根據半導體產業(yè)協會SIA報告，2007年8月全球芯片銷售三月平均值達到215.2億美元，比2006年同期數字猛升4.9%。8月份銷售增長超過分析師預測，比2007年7月的三月平均銷售額206.1億美元增長4.5%。 SIA表示，增長歸因于NAND閃存供應減少導致平均銷售價格反彈。8月份NAND閃存銷售價格比7月增長19%，與2006年8月相比增長48%。 SIA總裁GeorgeScalise表示，“8月份，正常的季節(jié)性增長帶來全球半導體銷售連續(xù)健
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嵌入式系統(tǒng) 單片機 NAND 閃存 芯片 MCU和嵌入式微處理器
Jefferies Japan高級分析員David Motozo Rubenstein日前透露，東芝(Toshiba)公司NAND閃存晶圓廠的產能利用率已經處于最高位。 事實上，東芝公司的業(yè)務表現正在發(fā)生變化。David表示，“東芝認為供需形勢處于有利狀況，由于晶圓廠產能利用率達到100%，公司不得不回絕了25%的訂單。” 還有更好的消息。NAND閃存“2006年平均售價下降70%，東芝曾經預計2007年更進一步下滑50%，但是到目前為止，價格還高于預計之上。” 價格已經觸底
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嵌入式系統(tǒng) 單片機 NAND 閃存 東芝 嵌入式
摘要：NAND結構Flash數據存儲器件是超大容量數據存儲的理想選擇，當前被廣泛應用于U盤、MP3和數碼相機的數據存儲。本文對該類型Flash的基本操作進行研究并對實際應用系統(tǒng)給予驗證，揭示了NAND結構Flash的操作規(guī)律。
關鍵詞：NAND Flash 數據存儲 C8051F
引 言
大容量數據存儲是單片機應用系統(tǒng)的瓶頸，受到容量、功耗、尋址方式的約束。突破容量限制，可以很大程度上擴展和提高應用系統(tǒng)的總體功能。Sumsung公司的NAND結構Fla
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NAND Flash 數據存儲 C8051F MCU和嵌入式微處理器
九月，NAND閃存芯片合約價格自六月以來首次下跌，較早前已堆積的存貨將使內存制造商經歷庫存增加壓力。 根據內存市場研究機構DRAMeXchange最新調查顯示，多層單元(MLC)NAND閃存的價格在9月上旬下降10%以上，而單層單元閃存(SLC)的價格則相對穩(wěn)定。唯一主流NAND閃存即2Gb單層單元閃存可望價格有所回升。 據臺灣內存消息人士指出，韓國三星電子8月震驚業(yè)內，使得激烈價格上升。需求被昂貴的價格壓抑，反映在現貨市場價格疲弱。 雖然許多內存庫存商8月期間已經減少其采購，最新的報價仍然加
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嵌入式系統(tǒng) 單片機 NAND 閃存 嵌入式
據國外媒體報道，三星電子和東芝等24家企業(yè)日前因涉嫌操縱NAND閃存價格而遇到集體訴訟。 據悉，被起訴的24家廠商包括雷克沙（Lexa）、日立美國公司、日立公司、日立電子設備美國公司、Hynix美國公司、Hynix半導體、美光（Micron）科技、美光半導體產品部公司、三菱公司、三菱電子美國公司； Mosel Vitelic、Renesas科技、Renesas科技美國公司、SanDisk、三星半導體、三星電子、意法半導體、東芝、東芝美國公司、東芝美國電子部件公司、
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消費電子 三星 NAND 閃存 消費電子
1 引言在便攜式電子產品如U盤、MP3播放器、數碼相機中，常常需要大容量、高密度的存儲器，而在各種存儲器中，NAND FLASH以價格低、密度高、效率高等優(yōu)勢成為最理想的器件。但NAND FLASH的控制邏輯比較復雜，對時序要求也十分嚴格，而且最重要的是NAND FLASH中允許存在一定的壞塊(壞塊在使用過程中還可能增加)，這就給判斷壞塊、給壞塊做標記和擦除等操作帶來很大的難度，于是就要求有一個控制器，使系統(tǒng)用戶能夠方便地使用NAND FLASH,為此提出了一種基于FPGA的NAND FLASH控制器的設
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iSuppli公司日前表示，2007年第2季度三星電子(Samsung)NAND閃存銷售額達到14億美元，比第1季度的12億美元增長18.9%。三星在2007年上半年將部分產能從DRAM轉向NAND閃存，該公司的NAND市場份額猛增至45.9%，比1季度的44.1%高幾乎兩個百分點。 iSuppli內存/存儲系統(tǒng)首席分析師NamHyungKim表示，“三星第2季度表現強勁主要是按容量計算增長11%，出貨量增加歸功于擴大蘋果iPhone和iPod等消
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消費電子 三星 NAND 閃存 消費電子
致力于簡化系統(tǒng)級存儲驗證和測試的業(yè)界組織 PISMO顧問委員會近日宣布，PISMO 2.0多媒體標準已通過審批。這一針對目前PISMO2.0規(guī)范的全新多媒體擴展版為芯片組和存儲供應商增加了 MMC存儲接口支持，從而滿足手機和消費產品中存儲豐富媒體內容的需求。PISMO™顧問委員會于2004年由Spansion和ARM創(chuàng)建，目前共有15家成員公司。 新增MMC支持后，PISMO多媒體規(guī)范使設計者可以方便地在不同廠商提供的開發(fā)平臺上測試多種存
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PISMO NOR NAND 閃存
在三星向外界透露位于韓國的工廠于8月3日因故停產后，各廠商均密切關注該事件對NAND閃存價格造成的影響。業(yè)界預測DRAM內存合同價在8月還將上升。 業(yè)界預測DRAM內存合同價在8月還將上升，同時受三星電子上周一因某工廠停產的影響，NAND閃存的價格也持續(xù)攀升。三星近日提高了NAND閃存在現貨市場的價格，力晶半導體公司(Powerchip Semiconductor Corporation,PSC)因此也調高了eTT DRAM內存的報價。 在三星向外界透露
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三星 NAND 閃存
NAND Flash供需出現進一步緊繃的狀況。究其原因，除年底旺季需求增加外，最大廠之Samsung工廠3日發(fā)生停電事故，導致市場產生供給量減少之預期亦是主因。然而合約價部份，由于廠商仍存在過度上漲，可能造成需求冷卻之疑慮。因此，即使上漲也應止于小幅上揚。 Samsung之京畿道器興市主力工廠3日發(fā)生大規(guī)模停電，生產NAND Flash等之6條生產線全部停止運轉。雖然4日恢復運轉，但原本部份制造中的產品將廢棄?，F階段Samsung與市場上仍有一定庫存量，9月份實際供給
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三星 NAND 閃存
據閃存技術的最大支持者之一稱，閃存將“接管”整個世界。 本周三，SanDisk CEO Eli Harari在“閃存峰會”上說，一方面，NAND閃存正在打跨競爭對手。NAND已經使1英寸硬盤失去了用武之地，現在，它又對1.8英寸，甚至是更大的2.5英寸筆記本電腦硬盤構成了威脅。 他說，NAND下一個大市場將是視頻，明年，市場上將會出現配置了更多閃存的相機和拍照手機。明年，市場上還將出現更多的閃存筆記本電腦。 在未來的5-7年內，NAND還將開始取代DRAM。由于技
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NAND 閃存
2007年NAND Flash價格走勢戲劇化，但對下游廠商而言，可謂是幾家歡樂幾家愁，一線快閃記憶卡大廠樂得NAND Flash價格止跌反彈，終止長達1年的慘淡經營時期；然對于產業(yè)中的二、三線記憶卡廠而言，這波NAND Flash價格大漲的行情，反而不是什么好消息。因為小廠的拿貨能力有限，當上游NAND Flash大廠供給一夕大減，連一線大廠都不見得拿得到足夠的貨源時，等于是宣判小廠正式出局！ 業(yè)界表示，這波NAND Flash價格上漲除了是蘋果(Ap
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NAND 閃存 消費電子
集邦科技昨天公布第二季全球NAND Flash銷售排名，南韓三星(Samsung)第二季市占率達43.9%，穩(wěn)居全球龍頭寶座，日本東芝 (Toshiba)居次，海力士 (Hynix)位居第三；包括三星等前三大廠合計市占率達85.5%，市場集中度高。集邦科技表示，第二季由于制造商暫緩產能擴充計劃，加上大廠們新制程技術轉換仍處調整期，因此整體NAND Flash位產出量僅維持與第一季相當水平，不過受惠于產品價格止跌大幅彈升1成以上水平，帶動NANDFlash制造廠銷售
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三星 NAND 閃存
NOR 和NAND 是閃存(Flash Memory)的兩大主要類型，強調可靠性的NOR 主要用途在于應用程序和操作系統(tǒng)儲存(Code Storage)，成本較低的NAND 則主要使用于數據儲存(Data Storage)方面，近來由于手機、數字相機、數字音樂播放機、可攜式媒體播放機(PMP)、機頂盒(STB)等終端產品的需求旺盛，帶動兩者銷售量持續(xù)成長，尤其NAND 在蘋果計算機推出的數字音樂播放機iPod 熱賣
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NAND 內存
閃存的合約價格在7月下半月繼續(xù)上漲，不過目前漲勢已經逐漸減緩。DRAM廠商預計第三季度價格將輕微上漲，同時出貨量也大幅提升了。同時，NAND目前價格也呈現上升趨勢，這主要得益于閃存應用范圍的不斷拓展。 DRAM報價一片漲聲 根據內存交易機構DRAMeXchange（集邦電子）的數據，在7月上半月，512Mb DDR2芯片的合約價格上漲了20%以上，不過7月下半月的上漲幅度回落到了3%。 DRAMeXchange表示，目前一些PC OEM廠商向DRAM廠商索要報價
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NAND DRAM 閃存
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR.
簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數據為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [
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