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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand-flash

          美光:TMC模式不會(huì)成功

          •   隨著TMC股東和班底逐漸浮上臺(tái)面,美光(Micron)和臺(tái)塑集團(tuán)將加速送出整合計(jì)畫書,美光在臺(tái)代表暨華亞科執(zhí)行副總勒松言(Michael Sadler)表示,TMC模式不會(huì)成功,即使成功亦不會(huì)解決臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)問題,但臺(tái)系DRAM廠并不會(huì)步上奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)后塵,因?yàn)榕_(tái)灣12寸廠產(chǎn)能相當(dāng)吸引人,不會(huì)像奇夢(mèng)達(dá)倒了都還找不到買主,而美光在臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)布局策略,除華亞科之外,亦將尋求與其它DRAM廠合資(JV)機(jī)會(huì)。   現(xiàn)階段TMC還未有產(chǎn)能奧援,初期定位以利基型存儲(chǔ)器公司作出發(fā),采取爾必
          • 關(guān)鍵字: 美光  DRAM  NAND  

          三星計(jì)劃升級(jí)美國(guó)內(nèi)存芯片工廠 裁員500人

          •   三星電子正計(jì)劃對(duì)美國(guó)德克薩斯州奧斯汀的一處內(nèi)存芯片工廠進(jìn)行升級(jí)改造,這一過程中將裁員500人。   三星奧斯汀半導(dǎo)體公司將投資5億美元將對(duì)該工廠進(jìn)行改造。該工廠將于10月份關(guān)閉,改造工作將于2009年末至2010年初開始。   今年早些時(shí)候,三星奧斯汀半導(dǎo)體公司在三星電子的大規(guī)模重組中裁員20人。該公司在當(dāng)?shù)負(fù)碛袃杉夜S,分別生產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片和NAND閃存芯片。
          • 關(guān)鍵字: 三星  內(nèi)存芯片  DRAM  NAND  

          智能手機(jī)微型投影機(jī)初露鋒芒,NAND閃存繁榮依舊

          •   手機(jī)及其它移動(dòng)電子設(shè)備微型投影機(jī)發(fā)展驚人   據(jù) iSuppli 公司,由于能夠克服移動(dòng)電子設(shè)備顯示屏尺寸的限制,嵌入到智能手機(jī)等產(chǎn)品中的微型投影機(jī)的出貨量未來四年將增長(zhǎng)約 60 倍。   到 2013 年,內(nèi)嵌式微型投影機(jī)的出貨量將從今年的 5 萬部升至超過 300 萬部。附圖為 iSuppli公司對(duì)內(nèi)嵌式微型投影機(jī)全球出貨量的預(yù)測(cè)。   iSuppli 對(duì)微型投影機(jī)的定義是:重量小于 2 磅 (約 0.9 公斤)、體積小于 60 立方英寸(約 983 立方厘米)、無需電池組的正投影機(jī)。雖然微
          • 關(guān)鍵字: 智能手機(jī)  NAND  

          NAND閃存產(chǎn)業(yè)走到十字路口

          •   NAND閃存產(chǎn)業(yè)正處在十字路口。SanDisk CEO Eli Harari稱未來的產(chǎn)能需要和產(chǎn)品需求“失去了關(guān)聯(lián)”。NAND閃存糟糕的產(chǎn)業(yè)模式使廠商對(duì)建新廠失去興趣。   積極地來看,Harari稱2013年NAND閃存位需求將達(dá)10萬petabyte(PB,1 peta=100萬Giga),而現(xiàn)在為7000PB。當(dāng)前和未來的NAND閃存需求讓將爆炸性增長(zhǎng),其中包括最有潛力的市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)力——嵌入式移動(dòng)應(yīng)用市場(chǎng)。   Harari在閃存峰會(huì)的主題演講中
          • 關(guān)鍵字: SanDisk  NAND  閃存  

          英特爾美光聯(lián)合推出34納米閃存芯片

          •   英特爾和美光科技周二發(fā)布了用于閃存卡和優(yōu)盤的高數(shù)據(jù)容量閃存技術(shù)。這兩家公司稱,他們已經(jīng)開發(fā)出了基于34納米技術(shù)的NAND閃存芯片,存儲(chǔ)容量為每個(gè)儲(chǔ)存單元3比特。這個(gè)存儲(chǔ)密度高于目前標(biāo)準(zhǔn)的每個(gè)存儲(chǔ)單元2比特的技術(shù),從而將實(shí)現(xiàn)高容量的優(yōu)盤。   美光NAND閃存營(yíng)銷經(jīng)理Kevin Kilbuck說,雖然在一個(gè)存儲(chǔ)單元加入更多比特的數(shù)據(jù)能夠提供更大的數(shù)據(jù)密度,但是,這種做法沒有基于更標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)的閃存那樣可靠。因此,每個(gè)儲(chǔ)存單元3比特的芯片最初將僅限于應(yīng)用到優(yōu)盤。優(yōu)盤沒有要求固態(tài)硬盤的那種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)可靠性。固
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  NAND  34納米  

          臺(tái)灣媒體:奇夢(mèng)達(dá)資產(chǎn)拍賣 大陸撿便宜

          •   曾經(jīng)是歐洲最大內(nèi)存廠的奇夢(mèng)達(dá)進(jìn)入資產(chǎn)拍賣階段,而此舉剛好給了大陸切入內(nèi)存產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的大好時(shí)機(jī)!浪潮集團(tuán)將于8月中收購(gòu)奇夢(mèng)達(dá)西安研發(fā)中心,至于蘇州封測(cè)也傳出將由華潤(rùn)集團(tuán)接手,而這些收購(gòu)公司背后都有國(guó)資背景,顯見在官方撐腰并下指導(dǎo)棋的情況下,大陸內(nèi)存產(chǎn)業(yè)鏈終于完備。   德國(guó)內(nèi)存龍頭廠奇夢(mèng)達(dá)確定遭到市場(chǎng)淘汰,并已正式進(jìn)入資產(chǎn)拍賣階段。目前奇夢(mèng)達(dá)的資產(chǎn)包括6大研發(fā)中心、美國(guó)的弗吉尼亞與德國(guó)的德勒斯登12吋晶圓廠,以及大陸、葡萄牙、馬來西亞的后段封測(cè)廠。至于奇夢(mèng)達(dá)在大陸的基地,只有西安的研發(fā)中心與蘇州的內(nèi)存后
          • 關(guān)鍵字: 奇夢(mèng)達(dá)  晶圓  服務(wù)器  DRAM  NAND  

          日本半導(dǎo)體和液晶生產(chǎn)復(fù)蘇 廠家暑期加班應(yīng)對(duì)

          •   據(jù)日本媒體報(bào)道,日本近期半導(dǎo)體和液晶面板的生產(chǎn)水平得到回升,大型電器生產(chǎn)廠家紛紛決定利用暑期休假時(shí)間加班加點(diǎn)進(jìn)行生產(chǎn)。由于環(huán)保積分制度促進(jìn)數(shù)碼家電銷量增長(zhǎng)等因素,市場(chǎng)需求得到恢復(fù),庫存調(diào)整也取得進(jìn)展。生產(chǎn)水平的回升一旦上了軌道,這些企業(yè)的業(yè)績(jī)有望得到好轉(zhuǎn),也可能為日本國(guó)內(nèi)經(jīng)濟(jì)帶來一股活力。   在液晶生產(chǎn)領(lǐng)域擁有主導(dǎo)權(quán)的夏普公司旗下龜山第二工廠的液晶面板生產(chǎn)線暑期照常開工。該工廠從8月起將液晶面板產(chǎn)能提高約10%,在建中的堺市新工廠也將于10月起按預(yù)定計(jì)劃開工。   東芝公司旗下生產(chǎn)用于手機(jī)等的&
          • 關(guān)鍵字: 夏普  液晶面板  半導(dǎo)體  NAND  

          基于FPGA的高速大容量FLASH存儲(chǔ)

          • 基于FPGA的高速大容量FLASH存儲(chǔ),1、引言
            數(shù)字電路應(yīng)用越來越廣泛,傳統(tǒng)通用的數(shù)字集成芯片已經(jīng)難以滿足系統(tǒng)的功能要求,隨著系統(tǒng)復(fù)雜程度的提高,所需通用集成電路的數(shù)量呈爆炸性增值,使得電路的體積膨大,可靠性難以保證 [1]。因而出現(xiàn)了現(xiàn)場(chǎng)可編
          • 關(guān)鍵字: FLASH  存儲(chǔ)  大容量  高速  FPGA  基于  

          R8C/1B單片機(jī)的Flash編程/擦除掛起功能

          •   Flash存儲(chǔ)器已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。但是在對(duì)Flash進(jìn)行編程或擦除的操作過程中,如果單片機(jī)需要處理一些緊急的情況(如中斷、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)等等),就需要暫停相對(duì)比較消耗時(shí)間的Flash編程/擦寫過程,優(yōu)先處理這些緊急情況。這對(duì)Flash存儲(chǔ)器的工藝水平及控制技術(shù)提出了更高的要求。   瑞薩公司推出的R8C/1B單片機(jī)采用改進(jìn)的Flash存儲(chǔ)器工藝,大大縮短了編程/擦除掛起的時(shí)間,使其能夠更加及時(shí)地響應(yīng)中斷或進(jìn)行其他操作。   Flash編程/擦除掛起功能   所謂掛起功能,是
          • 關(guān)鍵字: 瑞薩  R8C  Flash  

          東芝大砍6成芯片支出 轉(zhuǎn)加強(qiáng)電力及基礎(chǔ)建設(shè)

          •   8月6日消息,日本芯片制造業(yè)龍頭東芝(Toshiba)周三表示,由于公司芯片業(yè)務(wù)資本支出增長(zhǎng)將減緩,并尋求擴(kuò)張核能發(fā)電及智能型電網(wǎng)業(yè)務(wù),3年后其電力及基礎(chǔ)建設(shè)業(yè)務(wù)的獲利,將達(dá)電子產(chǎn)品部的2倍。   東芝的半導(dǎo)體部門已連續(xù)3季出現(xiàn)營(yíng)業(yè)虧損,使其減緩該部門支出,并在其它領(lǐng)域?qū)で蠊潭I(yíng)收來源,例如健康醫(yī)療及水處理等。   東芝目前預(yù)期,包含微芯片、傳感器及液晶顯示器(LCD)等電子產(chǎn)品部門于2012年3月底結(jié)束的會(huì)計(jì)年度,獲利將達(dá)約1000億日元(10億美元);而屆時(shí)社會(huì)基礎(chǔ)建設(shè)業(yè)務(wù)獲利則可達(dá)2000億
          • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  晶圓  

          半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)既樂觀又擔(dān)憂的7個(gè)理由

          •   盡管最近市場(chǎng)調(diào)研公司VLSI仍不修正半導(dǎo)體業(yè)陰沉的預(yù)測(cè), 即09年全球設(shè)備市場(chǎng)下降44.2%及半導(dǎo)體市場(chǎng)下降12.4%,而其CEO Hutcheson對(duì)于IC工業(yè)仍非常樂觀。   根據(jù)與Hutcheson的對(duì)話及公司的最新報(bào)告, 以下將結(jié)論刊出, 共有4個(gè)正面意見及2個(gè)負(fù)面看法。以下是為什么分析師呈現(xiàn)樂觀或者擔(dān)心的原因。   1. 看到回升   7月的周報(bào)IC銷售額上升到33億美元, 打破了三周來IC銷售額的陰沉局面, 因?yàn)橥ǔ?月是典型的弱月份, 所以這條消息具正面意見。依周與周的比較,IC銷
          • 關(guān)鍵字: Cisco  通訊  太陽能  NAND  

          第二季度NAND Flash市場(chǎng)收入大漲33.6%

          •   在NAND Flash供貨商產(chǎn)能減產(chǎn)效應(yīng)及新興市場(chǎng)庫存回補(bǔ)需求的雙重幫助下,第二季NAND Flash平均銷售價(jià)格(ASP)約上漲20% QoQ,整體NAND Flash出貨量則增加了10% QoQ, 因此2009年第二季NAND Flash品牌廠商營(yíng)收都較上一季成長(zhǎng),2009年第二季全球NAND Flash品牌廠商整體營(yíng)收為27億8千6百萬美元,較上一季的20億8千6百萬美元成長(zhǎng)33.6%QoQ。   就2009年第二季NAND Flash品牌廠商營(yíng)收排行來看,Samsung營(yíng)收為10億3千7
          • 關(guān)鍵字: Micron  NAND  

          基于SoPC目標(biāo)板Flash編程設(shè)計(jì)的創(chuàng)建及應(yīng)用

          • 隨著EDA(電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化)技術(shù)的發(fā)展和可編程邏輯器件性能的不斷提高,基于FPGA的可編程片上系統(tǒng)技術(shù)為系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供了一種簡(jiǎn)單、靈活、高效的途徑?;贜iosII的可編程片上系統(tǒng)(SoPC)設(shè)計(jì)中,幾乎所有的應(yīng)用設(shè)計(jì)都需要使用Flash存儲(chǔ)器,而Flash的編程必需相應(yīng)的目標(biāo)板Flash編程設(shè)計(jì)支持。結(jié)合實(shí)際應(yīng)用詳細(xì)論述了目標(biāo)板Flash編程設(shè)計(jì)的創(chuàng)建及應(yīng)用。
          • 關(guān)鍵字: Flash  SoPC  編程    

          東芝閃存工廠遭雷擊 出貨量下降價(jià)格上漲10%

          •   據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,東芝日前發(fā)生日本晶圓廠遭到雷擊短暫停電事件,盡管NAND Flash產(chǎn)能并未受到影響,然令業(yè)界意外的是,由于該廠房主要生產(chǎn)包含快閃記憶卡控制芯片的邏輯IC產(chǎn)品,因此,使得東芝microSD卡供應(yīng)量驟降,帶動(dòng)近期microSD卡價(jià)格上漲逾10%。   內(nèi)存業(yè)者認(rèn)為,過去記憶卡價(jià)格一直嚴(yán)重偏低,業(yè)界趁此機(jī)會(huì)調(diào)漲終端記憶卡售價(jià),但NAND Flash芯片價(jià)格上漲機(jī)率則不高。   業(yè)內(nèi)人士表示,2009年初NAND Flash芯片價(jià)格持續(xù)上漲,記憶卡價(jià)格卻沒有跟上來,導(dǎo)致NAND Flas
          • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  晶圓  
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          nand-flash介紹

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