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日媒：中國(guó)半導(dǎo)體制造設(shè)備市場(chǎng)大幅增長(zhǎng)
- 據(jù)韓聯(lián)社9月19日?qǐng)?bào)道，韓國(guó)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)IHS和半導(dǎo)體業(yè)界19日消息，三星電子在今年第二季度整合元件制造商排名中位列第二，銷售額占有率為11.3%，與英特爾的差距縮小到3.4個(gè)百分點(diǎn)。 今年第二季度三星電子銷售額達(dá)94.52億美元，排名第一的美國(guó)英特爾半導(dǎo)體銷售額達(dá)122.72億美元，市場(chǎng)份額為14.7%。 三星與英特爾的市場(chǎng)份額差距在2012年達(dá)5.3個(gè)百分點(diǎn)，2013年為4.2個(gè)百分點(diǎn)，2014年3.4個(gè)百分點(diǎn)，2015年為3.2個(gè)百分點(diǎn)。雖然，今年第一季度差距拉大到4個(gè)百分點(diǎn)以上，但
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 NAND
第二季NAND Flash品牌營(yíng)收排行
- 第二季NAND Flash品牌商營(yíng)收較上季成長(zhǎng)3.4%，結(jié)束前兩季連續(xù)衰退的頹勢(shì)。 受惠于中國(guó)智慧型手機(jī)品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7備貨需求，第二季整體NAND Flash供貨逐漸吃緊;TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示，2016年第二季eMMC、用戶級(jí)固態(tài)硬碟與企業(yè)級(jí)固態(tài)硬碟的合約價(jià)跌幅開(kāi)始收斂，通路端wafer價(jià)格更從四月起逐月走揚(yáng)，第二季NAND Flash品牌商營(yíng)收逆勢(shì)季成長(zhǎng)3.4%，結(jié)束前兩季連續(xù)衰退的頹勢(shì)。 DRAM
- 關(guān)鍵字： NAND 三星
美光3D NAND創(chuàng)新低成本制程分析
- 美光公司日前開(kāi)始量產(chǎn)其32層(32L) 3D NAND快閃記憶體，包含該元件的首批商用下游產(chǎn)品之一是Crucial 750GB SATA 2.5寸固態(tài)硬碟(SSD)。如圖1所示，這款產(chǎn)品的連續(xù)讀取/寫(xiě)入速度分別高達(dá)每秒530MB與每秒510MB;其功耗較一般硬碟驅(qū)動(dòng)器(HDD)改善了90倍，據(jù)稱也更加耐用。 Crucial SSD的售價(jià)為200美元，這使其成為筆記型電腦應(yīng)用最具吸引力的選項(xiàng)，而且我們發(fā)現(xiàn)有越來(lái)越多的電腦設(shè)備開(kāi)始利用SSD取代傳統(tǒng)HDD。HDD也許將逐漸被市場(chǎng)所淘汰，不過(guò)必須承認(rèn)的
- 關(guān)鍵字： 美光 3D NAND
TrendForce：市況逐步回穩(wěn)，第二季NAND Flash品牌商營(yíng)收季成長(zhǎng)3.4%
- 受惠于中國(guó)智能手機(jī)品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7備貨需求，第二季整體NAND Flash供貨逐漸吃緊。 TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新報(bào)告顯示，第二季eMMC、消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)與企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)的合約價(jià)跌幅開(kāi)始收斂，渠道端wafer價(jià)格更從4月起逐月上揚(yáng)，第二季NAND Flash品牌商營(yíng)收逆勢(shì)季成長(zhǎng)3.4%，結(jié)束前兩季度連續(xù)衰退的頹勢(shì)。 DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，第三?/li>
- 關(guān)鍵字： 美光 NAND
三星3D垂直NAND閃存量產(chǎn) SSD容量可輕松提升
- 韓國(guó)三星公司剛剛宣布旗下的最新一代采用3D垂直閃存(V-NAND)的固態(tài)硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)行量產(chǎn)。最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲(chǔ)芯片相比，具有包
- 關(guān)鍵字： 3D垂直閃存 V-NAND 固態(tài)硬盤(pán)
三星3D V-NAND固態(tài)盤(pán)加速企業(yè)閃存進(jìn)化
- 三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級(jí)應(yīng)用、高可靠的固態(tài)盤(pán)存儲(chǔ)--V-NAND固態(tài)盤(pán)。最新用于固態(tài)盤(pán)V-NAND技術(shù)帶來(lái)性能上的提升，節(jié)省電力消耗，并提高了急需
- 關(guān)鍵字： 三星 V-NAND 3D 固態(tài)盤(pán)
SSD容量突破關(guān)鍵：3D存儲(chǔ)芯片大揭秘
- 現(xiàn)在每一個(gè)閃存廠家都在向3D NAND技術(shù)發(fā)展，我們之前也報(bào)道過(guò)Intel 3D NAND的一些信息。5月14日，Intel Richmax舉辦了一場(chǎng)技術(shù)講解會(huì)3D Nand Technical Workshop，I
- 關(guān)鍵字： 3D NAND SSD 存儲(chǔ)技術(shù)
NAND flash和NOR flash的區(qū)別詳解
- 我們使用的智能手機(jī)除了有一個(gè)可用的空間(如蘋(píng)果8G、16G等)，還有一個(gè)RAM容量，很多人都不是很清楚，為什么需要二個(gè)這樣的芯片做存儲(chǔ)呢，這就是我
- 關(guān)鍵字： NOR flash Nand flash FlaSh
DSP硬件設(shè)計(jì)需要知道的注意事項(xiàng)
- 數(shù)字信號(hào)處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時(shí)鐘性能超過(guò)100MHZ)和高速先進(jìn)外圍設(shè)備，通過(guò)CMOS處理技術(shù)，DSP芯片的功耗越來(lái)越低。這些巨大的進(jìn)步增加了DSP
- 關(guān)鍵字： 硬件設(shè)計(jì) FlaSh DSP
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