nand-flash 文章 進(jìn)入nand-flash技術(shù)社區(qū)
全球IC市場V形反彈已啟動 增長勢頭將延續(xù)至2011年
- 市場研究公司IC Insights表示，今年1月到7月NAND flash銷售額和出貨量分別增長98%和67%，其他產(chǎn)品的業(yè)績數(shù)據(jù)也十分健康，這說明產(chǎn)業(yè)已調(diào)頭撞向V形反彈的上升階段。 從今年1月到7月，IC市場銷售額增長了43%，DRAM、MPU、模擬電路銷售額分別增長61%、57%和50%。 爆炸式的增長率當(dāng)然也與今年1月半導(dǎo)體市場業(yè)績達(dá)到此輪衰退的最低點(diǎn)有關(guān)。 “IC產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇并不會是緩慢的，而是V形增長，目前上升周期已經(jīng)開始。”IC Insights分析師
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND MPU 模擬電路
三星NAND Flash供貨臺廠銳減50%
- 近日三星電子(Samsung Electronics)緊急通知臺系存儲器模塊廠，9月對于臺廠NAND Flash供貨量將銳減50%，迫使部分存儲器模塊廠大老板緊急前往韓國調(diào)貨;無獨(dú)有偶地，美光(Micron)日前亦告知客戶無貨可供應(yīng)，加上原本供貨量有限的東芝(Toshiba)和海力士(Hynix)，目前NAND Flash產(chǎn)能呈現(xiàn)嚴(yán)重不足。存儲器業(yè)者透露，主要是蘋果(Apple)iPhone和iPod不斷追加訂單，加上手機(jī)大廠內(nèi)建NAND Flash容量倍增，使得NAND Flash產(chǎn)能幾乎被消費(fèi)性大
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存儲器產(chǎn)業(yè)可望出現(xiàn)DRAM、NAND Flash雙好行情
- DRAM價格趨于穩(wěn)定，1Gb容量提前在9月初站上1.7美元，臺廠面對這樣美好的光景，心中還是有些疑慮，擔(dān)心三星電子(Samsung Electronics)會從中作梗，破壞DRAM價格漲勢，然現(xiàn)在蘋果(Apple)強(qiáng)勁追加NAND Flash訂單，且隨著智能型手機(jī)價格平民化的趨勢，未來內(nèi)建高容量存儲器普及，都讓各界相當(dāng)看好2010年NAND Flash市場前景，三星在喜迎蘋果大單之余，也無暇與臺系DRAM廠廝殺，暌違多年的DRAM和NAND Flash雙好行情可望再現(xiàn)。 2009 年存儲器產(chǎn)業(yè)觸
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM NAND 存儲器
Flash M25P64驅(qū)動開發(fā)與應(yīng)用
- M25P64是一款8 M字節(jié)串行Flash存儲器。利用其諸多特性可為大容量數(shù)據(jù)存儲提供一種解決方案。介紹了M25P64的主要特點(diǎn)，工作原理，驅(qū)動程序的開發(fā)以及典型應(yīng)用實(shí)例。在其典型應(yīng)用實(shí)例中，基于SPI接口的數(shù)據(jù)存儲
系統(tǒng)能簡單有效穩(wěn)定運(yùn)行。 - 關(guān)鍵字： M25P64 Flash 驅(qū)動開發(fā)
美光或收購Numonyx Intel脫離NAND市場？
- 根據(jù)國外媒體爆料，NAND閃存芯片制造商以及英特爾的合作伙伴美光科技可能會收購英特爾投資的NOR閃存制造商N(yùn)umonyx。 這將使得英特爾能夠擺脫掉Numonyx，而美光則可以藉此進(jìn)入NOR閃存業(yè)務(wù)，并獲得Numonyx的phase-change memory技術(shù)。 Numonyx是英特爾的合資公司，英特爾擁有其45%的股份，意法半導(dǎo)體持股49%。金融服務(wù)公司Francisco Partners持有其余股份，并在Numonyx 2008年成立時投資了1.5億美元。閃存業(yè)務(wù)對英特爾和意法半導(dǎo)
- 關(guān)鍵字： 英特爾 NAND 閃存芯片 智能手機(jī)
三星電子計(jì)劃將DRAM生產(chǎn)全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓
- 韓國三星電子計(jì)畫于今年10月底前停止使用8寸晶圓生產(chǎn)DRAM，將DRAM的生產(chǎn)全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓，以藉由使用產(chǎn)能效率較高的大尺寸晶圓來提高DRAM的成本競爭力。 報(bào)導(dǎo)指出，三星電子計(jì)畫于10月底前停止在美國德州奧斯丁(Austin)半導(dǎo)體工廠內(nèi)生產(chǎn)使用8寸晶圓的DRAM，加上三星電子已于今年初停止京畿道華城工廠的8寸晶圓DRAM生產(chǎn)，故待奧斯丁工廠停止生產(chǎn)后，三星電子的DRAM生產(chǎn)將全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓。 彭博社曾于日前轉(zhuǎn)述韓國網(wǎng)路媒體“E-Daily”報(bào)導(dǎo)指
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM 晶圓 NAND
加大在華投資 恒憶正式入駐上海外高橋保稅區(qū)
- 全球最大NOR閃存芯片供應(yīng)商之一恒憶(Numonyx)宣布，該公司已于7月12日與上海外高橋保稅區(qū)簽署廠房租賃合同，正式投資落戶上海。今天上午，恒憶總裁兼首席執(zhí)行官Brian Harrison專程赴滬考察上海研發(fā)中心新址，并拜會了外高橋保稅區(qū)管委會主任助理、功能區(qū)域黨工委副書記、管委會副主任簡大年等領(lǐng)導(dǎo)。雙方代表齊聚一堂，共同見證了這一重要?dú)v史時刻。 恒憶正式成立于2008年3月，是由英特爾(Intel)和意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)以各自的閃存部門組成的合資企業(yè)，擁有技術(shù)
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2012年之前NAND閃存將保持價格上升趨勢
- 美國從事半導(dǎo)體相關(guān)市場調(diào)查的IC Insights發(fā)布預(yù)測稱，NAND閃存市場將迎來價格上升局面。IC Insights預(yù)測，由于在需求增加的情況下各大廠商減少設(shè)備投資，造成供需緊張，因此到2012年之前平均銷售價格將繼續(xù)保持上升趨勢。 IC Insights自1993年開始就NAND閃存市場進(jìn)行調(diào)查以來，NAND閃存的供貨量低于上年業(yè)績的只有2001年一次。該公司預(yù)測，今后到2013年供貨量將穩(wěn)步增加。全球經(jīng)濟(jì)低迷的2009年也不會例外。 供貨容量也將大幅增長。即使是全球經(jīng)濟(jì)低迷的200
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 閃存
生存在矛盾之中
- 在全球金融危機(jī)影響下，由于市場的萎縮導(dǎo)致大部分企業(yè)都不甚景氣，向來紅火的半導(dǎo)體業(yè)也感覺壓力深重。在探討未來如何發(fā)展之中，發(fā)現(xiàn)各種矛盾叢生，似乎很難作出決斷。 投入多產(chǎn)出少，能持久嗎? SanDisk CEO Eli Harari于近期闡述了自己對于NAND閃存技術(shù)未來發(fā)展的幾點(diǎn)看法，認(rèn)為NAND閃存產(chǎn)業(yè)正處在十字路口，未來的產(chǎn)能需要和產(chǎn)品需求兩者之間脫節(jié)，也即每年投資巨大, 然而由于ASP下降導(dǎo)致銷售額沒有相應(yīng)的增大，利潤越來越薄,目前糟糕的NAND閃存產(chǎn)業(yè)模式使得制造廠商對于建新廠已逐漸
- 關(guān)鍵字： SanDisk NAND 光刻 模擬電路 存儲器
亞太晶圓代工廠2009年下半扮演資本支出復(fù)蘇推手
- SEMI World Fab Forecast最新出爐報(bào)告，2009年前段半導(dǎo)體業(yè)者設(shè)備支出下滑，其中第1季的資本支出便較2008年第4季下滑26%至32億美元。然而，資本支出在2009年第2季便已呈現(xiàn)落底，目前在整個產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈也已經(jīng)看到穩(wěn)定回升的訊號，其中晶圓代工廠2009年下半年扮演資本支出復(fù)蘇推手，存儲器晶圓廠、后段封測則跟進(jìn)。 晶圓代工廠臺積電宣布，增加2009年資本支出回復(fù)到2008年19億美元的水平，比起原本的預(yù)測提高了26%左右。隨后，臺積電第2季的投資法人說明會上，臺積電又進(jìn)一步
- 關(guān)鍵字： 臺積電 晶圓代工 NAND
東芝32納米即將量產(chǎn) 群聯(lián)備戰(zhàn)將全線支持
- 面臨英特爾(Intel)和美光(Micron)陣營的壓力，東芝(Toshiba)下半年積極轉(zhuǎn)進(jìn)32納米的NAND Flash制程技術(shù)，東芝原本預(yù)計(jì)32納米制程產(chǎn)量，在年底可達(dá)產(chǎn)能30%，但以目前進(jìn)度來看，勢必會延后量產(chǎn)時間點(diǎn)，其控制芯片供應(yīng)商群聯(lián)則表示，支持東芝32納米的所有產(chǎn)品線都已經(jīng)準(zhǔn)備妥當(dāng)，包括隨身碟和記憶卡的控制芯片皆然，隨時可進(jìn)入量產(chǎn)階段。此外，群聯(lián)8月營收將持續(xù)成長，估計(jì)月增率可達(dá)10%以上，8月毛利率可微幅高于7月，整體第3季獲利持續(xù)上揚(yáng)。 東芝43納米制程量產(chǎn)成熟，下半年積極轉(zhuǎn)進(jìn)
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2013年閃存需求規(guī)模將達(dá)到08年的11倍
- 根據(jù)配備各種存儲器的電子終端等的產(chǎn)量，筆者預(yù)測了2013年之前NAND型閃存和DRAM的需求走勢。預(yù)測結(jié)果為，1990年代曾經(jīng)拉動半導(dǎo)體元件投資增長的DRAM即將完成其使命，NAND型閃存將取而代之，一躍成為投資主角。 按8Gbit產(chǎn)品換算，NAND需求規(guī)模將達(dá)到400億個 《日經(jīng)市場調(diào)查》的調(diào)查結(jié)果顯示，按8Gbit產(chǎn)品換算，2013年NAND型閃存的需求規(guī)模將達(dá)到約400億個。這一規(guī)模相當(dāng)于2008年的11倍左右。支持需求增長的產(chǎn)品是個人電腦用SSD(固態(tài)硬盤)。不過，SSD市場要到2
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM NAND
20nm之后將采取三維層疊技術(shù)
- 在今后的2年～3年內(nèi)，NAND閃存的集成度仍將保持目前的發(fā)展速度。具體來說，到2011年～2012年，通過采用2Xnm的制造工藝與3位/單元～4位/單元的多值技術(shù)，NAND閃存很有可能實(shí)現(xiàn)128Gb的容量。 但是，如果要實(shí)現(xiàn)超過128Gb的更大容量，恐怕就需要全新的技術(shù)。目前正在量產(chǎn)的NAND閃存通常都使用浮柵結(jié)構(gòu)的存儲單元。許多工程師也認(rèn)為，2011年～2012年將量產(chǎn)的2Xnm工藝及其后的20nm工藝仍可采用現(xiàn)有的浮柵結(jié)構(gòu)的存儲單元。但據(jù)SanDisk公司分析，當(dāng)工藝發(fā)展到20nm以下時，從
- 關(guān)鍵字： SanDisk 20nm NAND
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