(yīng)用中采用分布式數(shù)據(jù)存儲，必然帶來數(shù)據(jù)管理的不便，因此，集中管理數(shù)據(jù)成為一種思路。利用成熟的網(wǎng)絡(luò)傳輸技術(shù)集中分布式嵌入式系統(tǒng)數(shù)據(jù)，采用C/S模式管理數(shù)據(jù)。對于大容量數(shù)據(jù)存儲，選擇介質(zhì)存儲是需要重點考慮的問題。目前大多采用IDE硬盤或SCSI硬盤存儲，但都存在抗震和抗電磁干擾能力差、使用溫度范圍窄，無法長期在惡劣的環(huán)境中長期工作。電子式Flash存儲器具有速度快、容量大、成本低、體積
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供應(yīng)過剩 NAND及DRAM行情短期進一步惡化
- 美國iSuppli調(diào)研結(jié)果顯示，由于供應(yīng)過剩與價格暴跌，DRAM及NAND閃存行情將在短期內(nèi)進一步惡化。 NAND閃存方面，預(yù)計512M產(chǎn)品全球平均單價(ASP)將從2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND閃存的平均單價在第二季度、第三季度均比上季度有所提高，分別為6%與8.4%。但是在第四季度，隨著價格下跌，行情出現(xiàn)惡化，短期內(nèi)很難恢復(fù)。iSuppli首席分析師Nam Hyung Kim表示，此次價格下跌的主要原因韓國內(nèi)存廠商將生產(chǎn)能力從DRAM轉(zhuǎn)移至NAND閃存，從而導(dǎo)
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年終旺季需求支撐，NAND FLASH合約價短期平穩(wěn)
- 11月上旬NAND Flash合約價格大致跌幅約為0-5%，比前兩個月跌幅明顯縮小，主要是因為下游客戶在10月已陸續(xù)進行降低庫存的動作，加上市場預(yù)期11月中旬要開始準備年底旺季的備貨需求，根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)觀察，NAND Flash價格走勢在11月初已經(jīng)出現(xiàn)止跌回穩(wěn)的現(xiàn)象。 隨著NAND Flash供貨商5X納米制程產(chǎn)品供應(yīng)量提高后，下游客戶采購顆粒開始轉(zhuǎn)向以8Gb和16Gb MLC為主流，導(dǎo)致TSOP 4G MLC顆粒跌幅約為11%，相較于其它規(guī)格來得顯著。有鑒于9月以來
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奧地利微電子為代工用戶擴展CMOS、高壓、高壓FLASH和RF多項目晶圓服務(wù)
- 奧地利微電子的全方位服務(wù)晶圓代工廠業(yè)務(wù)部推出一份更加全面的 2008 年度時間表，擴展了其具有成本效益的、快速的專用集成電路(ASIC)原型服務(wù)，即所謂以多項目晶圓 (MPW) 或往復(fù)運行(shuttle run)。該服務(wù)將來自不同用戶的若干設(shè)計結(jié)合在一個晶圓上，有助于眾多不同的參與者分攤晶圓和掩膜成本。 RF多項目晶圓服務(wù) 奧地利微電子的 MPW 服務(wù)包括基于 TSMC(臺積電)0.35µm CMOS 工藝的全程0.35µm尺寸工藝。兼容 SiGe BiCMOS
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07年第三季NAND Flash廠營收逼近39億美元
- 根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)最新出爐的第三季NANDFlash營收市占率報告指出，NANDFlash品牌廠商在2007年第三季整體營收表現(xiàn)亮麗，逼近三十九億美元，比第二季增長了36.8%;整體NANDFlash位出貨量相較于第二季增長約30%;而就營收排行而言，三星(Samsung)如預(yù)期再度蟬連冠軍，東芝(Toshiba)居次，而海力士(Hynix)、美光(Micron)和英特爾(Intel)營收均有顯著的增長。 由于第三季為傳統(tǒng)NANDFlash下游客戶的備貨旺
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nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]
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