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3D NAND，1000層競爭加速
- 據(jù)國外媒體Xtech Nikkei報道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學的應用物理學會春季會議上宣布，該公司計劃到2031年批量生產(chǎn)超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產(chǎn)品中，NAND閃存應用幾乎無處不在。而隨著云計算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲產(chǎn)品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設計出垂直堆疊單元技術后，NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
- 關鍵字： NAND Flash 存儲芯片 鎧俠
第二季NAND Flash合約價季漲13~18%，Enterprise SSD漲幅最高
- TrendForce集邦咨詢表示，除了鎧俠（Kioxia）和西部數(shù)據(jù)（WDC）自今年第一季起提升產(chǎn)能利用率外，其它供應商大致維持低投產(chǎn)策略。盡管第二季NAND Flash采購量較第一季小幅下滑，但整體市場氛圍持續(xù)受供應商庫存降低，以及減產(chǎn)效應影響，預估第二季NAND Flash合約價將強勢上漲約13~18%。eMMC方面，中國智能手機品牌為此波eMMC最大需求來源，由于部分供應商已降低供應此類別產(chǎn)品，中國模組廠出貨大幅提升。買方為了滿足生產(chǎn)需求開始擴大采用模組廠方案，助益中國模組廠技術進一步升級及
- 關鍵字： TrendForce NAND Flash Enterprise SSD
西部數(shù)據(jù)NAND Flash業(yè)務拆分最新進展，新任CEO揭曉
- 月5日，西部數(shù)據(jù)宣布，在NAND Flash業(yè)務拆分后，將保留原名，專注經(jīng)營核心HDD業(yè)務，并表示這一分拆過程有望在2024年下半年完成。與此同時，將為即將分拆的閃存和傳統(tǒng)硬盤業(yè)務任命CEO。西部數(shù)據(jù)稱，現(xiàn)任西部數(shù)據(jù)全球運營執(zhí)行副總裁 Irving Tan 將出任剩下的獨立 HDD公司的CEO，繼續(xù)以西部數(shù)據(jù)的身份運營?，F(xiàn)任CEO David Goeckeler則受命轉(zhuǎn)往NAND Flash部門成立的新公司，出任新公司執(zhí)行長。圖片來源：西部數(shù)據(jù)西部數(shù)據(jù)與鎧俠合并進展如何？據(jù)悉，自2021年以來，西部數(shù)據(jù)及
- 關鍵字： 閃存芯片 NAND Flash 西部數(shù)據(jù)
淺談因電遷移引發(fā)的半導體失效
- 前言半導體產(chǎn)品老化是一個自然現(xiàn)象，在電子應用中，基于環(huán)境、自然等因素，半導體在經(jīng)過一段時間連續(xù)工作之后，其功能會逐漸喪失，這被稱為功能失效。半導體功能失效主要包括：腐蝕、載流子注入、電遷移等。其中，電遷移引發(fā)的失效機理最為突出。技術型授權代理商Excelpoint世健的工程師Wolfe Yu在此對這一現(xiàn)象進行了分析。?1、?背景從20世紀初期第一個電子管誕生以來，電子產(chǎn)品與人類的聯(lián)系越來越緊密，特別是進入21世紀以來，隨著集成電路的飛速發(fā)展，人們對電子產(chǎn)品的需求也變得愈加豐富。隨著電子
- 關鍵字： 電遷移 半導體失效 世健 Microchip Flash FPGA
一季度 NAND Flash合約價預計上漲15%-20%
- 供應商為了盡量減少損失，正在推高 NAND Flash 價格。
- 關鍵字： NAND Flash
閃存芯片將掀起新一輪漲價潮
- 2023 下半年，以 DRAM 和 NAND Flash 為代表的存儲器報價逐步止跌回升。近期，NOR Flash 也呈現(xiàn)出明顯的回暖態(tài)勢，供應鏈人士透露，2024 年 1 月，預計 NOR Flash 價格將上漲 5%，并保持上漲態(tài)勢，到第二季度，漲幅將達到 10%。過去幾年，隨著整個半導體市場的變化，NOR Flash 的供需和價格也是起起落落。2018 年，NOR Flash 市場需求較為疲軟，而供貨商的產(chǎn)能卻在持續(xù)提升，導致當年的價格進入下行周期。經(jīng)過一年的低迷期后，NOR Flash 價格在 2
- 關鍵字： NOR Flash
NAND Flash和NOR Flash的異同
- NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型NOR Flash是Intel于1988年首先開發(fā)出來的存儲技術，改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面；NAND Flash是東芝公司于1989年發(fā)布的存儲結(jié)構，強調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。NAND=NOT AND(與非門) &?NOR=NOT OR(或非門)相同點· 兩者都是非易失性存儲器，可以在斷電后保持存儲的數(shù)據(jù)?！?兩者都可以進行擦寫和再編程。· 兩者在寫之前都要先
- 關鍵字： NAN Flash NOR 存儲結(jié)構
預估2024年第一季NAND Flash合約價平均季漲幅15~20%
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，盡管適逢傳統(tǒng)淡季需求呈現(xiàn)下降趨勢，但為避免缺貨，買方持續(xù)擴大NAND Flash產(chǎn)品采購以建立安全庫存水位，而供應商為減少虧損，對于推高價格勢在必行，預估2024年第一季NAND Flash合約價季漲幅約15~20%。值得注意的是，NAND Flash原廠為減少虧損而急拉價格漲幅，但由于短期內(nèi)漲幅過高，需求腳步卻跟不上，后續(xù)價格上漲仍需仰賴Enterprise SSD拉貨動能恢復。2024年第一季供應商的投產(chǎn)步伐不一，隨著部份供應商產(chǎn)能利用率提早拉升
- 關鍵字： NAND Flash TrendForce
DRAM / NAND 巨頭明年加碼半導體投資：三星增加 25%、SK 海力士增加 100%
- IT之家 12 月 21 日消息，根據(jù)韓媒 ETNews 報道，三星和 SK 海力士都計劃 2024 年增加半導體設備投資。三星計劃投資 27 萬億韓元（IT之家備注：當前約 1482.3 億元人民幣），比 2023 年投資預算增加 25%；而 SK 海力士計劃投資 5.3 萬億韓元（當前約 290.97 億元人民幣），比今年的投資額增長 100%。報道中指出，三星和 SK 海力士在增加半導體設備投資之外，還提高了 2024 年的產(chǎn)能目標。報道稱三星將 DRAM 和 NAND
- 關鍵字： 存儲 DRAM NAND Flash
集邦咨詢稱 2024Q1 手機 DRAM、eMMC / UFS 均價環(huán)比增長 18-23%
- IT之家 12 月 20 日消息，集邦咨詢近日發(fā)布報告，預估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash（eMMC / UFS）環(huán)比增長 18-23%，而且不排除進一步拉高的情況。集邦咨詢表示 2024 年第 1 季中國智能手機 OEM 的生產(chǎn)規(guī)劃依然穩(wěn)健，由于存儲器價格漲勢明確，帶動買方積極擴大購貨需求，以建設安全且相對低價的庫存水位。集邦咨詢認為買賣雙方庫存降低，加上原廠減產(chǎn)效應作用，這兩大因素促成這一波智能手機存儲器價格的強勁漲勢。集邦咨詢認為明年第 1 季
- 關鍵字： 存儲 DRAM NAND Flash
明年半導體暴增20%，哪些賽道市場回暖？
- 今年的半導體可謂寒風瑟瑟，市場下滑的消息從年頭傳到年尾，半導體企業(yè)也疲于應對蕭瑟的市場環(huán)境，不斷傳出減產(chǎn)、虧損的消息。熬過冬就是春，最近的半導體市場總算是迎來了一些好消息。IDC 最新的預測，認為半導體市場已經(jīng)觸底，明年開始半導體將會加速恢復增長。在它的預測中，2023 年全球半導體市場收入從 5188 億美元上調(diào)至 5265 億美元，2024 年收入預期也從 6259 億美元上調(diào)至 6328 億美元。到明年，全球半導體收入將同比增長 20.2%。IDC 全球半導體供應鏈技術情報研究經(jīng)理 Rudy Tor
- 關鍵字： NAND flash 射頻前端 CPU 模擬芯片
市況好轉(zhuǎn) 內(nèi)存廠Q3獲利嗨
- NAND Flash現(xiàn)貨價于8月中旬反彈，DRAM價格也在9月開始回升，內(nèi)存市況確立好轉(zhuǎn)，帶動內(nèi)存族群獲利能力普遍呈現(xiàn)攀升。觀察第三季內(nèi)存族群財報，內(nèi)存制造大廠包括南亞科、旺宏及華邦電仍呈小幅虧損；內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見、威剛、廣穎、品安、宇瞻單季每股稅后純益（EPS）皆有1元以上，宜鼎及群聯(lián)單季EPS更分別有3、4元以上亮眼成績。另從毛利率、營利率及稅后純益率三大財務指標來看，第三季財報數(shù)字呈現(xiàn)「三率三升」的內(nèi)存廠商，則有創(chuàng)見、威剛、十銓、廣穎、宜鼎、品安，財務成績表現(xiàn)亮眼。此外，威剛14日公告10月自結(jié)財務數(shù)
- 關鍵字： 內(nèi)存 ?NAND Flash DRAM
兆易創(chuàng)新車規(guī)閃存產(chǎn)品成功應用于懸架控制器，在奇瑞多款車型實現(xiàn)量產(chǎn)
- 兆易創(chuàng)新GigaDevice宣布，搭載了兆易創(chuàng)新GD25F128F車規(guī)級SPI NOR Flash的明然科技國產(chǎn)化主動懸架控制器（CDC）出貨量已超數(shù)萬臺，并在奇瑞瑞虎9和星途瑤光等車型上量產(chǎn)。在汽車底盤懸架系統(tǒng)等安全性要求較高的場景中穩(wěn)定運行，標志著兆易創(chuàng)新車規(guī)級SPI NOR Flash的可靠性得到進一步驗證。懸架是車架（或車身）與車轎（或車輪）之間的傳力連接裝置，分為傳統(tǒng)被動式、半主動式和主動式三類，而主動式懸架系統(tǒng)能根據(jù)車輛的運動狀態(tài)和路面情況自適應調(diào)節(jié)減振器阻尼力，使其更好地適用于當前路段，懸架
- 關鍵字： 兆易創(chuàng)新 懸架控制器 SPI NOR Flash
2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&東芯半導體股份有限公司
- 在本次展會上，東芯半導體也來到了EEPW的直播間。東芯半導體股份有限公司成立于2014年，作為Fabless芯片企業(yè)，東芯半導體擁有獨立自主的知識產(chǎn)權，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研發(fā)、設計和銷售，是目前國內(nèi)少數(shù)可以同時提供NAND/NOR/DRAM設計工藝和產(chǎn)品方案的存儲芯片研發(fā)設計公司。2022年EEPW曾有幸采訪過東芯半導體副總經(jīng)理陳總，這次在2023年慕尼黑華南電子展上，陳總向我們介紹了東芯半導體這次在展會上帶來了全線的產(chǎn)品，包括了NAND/NOR/DRAM。目前東芯在NAND
- 關鍵字： 東芯半導體 NAND NOR DRAM 存儲
預估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價均上漲
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究顯示，第四季Mobile DRAM合約價季漲幅預估將擴大至13~18%。NAND Flash方面，eMMC、UFS第四季合約價漲幅約10~15%；由于Mobile DRAM一直以來獲利表現(xiàn)均較其他DRAM產(chǎn)品低，因此成為本次的領漲項目。季漲幅擴大包括幾個原因，供應方面：三星擴大減產(chǎn)、美光祭出逾20%的漲幅等，持續(xù)奠定同業(yè)漲價信心的基礎。需求方面：2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受傳統(tǒng)旺季帶動，華為Mate
- 關鍵字： Mobile DRAM NAND Flash TrendForce
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