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          大容量NAND Flash K9T1G08U0M在網(wǎng)絡(luò)存儲中的應(yīng)用

          •   1 引言   隨著嵌入式系統(tǒng)廣泛應(yīng)用,嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲和數(shù)據(jù)管理則成為設(shè)計人員考慮的重點。在許多現(xiàn)場不可達(dá)數(shù)據(jù)采集應(yīng)用中采用分布式數(shù)據(jù)存儲,必然帶來數(shù)據(jù)管理的不便,因此,集中管理數(shù)據(jù)成為一種思路。利用成熟的網(wǎng)絡(luò)傳輸技術(shù)集中分布式嵌入式系統(tǒng)數(shù)據(jù),采用C/S模式管理數(shù)據(jù)。對于大容量數(shù)據(jù)存儲,選擇介質(zhì)存儲是需要重點考慮的問題。目前大多采用IDE硬盤或SCSI硬盤存儲,但都存在抗震和抗電磁干擾能力差、使用溫度范圍窄,無法長期在惡劣的環(huán)境中長期工作。電子式Flash存儲器具有速度快、容量大、成本低、體積
          • 關(guān)鍵字: 通訊  無線  網(wǎng)絡(luò)  NAND  Flash  K9T1G08U0M  MCU和嵌入式微處理器  

          供應(yīng)過剩 NAND及DRAM行情短期進(jìn)一步惡化

          •   美國iSuppli調(diào)研結(jié)果顯示,由于供應(yīng)過剩與價格暴跌,DRAM及NAND閃存行情將在短期內(nèi)進(jìn)一步惡化。   NAND閃存方面,預(yù)計512M產(chǎn)品全球平均單價(ASP)將從2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND閃存的平均單價在第二季度、第三季度均比上季度有所提高,分別為6%與8.4%。但是在第四季度,隨著價格下跌,行情出現(xiàn)惡化,短期內(nèi)很難恢復(fù)。iSuppli首席分析師Nam Hyung Kim表示,此次價格下跌的主要原因韓國內(nèi)存廠商將生產(chǎn)能力從DRAM轉(zhuǎn)移至NAND閃存,從而導(dǎo)
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  NAND  DRAM  閃存  MCU和嵌入式微處理器  

          年終旺季需求支撐,NAND FLASH合約價短期平穩(wěn)

          •   11月上旬NAND Flash合約價格大致跌幅約為0-5%,比前兩個月跌幅明顯縮小,主要是因為下游客戶在10月已陸續(xù)進(jìn)行降低庫存的動作,加上市場預(yù)期11月中旬要開始準(zhǔn)備年底旺季的備貨需求,根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)觀察,NAND Flash價格走勢在11月初已經(jīng)出現(xiàn)止跌回穩(wěn)的現(xiàn)象。   隨著NAND Flash供貨商5X納米制程產(chǎn)品供應(yīng)量提高后,下游客戶采購顆粒開始轉(zhuǎn)向以8Gb和16Gb MLC為主流,導(dǎo)致TSOP 4G MLC顆粒跌幅約為11%,相較于其它規(guī)格來得顯著。有鑒于9月以來
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          FAT文件系統(tǒng)在NAND Flash存儲器上的改進(jìn)設(shè)計

          •        嵌入式系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)都存儲在其F1ash芯片上。根據(jù)Flash器件的固有特性,構(gòu)建一個適合管理NAND Flash存儲器的FAT文件系統(tǒng),并闡述具體的設(shè)計思想。該系統(tǒng)改進(jìn)了FAT表和FRT表的存儲方式,延長了存儲器的使用壽命,提高了穩(wěn)定性。        NAND Flash存儲器是一種數(shù)據(jù)正確性非理想的器件,容易出現(xiàn)位反轉(zhuǎn)現(xiàn)象,同時在使用中可
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          07年第三季NAND Flash廠營收逼近39億美元

          •   根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)最新出爐的第三季NANDFlash營收市占率報告指出,NANDFlash品牌廠商在2007年第三季整體營收表現(xiàn)亮麗,逼近三十九億美元,比第二季增長了36.8%;整體NANDFlash位出貨量相較于第二季增長約30%;而就營收排行而言,三星(Samsung)如預(yù)期再度蟬連冠軍,東芝(Toshiba)居次,而海力士(Hynix)、美光(Micron)和英特爾(Intel)營收均有顯著的增長。      由于第三季為傳統(tǒng)NANDFlash下游客戶的備貨旺
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  NAND  Flash  三星  MCU和嵌入式微處理器  

          IDC: 今年芯片銷售增速緩慢將促使08年猛增

          •   IDC在最新的《全球半導(dǎo)體市場預(yù)測》中預(yù)測,2007年全球芯片銷售收入增長速度放慢將為2008年的大增長奠定基礎(chǔ)。   據(jù)國外媒體報道,2007年全球芯片市場的增長速度將只有4.8%,2006年的這一數(shù)字只有8.8%。IDC預(yù)測,2008年的增長速度將達(dá)到8.1%。   報告指出,如果產(chǎn)能增長速度在明年放緩和需求仍然保持緩慢,芯片市場的增長速度會更快。市場潮流是合并和收購,這可能會改變業(yè)界的競爭格局。   IDC負(fù)責(zé)《全球半導(dǎo)體市場預(yù)測》的項目經(jīng)理戈帕爾說,今年上半年芯片市場的供過于求降低了對各
          • 關(guān)鍵字: 消費電子  芯片  DRAM  NAND  EDA  IC設(shè)計  

          IC單位出貨量強(qiáng)勁 面臨廠商無利潤繁榮局面

          •   最近公布的數(shù)據(jù)顯示,2007年IC單位出貨量將增長10%,略高于市場調(diào)研公司ICInsights最初預(yù)計的8%。自2002年以來,IC單位出貨量一直保持兩位數(shù)的年增長率。DRAM(49%)、NAND閃存(38%)、接口(60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換(58%)、和汽車相關(guān)的模擬IC(32%)出貨量強(qiáng)勁增長,正在推動總體產(chǎn)業(yè)需求,并使IC出貨量保持在高位。   1980年以來,IC產(chǎn)業(yè)單位出貨量有兩次實現(xiàn)連續(xù)三年保持兩位數(shù)增長率,分別是1982-1984和1986-1988年。在這兩次之后,IC的單位出貨量增長速
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  IC  DRAM  NAND  模擬IC  

          觸控面板告急 NAND Flash廠失良機(jī)原地嘆息

          •   iPodTouch面板供貨不及,大量出貨日期延后,NANDFlash廠最著急,NANDFlash價格反彈后繼無力。   據(jù)境外媒體報道,為迎圣誕買氣,各大NANDFlash廠商鉚足了勁,原本寄望因蘋果(Apple)iPodTouch成走紅圣誕禮物而大量出貨,借此將NANDFlash價格回升,然后,卻因iPodTouch的關(guān)鍵零組件觸控面板出現(xiàn)供貨不足,造成iPodTouch出貨量受限,繼而影響NANDFlash的出貨,真是急壞了NANDFlash廠商。   蘋果原計劃九月起開始出貨,但因沒有足夠的
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  NAND  液晶  集成電路  顯示技術(shù)  

          集成電路出貨量增長 廠商面臨無利潤繁榮局面

          •   最近公布的數(shù)據(jù)顯示,2007年IC單位出貨量將增長10%,略高于市場調(diào)研公司ICInsights最初預(yù)計的8%。自2002年以來,IC單位出貨量一直保持兩位數(shù)的年增長率。DRAM(49%)、NAND閃存(38%)、接口(60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換(58%)、和汽車相關(guān)的模擬IC(32%)出貨量強(qiáng)勁增長,正在推動總體產(chǎn)業(yè)需求,并使IC出貨量保持在高位。   1980年以來,IC產(chǎn)業(yè)單位出貨量有兩次實現(xiàn)連續(xù)三年保持兩位數(shù)增長率,分別是1982-1984和1986-1988年。在這兩次之后,IC的單位出貨量增長速
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  IC  數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換  NAND  模擬IC  

          報告:9月全球微芯片銷售收入同比增長5.9%

          •   據(jù)美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(SIA)周一稱,在PC和手機(jī)等消費電子產(chǎn)品需求的推動下,今年9月份全球微芯片銷售收入增長了5.9%。   9月份全球微芯片銷售收入從去年同期的213億美元增長到了226億美元。今年第三季度全球微芯片銷售收入增長6%,從去年同期的640億美元提高到了678億美元。   SIA總裁GeorgeScalise在聲明中稱,第三季度的全球銷售比今年第二季度增長了13.2%反映了為圣誕節(jié)假日銷售準(zhǔn)備產(chǎn)品的傳統(tǒng)模式已經(jīng)開始。   消費電子產(chǎn)品的需求非常強(qiáng)勁。第三季度用于傳統(tǒng)消費電子產(chǎn)品的
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          NAND和NOR flash詳解

          •       NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。   相“flash存儲器”經(jīng)??梢耘c相“NOR存儲器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人
          • 關(guān)鍵字: NAND  NOR  flash  集成電路  存儲器  

          各類器件增長強(qiáng)勁 出貨量增長率預(yù)測調(diào)高

          •   據(jù)市場調(diào)研公司ICInsights,2007年IC單位出貨量有望增長10%。該公司先前的預(yù)測是增長8%。   ICInsights將調(diào)高增長率預(yù)測歸因于以下器件的出貨量強(qiáng)勁增長:DRAM(上升49%)、NAND閃存(上升38%)、接口IC(增長60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換IC(上升58%)和汽車相關(guān)的模擬IC(上升32%)。   ICInsights表示,如果2007年IC單位出貨量增長率達(dá)到10%或者更高水平,將是連續(xù)第六年以兩位數(shù)的速度增長,創(chuàng)下前所未有的強(qiáng)勁增長紀(jì)錄。   ICInsights認(rèn)為,
          • 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  IC  數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換  NAND  模擬IC  

          報告稱:07年全球集成電路出貨量將增長10%

          •   10月21日消息,據(jù)外電報道,市場研究公司ICInsights將2007年全球集成電路(IC)出貨量增長率從原來的8%提高到了10%。   這家研究公司把2007年全球集成電路出貨量的增長歸功于一些集成電路產(chǎn)品出貨量的強(qiáng)勁增長,如DRAM內(nèi)存出貨量增長49%,NAND閃存出貨量增長38%,接口集成電路出貨量增長60%,數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換集成電路出貨量增長58%,汽車模擬集成電路出貨量增長32%。   ICInsights稱,如果2007年全球集成電路出貨量增長率達(dá)到10%或者更高,這將是連續(xù)第六年的兩位增長
          • 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  集成電路  NAND  閃存  

          DRAM現(xiàn)貨市場持續(xù)走弱 合約市場交易冷清

          •   現(xiàn)貨市場DDR2價格方面持續(xù)走弱;而DDR則因供應(yīng)不足價格緩步盤堅。DDR2512MbeTT跌至1美元左右的新低價之后,暫時止跌并微幅反彈,在1.02至1.05美元震蕩,以1.03美元做收,跌幅為5.5%;DDR2512Mb667MHz則滑落至1.35美元,下跌2.9%。在DDR1市場方面,由于現(xiàn)貨市場供給數(shù)量仍舊不足,上周也曾出現(xiàn)缺貨狀況,價格持續(xù)小幅上揚(yáng),DDR512Mb400MHz以2.66美元做收,上漲5.6%。   十月份合約市場相當(dāng)清淡,OEM拿貨意愿低落,部分廠商甚至認(rèn)為,倘若預(yù)期十一
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          NAND閃存價格反彈 帶動八月芯片銷售增長

          • 根據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會SIA報告,2007年8月全球芯片銷售三月平均值達(dá)到215.2億美元,比2006年同期數(shù)字猛升4.9%。8月份銷售增長超過分析師預(yù)測,比2007年7月的三月平均銷售額206.1億美元增長4.5%。 SIA表示,增長歸因于NAND閃存供應(yīng)減少導(dǎo)致平均銷售價格反彈。8月份NAND閃存銷售價格比7月增長19%,與2006年8月相比增長48%。      SIA總裁GeorgeScalise表示,“8月份,正常的季節(jié)性增長帶來全球半導(dǎo)體銷售連續(xù)健
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          nand介紹

          一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格,一是NAND,一是NOR. 簡單的來說,NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟,以儲存數(shù)據(jù)為主,又稱為Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已達(dá)二Gb;NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM,以儲存程序代碼為主,又稱為Co deFlash,所以可讓微處理器直接讀取,但晶片容量較低,主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同,讀寫速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]

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