nand-flash 文章 進入nand-flash技術(shù)社區(qū)
面對大陸攻勢 三星海力士強化3D NAND投資
- 據(jù)韓國經(jīng)濟報導(dǎo)，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在政府的強力支援下，清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略，迫使南韓、日本、美國等主要半導(dǎo)體業(yè)者也紛紛強化投資。 市調(diào)業(yè)者DRAM eXchange表示，全球半導(dǎo)體市場中，NAND Flash事業(yè)從2011~2016年以年均復(fù)合成長率(CARG)47%的速度成長;清華紫光以新成立的長江存儲進行武漢新芯的股權(quán)收購，成立長江存儲科技有限責任公司，未來可能引發(fā)NAND Flash市場版圖變化。 清華紫光擁有清華大學的人脈，在社會上擁有一定的影響力，武漢新芯擁有技術(shù)方面
- 關(guān)鍵字： 三星 3D NAND
三星年底前量產(chǎn)64層3D NAND
- 上周東芝及WD(西部數(shù)據(jù))宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產(chǎn)，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。外電報道，三星將搶先于今年底前開始量產(chǎn)64層3D NAND，三星表示，目標是今年生產(chǎn)4G V-NAND，可能意即為64層3D NAND。 SSD(固態(tài)硬盤)近年來制程技術(shù)演進，成本價格逐漸逼近硬盤(Hard disk)，因此滲透率大增，各大廠陸續(xù)將生產(chǎn)DRAM產(chǎn)能逐漸轉(zhuǎn)向NAND Flash(儲存型快閃記憶體)，大搶市占率，除了比市
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
東芝超車失敗：三星年底前量產(chǎn)64層3D NAND
- 上周東芝及WD(西部數(shù)據(jù))宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產(chǎn)，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。外電報道，三星將搶先于今年底前開始量產(chǎn)64層3D NAND，三星表示，目標是今年生產(chǎn)4G V-NAND，可能意即為64層3D NAND。 SSD(固態(tài)硬盤)近年來制程技術(shù)演進，成本價格逐漸逼近硬盤(Hard disk)，因此滲透率大增，各大廠陸續(xù)將生產(chǎn)DRAM產(chǎn)能逐漸轉(zhuǎn)向NAND Flash(儲存型快閃記憶體)，大搶市占率，除了比市
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
東芝跑第一，64 層 3D Flash 開始試產(chǎn)送樣
- 據(jù)海外媒體報道，韓國三星電子為全球第一家量產(chǎn) 3D 架構(gòu) NAND 型快閃存儲器(Flash Memory)的廠商，不過其NAND Flash 最大競爭對手東芝(Toshiba)追趕速度驚人，宣布已領(lǐng)先全球同業(yè)，研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 產(chǎn)品(見首圖)，且開始進行送樣。 東芝 27 日發(fā)布新聞稿宣布，已研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 制程技術(shù)，并自今日起領(lǐng)先全球同業(yè)開始進行樣品出貨，且預(yù)計將透過甫于 7 月完工的四日市工廠“新第 2 廠房”進行生
- 關(guān)鍵字： 東芝 Flash
陶氏發(fā)表OPTIPLANE 先進半導(dǎo)體制造化學機械研磨液(CMP)平臺
- 陶氏電子材料是陶氏化學公司的一個事業(yè)部，本日推出 OPTIPLANE™ 化學機械研磨液 (CMP) 平臺。OPTIPLANE 研磨液系列的開發(fā)是為了滿足客戶對先進半導(dǎo)體研磨液的需求：能以有競爭力的成本，符合減少缺陷的要求和更嚴格的規(guī)格，適合用來製造新一代先進半導(dǎo)體裝置。 全球 CMP 消耗品市場持續(xù)成長，部分的成長驅(qū)動力來自新的 3D 邏輯、NAND 快閃記憶體和封裝應(yīng)用，這些均要求大幅提高的平坦化效果和最低程度的缺陷率，以符合無數(shù)先進電子裝置的性能需求。 「生產(chǎn)先進半導(dǎo)體晶圓
- 關(guān)鍵字： 陶氏 NAND
英特爾大連55億美元非易失性存儲項目提前投產(chǎn)
- 經(jīng)過8個多月的努力，英特爾大連非易失性存儲制造新項目7月初實現(xiàn)提前投產(chǎn)。7月25日，記者在英特爾半導(dǎo)體(大連)有限公司廠區(qū)內(nèi)看到，1000多名英特爾員工和來自全世界的數(shù)千名項目建設(shè)供應(yīng)商員工，正井然有序地忙碌著，他們的共同目標只有一個：全力加速非易失性存儲制造新項目的量產(chǎn)步伐。 去年10月，英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠建設(shè)為世界上最先進的非易失性存儲器制造工廠。該項目是迄今為止英特爾在中國的最大一筆投資，也是大連市乃至遼寧省改革開放以來最大的外資項目。此前的2010年，作為英特爾在亞洲
- 關(guān)鍵字： 英特爾 NAND
NAND快閃記憶體價格上漲 創(chuàng)見威剛笑開懷
- NAND快閃記憶體受惠固態(tài)硬盤(SSD)銷售熱絡(luò)，加上智能手機搭載容量提高，帶動近月價格持續(xù)上漲，創(chuàng)見、威剛等模組廠營運受惠，市場預(yù)期蘋果將推出的iPhone 7拉貨動能如何，將攸關(guān)NAND快閃記憶體價格續(xù)漲力道。 市場指出，上半年非蘋陣營智能手機產(chǎn)品銷售強勁，產(chǎn)品功能提升帶動記憶體需求大增，加上6月三星西安廠因變電廠爆炸導(dǎo)致停工，帶動NAND快閃記憶體價格上漲，主流產(chǎn)品在1個月內(nèi)漲幅超過2成。 市況變化帶動記憶體模組廠營運增溫，創(chuàng)見表示，在漲價預(yù)期心理帶動下，通路拉貨力道明顯回升，DRA
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM
三星西安廠事故導(dǎo)致NAND價格爆沖22%
- 因中國大陸、中國臺灣智能手機廠商紛紛強化產(chǎn)品功能、帶動記憶體需求大增，加上三星電子西安工廠6月因附近變電廠爆炸而一度停工，帶動使用于智能手機、記憶卡的NAND型快閃記憶體(Flash Memory)交易價格轉(zhuǎn)趨走揚，指標性產(chǎn)品6月份批發(fā)價在1個月期間內(nèi)飆漲22%。 報道指出，6月份MLC(Multi-Level Cell)類型64Gb NAND價格揚升至每個2.75美元、為2年9個月以來首度走升，其中也有部分交易價格超過3美元，且進入7月以來價格仍持續(xù)走揚。據(jù)英國調(diào)查公司指出，2016年全球NA
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
全快閃儲存導(dǎo)入新型Flash存儲器以降低成本、生態(tài)大洗牌
- 許多廠商開始將重心轉(zhuǎn)移到降低全快閃儲存陣列的成本，如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導(dǎo)入低成本的TLCFlash記憶體;眾多廠商爭相發(fā)展全快閃儲存陣列，也改變了既有的全快閃儲存市場消長 在全快閃儲存陣列這類型產(chǎn)品誕生初期，唯一的賣點便是高效能，應(yīng)用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領(lǐng)域。為了擴展應(yīng)用環(huán)境，后來的全快閃儲存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。 我們可以把全快閃儲存陣列的發(fā)展分為4個階段： 第一階段是效能導(dǎo)向。提供高效能，是全快閃儲存陣列這類產(chǎn)品誕生的目的，早期的全快閃儲存陣列
- 關(guān)鍵字： Flash 存儲器
東芝將領(lǐng)先三星推出64層3D NAND Flash
- 據(jù)海外媒體報道，東芝(Toshiba)計劃領(lǐng)先三星電子(Samsung Electronics)于2016財年開始量產(chǎn)64層3D NAND Flash存儲器芯片。日經(jīng)亞洲評論(Nikkei Asian Review)報導(dǎo)，東芝于7月15日舉辦日本三重縣四日市(Yokkaichi)半導(dǎo)體二廠啟用儀式，未來將在此工廠生產(chǎn)64層NAND Flash。 64層NAND Flash較東芝和三星目前生產(chǎn)的48層NAND Flash容量高30%，雖然價格較高，但每單位容量會比48層版的便宜。若應(yīng)用于智能型手機
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
全快閃儲存導(dǎo)入新型Flash存儲器以降低成本、生態(tài)大洗牌
- 許多廠商開始將重心轉(zhuǎn)移到降低全快閃儲存陣列的成本，如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導(dǎo)入低成本的TLC Flash記憶體;眾多廠商爭相發(fā)展全快閃儲存陣列，也改變了既有的全快閃儲存市場消長 在全快閃儲存陣列這類型產(chǎn)品誕生初期，唯一的賣點便是高效能，應(yīng)用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領(lǐng)域。為了擴展應(yīng)用環(huán)境，后來的全快閃儲存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。 我們可以把全快閃儲存陣列的發(fā)展分為4個階段： 第一階段是效能導(dǎo)向。提供高效能，是全快閃儲存陣列這類產(chǎn)品誕生的目的，早期的全快閃儲存陣
- 關(guān)鍵字： Flash 存儲器
nand-flash介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條nand-flash!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對nand-flash的理解，并與今后在此搜索nand-flash的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對nand-flash的理解，并與今后在此搜索nand-flash的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
nand-flash電路
nand-flash相關(guān)帖子
nand-flash資料下載
nand-flash專欄文章
熱門主題
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473