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集邦咨詢：2023Q4 NAND 價(jià)格預(yù)估增長(zhǎng) 3-8%，DRAM 要開啟增長(zhǎng)周期
- IT之家 9 月 27 日消息，存儲(chǔ)制造商在經(jīng)歷了有史以來(lái)最長(zhǎng)的下降周期之后，終于看到了 DRAM 市場(chǎng)復(fù)蘇的希望。根據(jù)集邦咨詢報(bào)道，伴隨著主要存儲(chǔ)制造商的持續(xù)減產(chǎn)，已經(jīng)市場(chǎng)去庫(kù)存效果顯現(xiàn)，預(yù)估 NAND Flash 價(jià)格回暖之后，DRAM 價(jià)格也會(huì)上漲。NAND 閃存供應(yīng)商為減少虧損，2023 年以來(lái)已經(jīng)進(jìn)行了多次減產(chǎn)，目前相關(guān)效果已經(jīng)顯現(xiàn)，消息稱 8 月 NAND Flash 芯片合約價(jià)格出現(xiàn)反彈，9 月繼續(xù)上漲。行業(yè)巨頭三星繼續(xù)減產(chǎn)，主要集中在 128 層以下產(chǎn)品中，在 9 月產(chǎn)量下降了
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ) DRAM NAND Flash
第二季NAND Flash營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)7.4%，預(yù)期第三季將成長(zhǎng)逾3%
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，第二季NAND Flash市場(chǎng)需求仍低迷，供過于求態(tài)勢(shì)延續(xù)，使NAND Flash第二季平均銷售單價(jià)（ASP）續(xù)跌10~15%，而位元出貨量在第一季低基期下環(huán)比增長(zhǎng)達(dá)19.9%，合計(jì)第二季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)7.4%，營(yíng)收約93.38億美元。自第二季起，三星（Samsung）加入減產(chǎn)行列，且預(yù)期第三季將擴(kuò)大減產(chǎn)幅度，供給收斂的同時(shí)也在醞釀漲價(jià)，供過于求態(tài)勢(shì)有望因此獲得改善。不過，由于NAND Flash產(chǎn)業(yè)供應(yīng)商家數(shù)多，在庫(kù)存仍高的情
- 關(guān)鍵字： NAND Flash TrendForce
NAND Flash第四季價(jià)格有望止跌回升
- 近日，三星（Samsung）為應(yīng)對(duì)需求持續(xù)減弱，宣布9月起擴(kuò)大減產(chǎn)幅度至50%，減產(chǎn)仍集中在128層以下制程為主，據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，其他供應(yīng)商預(yù)計(jì)也將跟進(jìn)擴(kuò)大第四季減產(chǎn)幅度，目的加速庫(kù)存去化速度，預(yù)估第四季NAND Flash均價(jià)有望因此持平或小幅上漲，漲幅預(yù)估約0~5%。價(jià)格方面，如同年初TrendForce集邦咨詢預(yù)測(cè)，NAND Flash價(jià)格反彈會(huì)早于DRAM，由于NAND Flash供應(yīng)商虧損持續(xù)擴(kuò)大，銷售價(jià)格皆已接近生產(chǎn)成本，供應(yīng)商為了維持營(yíng)運(yùn)而選擇擴(kuò)大減產(chǎn)，以期帶動(dòng)價(jià)
- 關(guān)鍵字： NAND Flash Wafer TrendForce
行業(yè)庫(kù)存情況如何？國(guó)內(nèi)一存儲(chǔ)廠商回應(yīng)
- 近日，存儲(chǔ)器芯片供應(yīng)商普冉股份披露投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表。關(guān)于NOR Flash行業(yè)庫(kù)存情況，普冉股份表示，NOR Flash終端客戶的原廠庫(kù)存以及渠道庫(kù)存已經(jīng)幾近健康，設(shè)計(jì)原廠的庫(kù)存調(diào)整也逐步接近尾聲。接下來(lái)一段時(shí)間，各廠商依然會(huì)采取適當(dāng)?shù)慕祪r(jià)策略去化庫(kù)存。但隨著行業(yè)庫(kù)存逐步健康，行業(yè)格局逐步出清，預(yù)計(jì)下半年會(huì)持續(xù)向好，價(jià)格也會(huì)逐步回歸平穩(wěn)態(tài)勢(shì)，公司將密切關(guān)注后續(xù)市場(chǎng)走勢(shì)。普冉股份強(qiáng)調(diào)，公司將積極地進(jìn)行戰(zhàn)略盤整，持續(xù)調(diào)整以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)的迅速變化。面對(duì)激烈的行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局，機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存，公司會(huì)充分發(fā)揮公司的
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ) 普冉股份 NOR Flash
使用NOR門構(gòu)建基本邏輯門
- 邏輯門基本上由三個(gè)基本邏輯門組成，分別稱為 NOT、AND 和 OR 門。所有邏輯門都有各自相同的邏輯功能。通過這些邏輯門的組合，我們可以得到任何布爾或邏輯函數(shù)或邏輯功能。基本邏輯門的真值表：在了解轉(zhuǎn)換之前，我們首先需要了解每個(gè)邏輯門的工作原理。1. NOT 邏輯門：這是最簡(jiǎn)單的數(shù)字邏輯電路類型。這些門是一個(gè)兩端設(shè)備，一個(gè)是輸入端，另一個(gè)是輸出端，NOT 門的輸入只能是二進(jìn)制數(shù)，即可以是 0，也可以是 1。NOR 邏輯門的輸出總是與輸入相反，也就是說(shuō)，如果我們?cè)谳斎攵溯斎脒壿?1，那么輸出端將是邏輯 0，
- 關(guān)鍵字： NOR 邏輯門
NAND 原廠過夠了「苦日子」，有晶圓合約成功漲價(jià) 10%
- 廠家期待觸底后的反彈早日到來(lái)。
- 關(guān)鍵字： NAND Flash
基于FPGA的NAND Flash的分區(qū)續(xù)存的功能設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)
- 傳統(tǒng)的控制器只能從NAND Flash存儲(chǔ)器的起始位置開始存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，會(huì)覆蓋上次存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，無(wú)法進(jìn)行數(shù)據(jù)的連續(xù)存儲(chǔ)。針對(duì)該問題，本文設(shè)計(jì)了一種基于FPGA的簡(jiǎn)單方便的NAND Flash分區(qū)管理的方法。該方法在NAND Flash上開辟專用的存儲(chǔ)空間，記錄最新分區(qū)信息，將剩余的NAND Flash空間劃成多個(gè)分區(qū)。本文給出了分區(qū)工作機(jī)理以及分區(qū)控制的狀態(tài)機(jī)圖，并進(jìn)行了驗(yàn)證。
- 關(guān)鍵字： 202308 NAND Flash FPGA 分區(qū) 起始地址
ROM、RAM、FLASH、DDR、EMMC都是什么？一次性搞清楚！
- 簡(jiǎn)單解釋ROMROM：只讀存儲(chǔ)器，內(nèi)容寫入后就不能更改了，制造成本比較低，常用于電腦中的開機(jī)啟動(dòng)如啟動(dòng)光盤bios，在系統(tǒng)裝好的電腦上時(shí)，計(jì)算機(jī)將C盤目錄下的操作系統(tǒng)文件讀取至內(nèi)存，然后通過cpu調(diào)用各種配件進(jìn)行工作這時(shí)系統(tǒng)存放存儲(chǔ)器為RAM。PROM：可編程程序只讀存儲(chǔ)器，但是只可以編寫一次。EPROM：可抹除可編程只讀存儲(chǔ)器，可重復(fù)使用。EEPROM：電子式可抹除可編程只讀存儲(chǔ)器，類似于EPROM但是摸除的方式是使用高電場(chǎng)完成。RAMRAM：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器
- 關(guān)鍵字： ROM RAM FLASH DDR EMMC
6月中國(guó)市場(chǎng)NAND Flash Wafer部分容量合約價(jià)有望小幅翻揚(yáng)
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，5月起美、韓系廠商大幅減產(chǎn)后，已見到部分供應(yīng)商開始調(diào)高wafer報(bào)價(jià)，對(duì)于中國(guó)市場(chǎng)報(bào)價(jià)均已略高于3~4月成交價(jià)。因此，TrendForce集邦咨詢預(yù)估6月在模組廠啟動(dòng)備貨下，主流容量512Gb NAND Flash wafer有望止跌并小幅反彈，結(jié)束自2022年5月以來(lái)的猛烈跌勢(shì)，預(yù)期今年第三季起將轉(zhuǎn)為上漲，漲幅約0~5%，第四季漲幅將再擴(kuò)大至8~13%。至于SSD、eMMC、UFS等產(chǎn)品庫(kù)存仍待促銷去化，現(xiàn)階段價(jià)格尚未有上漲跡象。下半年旺季備貨周期將至，盡管今
- 關(guān)鍵字： NAND Flash Wafer TrendForce
傳鎧俠/西數(shù)合并進(jìn)入最終階段 NAND Flash營(yíng)收或超三星？
- 近日，據(jù)日本共同社消息，日本存儲(chǔ)器大廠鎧俠與合作方美國(guó)西部數(shù)據(jù)的合并經(jīng)營(yíng)已經(jīng)進(jìn)入最終收尾調(diào)整階段。目前，作為全球知名的存儲(chǔ)器廠商，鎧俠和西部數(shù)據(jù)既是競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手又是合作伙伴，目前兩家公司正在共同運(yùn)營(yíng)巖手縣北上市和三重縣四日市的工廠。報(bào)道引用相關(guān)人士消息稱，鎧俠和西部數(shù)據(jù)正在探討出資設(shè)立新公司、統(tǒng)一開展半導(dǎo)體生產(chǎn)及營(yíng)銷的方案等，未來(lái)雙方將進(jìn)行經(jīng)營(yíng)合并，擬由鎧俠掌握主導(dǎo)權(quán)，關(guān)于出資比率等將繼續(xù)探討。報(bào)道稱，由于面向智能手機(jī)等的半導(dǎo)體行情疲軟、業(yè)績(jī)低迷，鎧俠和西部數(shù)據(jù)此舉意在提升經(jīng)營(yíng)效率并提高競(jìng)爭(zhēng)力。資料顯示，鎧俠
- 關(guān)鍵字： 鎧俠 西數(shù) NAND Flash 三星
DDR5 重新下跌，內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格未見回暖
- 業(yè)界對(duì) DDR5 DRAM 的市場(chǎng)預(yù)期不太樂觀。
- 關(guān)鍵字： NAND Flash NAND DDR5
需求持續(xù)下修，第一季NAND Flash總營(yíng)收環(huán)比下跌16.1%
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，第一季NAND Flash買方采購(gòu)動(dòng)能保守，供應(yīng)商持續(xù)透過降價(jià)求售，但第一季NAND Flash位元出貨量?jī)H微幅環(huán)比增長(zhǎng)2.1%，平均銷售（ASP）單價(jià)季減15%，合計(jì)NAND Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收約86.3億美元，環(huán)比減少16.1%。SK集團(tuán)（SK hynix & Solidigm）及西部數(shù)據(jù)（WDC）量?jī)r(jià)齊跌，沖擊營(yíng)收表現(xiàn)，環(huán)比下降均逾兩成。SK集團(tuán)受淡季及削價(jià)競(jìng)爭(zhēng)影響，第一季NAND Flash營(yíng)收僅13.2億美元，環(huán)比減少24.8%
- 關(guān)鍵字： 集邦 NAND Flash
兆易創(chuàng)新超小尺寸128Mb SPI NOR Flash面世
- 中國(guó)北京（2023年5月16日） —— 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）今日宣布，率先推出采用3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封裝的SPI NOR Flash——GD25LE128EXH，其最大厚度僅為0.4mm，容量高達(dá)128Mb，是目前業(yè)界在此容量上能實(shí)現(xiàn)的最小塑封封裝產(chǎn)品，可在應(yīng)對(duì)大容量代碼存儲(chǔ)需求的同時(shí)，提供極大限度的緊湊型設(shè)計(jì)自由。近年來(lái)，隨著物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴、健康監(jiān)護(hù)、網(wǎng)通等應(yīng)用的快速發(fā)展，市場(chǎng)需求變化多樣，不僅要在精致小巧的產(chǎn)品形態(tài)中
- 關(guān)鍵字： 兆易創(chuàng)新 超小尺寸 SPI NOR Flash
復(fù)旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲(chǔ)器新品
- 4月27日，上海復(fù)旦微電子集團(tuán)股份有限公司今日舉辦線上發(fā)布會(huì)，推出FM25/FM29系列SLC NAND，F(xiàn)M24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM，以及符合AEC-Q100的車規(guī)FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲(chǔ)新產(chǎn)品。FM25/FM29系列產(chǎn)品基于28nm先進(jìn)NAND flash工藝，滿足6萬(wàn)次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求，應(yīng)用于工規(guī)、5G通訊、車載等相關(guān)領(lǐng)域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產(chǎn)品基于95nm先進(jìn)EEPROM工藝，具備低功耗、
- 關(guān)鍵字： 復(fù)旦微電 NAND Flash EEPROM 存儲(chǔ)器
英飛凌推出 256 Mbit SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產(chǎn)品
- 【2023 年 04 月 10日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）近日推出 SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產(chǎn)品。這種存儲(chǔ)器經(jīng)過專門優(yōu)化，適合在電池供電的小型電子設(shè)備中使用。健身追蹤器、智能耳機(jī)、健康監(jiān)測(cè)儀、無(wú)人機(jī)和 GPS 導(dǎo)航等新型可穿戴應(yīng)用及工業(yè)應(yīng)用不斷涌現(xiàn)，有助于實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)跟蹤、記錄關(guān)鍵信息、增強(qiáng)安全性、降低噪聲等更多功能。這些先進(jìn)的功能和使用場(chǎng)景要求在體積更小的電子設(shè)備中配備更大容量的存儲(chǔ)器。據(jù)Omdia 數(shù)據(jù)顯示，藍(lán)牙耳
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 SEMPER Nano NOR Flash 閃存
nor flash介紹
NOR Flash存儲(chǔ)器
NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細(xì) ]
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