nor flash 文章進入nor flash技術社區(qū)

關于單片機中的flash和eeprom

FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作，EEPROM則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲單元的結構也不同，FLASH的電路結構較簡單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比EEPROM低，因而適合用作程序存儲器，EEPROM則更多的用作非易失的數據存儲器。當然用FLASH做數據存儲器也行，但操作比EEPROM麻煩的多，所以更“人性化”的MCU設計會集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲器，而廉價型設計往往只有 FLASH，早期可電擦寫型MCU則都是EEPRM結構，現在已基本上停產了。
關鍵字：單片機 flash eeprom

NAND FLASH扇區(qū)管理

首先需要了解NAND FLASH的結構。如圖：以鎂光MT29F4G08BxB Nand Flash為例，這款Flash(如上圖)以4個扇區(qū)(sector)組成1個頁(page)，64個頁(page)組成1個塊(block)，4096個塊(block)構成整個Flash存儲器;由于每個扇區(qū)
關鍵字： Flash NAND 扇區(qū)管理

JEDEC標準(JESD216)S FDP對串行Flash在系統(tǒng)中的應用

JEDEC標準(JESD216)Serial Flash Discoverable Parameter (SFDP)[1]是在串行Flash中建立一個可供查詢的描述串行Flash功能的參數表。文章主要介紹了這個串行Flash功能參數表的結構、功能和作用，并給出其在系統(tǒng)設計中的具體應用。
關鍵字： JEDEC Flash JESD

TMS320C6455 DSP基于外部FLASH自動加載的設計

TMS320C6455 DSP基于外部FLASH自動加載的設計,摘要為實現數字信號處理器的加栽，介紹了TMS320C6455的各種加載模式，尤其是對外部ROM的引導方式，以及一種無需數據轉換即可通過數據加載將用戶程序寫入Flash的方法。以TMS320C6455為例，同時結合LED燈閃爍實例驗證
關鍵字： DSP 加栽模式二次加載 Flash

三星、東芝競擴產，NAND Flash恐跌三成

全球NAND Flash(儲存型快閃記憶體)供給成長持續(xù)大于需求，預估NAND Flash今年底報價將較去年跌掉三成，且跌勢恐將一直延續(xù)至2018年。市調機構IHS iSuppli最
關鍵字：三星東芝 NAND Flash

NAND flash和NOR flash的區(qū)別詳解

我們使用的智能手機除了有一個可用的空間(如蘋果8G、16G等)，還有一個RAM容量，很多人都不是很清楚，為什么需要二個這樣的芯片做存儲呢，這就是我
關鍵字： NOR flash Nand flash FlaSh

DSP硬件設計需要知道的注意事項

數字信號處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時鐘性能超過100MHZ)和高速先進外圍設備，通過CMOS處理技術，DSP芯片的功耗越來越低。這些巨大的進步增加了DSP
關鍵字：硬件設計 FlaSh DSP

從Flash和SRAM中觸發(fā)中斷的過程示例

使用LPC2106的Timer 1 進行的簡單的中斷處理。示例代碼中Timer1分為FIQ和IRQ，用戶可以從Flash或者SRAM中運行這些代碼。示例展示了ARM構架中中斷是如何操作
關鍵字： Flash SRAM 觸發(fā)中斷

NAND Flash合約價恐一路跌到年底

市調機構集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange調查顯示，第4季各項NAND Flash終端需求確立旺季不旺，加上廠商庫存水位依舊偏高，采購意愿薄弱，
關鍵字： NAND Flash

如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉

如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉,關于使用燒錄器燒錄Nand Flash，一直都是很多用戶頭疼的難點，他們強調已經使用了正確的壞塊管理方案，也制定了規(guī)范的操作流程，但是燒錄的良品率還是無法提高，只能每天眼睜睜看著一盤盤“廢品”被燒錄器篩選出來!
關鍵字：燒錄 SmartPRO 6000 Nand Flash

東芝跑第一，64 層 3D Flash 開始試產送樣

　　據海外媒體報道，韓國三星電子為全球第一家量產 3D 架構 NAND 型快閃存儲器(Flash Memory)的廠商，不過其NAND Flash 最大競爭對手東芝(Toshiba)追趕速度驚人，宣布已領先全球同業(yè)，研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 產品(見首圖)，且開始進行送樣。　　東芝 27 日發(fā)布新聞稿宣布，已研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 制程技術，并自今日起領先全球同業(yè)開始進行樣品出貨，且預計將透過甫于 7 月完工的四日市工廠“新第 2 廠房”進行生
關鍵字：東芝 Flash

全快閃儲存導入新型Flash存儲器以降低成本、生態(tài)大洗牌

　　許多廠商開始將重心轉移到降低全快閃儲存陣列的成本，如Dell與EMC都已在全快閃產品中導入低成本的TLCFlash記憶體;眾多廠商爭相發(fā)展全快閃儲存陣列，也改變了既有的全快閃儲存市場消長　　在全快閃儲存陣列這類型產品誕生初期，唯一的賣點便是高效能，應用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領域。為了擴展應用環(huán)境，后來的全快閃儲存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。　　我們可以把全快閃儲存陣列的發(fā)展分為4個階段：　　第一階段是效能導向。提供高效能，是全快閃儲存陣列這類產品誕生的目的，早期的全快閃儲存陣列
關鍵字： Flash 存儲器

全快閃儲存導入新型Flash存儲器以降低成本、生態(tài)大洗牌

　　許多廠商開始將重心轉移到降低全快閃儲存陣列的成本，如Dell與EMC都已在全快閃產品中導入低成本的TLC Flash記憶體;眾多廠商爭相發(fā)展全快閃儲存陣列，也改變了既有的全快閃儲存市場消長　　在全快閃儲存陣列這類型產品誕生初期，唯一的賣點便是高效能，應用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領域。為了擴展應用環(huán)境，后來的全快閃儲存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。　　我們可以把全快閃儲存陣列的發(fā)展分為4個階段：　　第一階段是效能導向。提供高效能，是全快閃儲存陣列這類產品誕生的目的，早期的全快閃儲存陣
關鍵字： Flash 存儲器

中國半導體存儲器市場前景

本文介紹了存儲器芯片分類，國際存儲芯片廠商的發(fā)展情況，及我國存儲芯片供需情況。
關鍵字：存儲器市場 DRAM Flash 201607

NAND Flash供貨吃緊態(tài)勢明顯　價格走揚

　　第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現貨卡片價格自4月初以來已連續(xù)三個月份逐步走揚。　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報價顯示，第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現貨卡片價格自4月初以來已連續(xù)三個月份逐步走揚，而近一個月漲幅開始增加。　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，NAND Flash原廠持續(xù)降低對于通路(Channel)的供貨比重來滿足eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟(SS
關鍵字： NAND Flash

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nor flash介紹

NOR Flash存儲器　　NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術,徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細 ]