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IDC: 今年芯片銷售增速緩慢將促使08年猛增
- IDC在最新的《全球半導體市場預測》中預測，2007年全球芯片銷售收入增長速度放慢將為2008年的大增長奠定基礎。 據(jù)國外媒體報道，2007年全球芯片市場的增長速度將只有4.8%，2006年的這一數(shù)字只有8.8%。IDC預測，2008年的增長速度將達到8.1%。 報告指出，如果產(chǎn)能增長速度在明年放緩和需求仍然保持緩慢，芯片市場的增長速度會更快。市場潮流是合并和收購，這可能會改變業(yè)界的競爭格局。 IDC負責《全球半導體市場預測》的項目經(jīng)理戈帕爾說，今年上半年芯片市場的供過于求降低了對各
- 關鍵字： 消費電子 芯片 DRAM NAND EDA IC設計
IC單位出貨量強勁 面臨廠商無利潤繁榮局面
- 最近公布的數(shù)據(jù)顯示，2007年IC單位出貨量將增長10%，略高于市場調(diào)研公司ICInsights最初預計的8%。自2002年以來，IC單位出貨量一直保持兩位數(shù)的年增長率。DRAM(49%)、NAND閃存(38%)、接口(60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換(58%)、和汽車相關的模擬IC(32%)出貨量強勁增長，正在推動總體產(chǎn)業(yè)需求，并使IC出貨量保持在高位。 1980年以來，IC產(chǎn)業(yè)單位出貨量有兩次實現(xiàn)連續(xù)三年保持兩位數(shù)增長率，分別是1982-1984和1986-1988年。在這兩次之后，IC的單位出貨量增長速
- 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 IC DRAM NAND 模擬IC
集成電路出貨量增長 廠商面臨無利潤繁榮局面
- 最近公布的數(shù)據(jù)顯示，2007年IC單位出貨量將增長10%，略高于市場調(diào)研公司ICInsights最初預計的8%。自2002年以來，IC單位出貨量一直保持兩位數(shù)的年增長率。DRAM(49%)、NAND閃存(38%)、接口(60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換(58%)、和汽車相關的模擬IC(32%)出貨量強勁增長，正在推動總體產(chǎn)業(yè)需求，并使IC出貨量保持在高位。 1980年以來，IC產(chǎn)業(yè)單位出貨量有兩次實現(xiàn)連續(xù)三年保持兩位數(shù)增長率，分別是1982-1984和1986-1988年。在這兩次之后，IC的單位出貨量增長速
- 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 IC 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換 NAND 模擬IC
報告:9月全球微芯片銷售收入同比增長5.9%
- 據(jù)美國半導體行業(yè)協(xié)會(SIA)周一稱，在PC和手機等消費電子產(chǎn)品需求的推動下，今年9月份全球微芯片銷售收入增長了5.9%。 9月份全球微芯片銷售收入從去年同期的213億美元增長到了226億美元。今年第三季度全球微芯片銷售收入增長6%，從去年同期的640億美元提高到了678億美元。 SIA總裁GeorgeScalise在聲明中稱，第三季度的全球銷售比今年第二季度增長了13.2%反映了為圣誕節(jié)假日銷售準備產(chǎn)品的傳統(tǒng)模式已經(jīng)開始。 消費電子產(chǎn)品的需求非常強勁。第三季度用于傳統(tǒng)消費電子產(chǎn)品的
- 關鍵字： 消費電子 NAND 閃存 芯片 嵌入式
NAND和NOR flash詳解
- NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后，仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。 相“flash存儲器”經(jīng)?？梢耘c相“NOR存儲器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人
- 關鍵字： NAND NOR flash 集成電路 存儲器
各類器件增長強勁 出貨量增長率預測調(diào)高
- 據(jù)市場調(diào)研公司ICInsights，2007年IC單位出貨量有望增長10%。該公司先前的預測是增長8%。 ICInsights將調(diào)高增長率預測歸因于以下器件的出貨量強勁增長：DRAM(上升49%)、NAND閃存(上升38%)、接口IC(增長60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換IC(上升58%)和汽車相關的模擬IC(上升32%)。 ICInsights表示，如果2007年IC單位出貨量增長率達到10%或者更高水平，將是連續(xù)第六年以兩位數(shù)的速度增長，創(chuàng)下前所未有的強勁增長紀錄。 ICInsights認為，
- 關鍵字： 模擬技術 電源技術 IC 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換 NAND 模擬IC
報告稱：07年全球集成電路出貨量將增長10%
- 10月21日消息，據(jù)外電報道，市場研究公司ICInsights將2007年全球集成電路(IC)出貨量增長率從原來的8%提高到了10%。 這家研究公司把2007年全球集成電路出貨量的增長歸功于一些集成電路產(chǎn)品出貨量的強勁增長，如DRAM內(nèi)存出貨量增長49%，NAND閃存出貨量增長38%，接口集成電路出貨量增長60%，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換集成電路出貨量增長58%，汽車模擬集成電路出貨量增長32%。 ICInsights稱，如果2007年全球集成電路出貨量增長率達到10%或者更高，這將是連續(xù)第六年的兩位增長
- 關鍵字： 模擬技術 電源技術 集成電路 NAND 閃存
DRAM現(xiàn)貨市場持續(xù)走弱 合約市場交易冷清
- 現(xiàn)貨市場DDR2價格方面持續(xù)走弱;而DDR則因供應不足價格緩步盤堅。DDR2512MbeTT跌至1美元左右的新低價之后，暫時止跌并微幅反彈，在1.02至1.05美元震蕩，以1.03美元做收，跌幅為5.5%;DDR2512Mb667MHz則滑落至1.35美元，下跌2.9%。在DDR1市場方面，由于現(xiàn)貨市場供給數(shù)量仍舊不足，上周也曾出現(xiàn)缺貨狀況，價格持續(xù)小幅上揚，DDR512Mb400MHz以2.66美元做收，上漲5.6%。 十月份合約市場相當清淡，OEM拿貨意愿低落，部分廠商甚至認為，倘若預期十一
- 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 DDR2 DRAM NAND MCU和嵌入式微處理器
NAND閃存價格反彈 帶動八月芯片銷售增長
- 根據(jù)半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會SIA報告，2007年8月全球芯片銷售三月平均值達到215.2億美元，比2006年同期數(shù)字猛升4.9%。8月份銷售增長超過分析師預測，比2007年7月的三月平均銷售額206.1億美元增長4.5%。 SIA表示，增長歸因于NAND閃存供應減少導致平均銷售價格反彈。8月份NAND閃存銷售價格比7月增長19%，與2006年8月相比增長48%。 SIA總裁GeorgeScalise表示，“8月份，正常的季節(jié)性增長帶來全球半導體銷售連續(xù)健
- 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 NAND 閃存 芯片 MCU和嵌入式微處理器
單片機的FLASH引導裝載系統(tǒng)設計
- 前言DSP系統(tǒng)的引導裝載是指在系統(tǒng)加電時，由DSP將一段存儲在外部非易失性存儲器中的代碼移植到內(nèi)部高速存儲器單元并執(zhí)行的過程。這種方式即可利用外部存儲單元擴展DSP本身有限的ROM資源，又能充分發(fā)揮DSP內(nèi)部資源的高速效能。因此，引導裝載系統(tǒng)的性能直接關系到整個DSP系統(tǒng)的可靠性和處理速度，是DSP系統(tǒng)設計中必不可少的重要環(huán)節(jié)。在裝載系統(tǒng)中，外部非易失性存儲器和DSP的性能尤為重要。FLASH是一種高密度、非易失性的電可擦寫存儲器，而且單位存儲比特的價格比傳統(tǒng)EPROM要低。為此，本文介紹了TMS320C
- 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 FLASH 裝載系統(tǒng) DSP 單板計算機
NAND閃存價格走好 東芝晶圓廠產(chǎn)能滿載利潤大漲
- Jefferies Japan高級分析員David Motozo Rubenstein日前透露，東芝(Toshiba)公司NAND閃存晶圓廠的產(chǎn)能利用率已經(jīng)處于最高位。 事實上，東芝公司的業(yè)務表現(xiàn)正在發(fā)生變化。David表示，“東芝認為供需形勢處于有利狀況，由于晶圓廠產(chǎn)能利用率達到100%，公司不得不回絕了25%的訂單?！?還有更好的消息。NAND閃存“2006年平均售價下降70%，東芝曾經(jīng)預計2007年更進一步下滑50%，但是到目前為止，價格還高于預計之上?！?價格已經(jīng)觸底
- 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 NAND 閃存 東芝 嵌入式
C8051F的超大容量Flash存儲器擴展
- 摘要：NAND結(jié)構(gòu)Flash數(shù)據(jù)存儲器件是超大容量數(shù)據(jù)存儲的理想選擇，當前被廣泛應用于U盤、MP3和數(shù)碼相機的數(shù)據(jù)存儲。本文對該類型Flash的基本操作進行研究并對實際應用系統(tǒng)給予驗證，揭示了NAND結(jié)構(gòu)Flash的操作規(guī)律。 關鍵詞：NAND Flash 數(shù)據(jù)存儲 C8051F 引 言 大容量數(shù)據(jù)存儲是單片機應用系統(tǒng)的瓶頸，受到容量、功耗、尋址方式的約束。突破容量限制，可以很大程度上擴展和提高應用系統(tǒng)的總體功能。Sumsung公司的NAND結(jié)構(gòu)Fla
- 關鍵字： NAND Flash 數(shù)據(jù)存儲 C8051F MCU和嵌入式微處理器
TMS320C6713的FLASH引導裝載系統(tǒng)設計
- 前言 DSP系統(tǒng)的引導裝載是指在系統(tǒng)加電時，由DSP將一段存儲在外部非易失性存儲器中的代碼移植到內(nèi)部高速存儲器單元并執(zhí)行的過程。這種方式即可利用外部存儲單元擴展DSP本身有限的ROM資源，又能充分發(fā)揮DSP內(nèi)部資源的高速效能。因此，引導裝載系統(tǒng)的性能直接關系到整個DSP系統(tǒng)的可靠性和處理速度，是DSP系統(tǒng)設計中必不可少的重要環(huán)節(jié)。在裝載系統(tǒng)中，外部非易失性存儲器和DSP的性能尤為重要。FLASH是一種高密度、非易失性的電可擦寫存儲器，而且單位存儲比特的價格比傳統(tǒng)EPROM要低。為此，本文介紹了TMS320
- 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 TMS320C6713 FLASH 中間件 軟件庫
nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]
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